您的位置： 专家智库 > >

梁彬

作品数：37 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：文化科学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 8篇文化科学
  • 3篇电子电信

主题

  • 37篇晶圆
  • 28篇单轴
  • 28篇绝缘层
  • 24篇形变
  • 24篇应力
  • 24篇塑性
  • 24篇塑性形变
  • 24篇绝缘
  • 18篇氮化
  • 18篇氮化硅
  • 18篇晶化
  • 18篇非晶
  • 18篇非晶化
  • 16篇单轴拉伸
  • 16篇轴拉
  • 14篇应变量
  • 8篇应变SI
  • 8篇绝缘层上硅
  • 6篇压应力
  • 4篇光电

机构

  • 37篇西安电子科技...

作者

  • 37篇梁彬
  • 36篇戴显英
  • 36篇祁林林
  • 36篇焦帅
  • 35篇郝跃
  • 4篇盛喆
  • 1篇冯兰胜
  • 1篇过润秋

年份

  • 1篇2020
  • 11篇2019
  • 6篇2018
  • 1篇2017
  • 18篇2016
共 37 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法，其实现步骤为：1.清洗AlN埋绝缘层SOI晶圆，并注入He离子；在离子注入后的SOI晶圆顶层上淀积‑1.2GPa以上的压应力Si...
戴显英焦帅郝跃吴武健苗东铭祁林林梁彬
文献传递
基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变GeOI的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的GeOI晶圆顶层Ge层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层Ge层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上的SiO...
苗东铭戴显英郝跃祁林林梁彬焦帅
文献传递
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法，其实现步骤为：对绝缘层上硅锗SGOI晶圆进行清洗，并进行He离子注入；在离子注入后的SGOI晶圆顶层SiGe层上淀积淀积‑1...
苗东铭戴显英郝跃焦帅祁林林梁彬
文献传递
基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Ge的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的SiN埋绝缘层上Ge晶圆顶层Ge层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层Ge层进行离子注入形成非晶化层，...
戴显英祁林林郝跃底琳佳苗东铭梁彬焦帅
文献传递
基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的SiN埋绝缘层上Si晶圆顶层Si层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层，...
郝跃戴显英祁林林苗东铭焦帅梁彬
基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上Si晶圆顶层Si层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层，...
戴显英焦帅郝跃吴武健苗东铭祁林林梁彬
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法，其实现步骤为：1.对绝缘层上硅SOI晶圆进行清洗，并进行He离子注入；2.在离子注入后的SOI晶圆顶层Si层上淀积‑1GPa以上的压应力SiN...
戴显英郝跃梁彬蒲凯文苗东铭祁林林焦帅
文献传递
基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的AlN埋绝缘层上晶圆级单轴应变SiGe的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的AlN埋绝缘层上SiGe晶圆顶层SiGe层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层SiGe层进行离子注...
过润秋戴显英冯兰胜梁彬盛喆苗东铭焦帅祁林林
文献传递
基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SGOI的制作方法
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SGOI的制作方法。其实现步骤是：在清洗后的SGOI晶圆顶层SiGe层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；对顶层SiGe层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上...
郝跃戴显英焦帅苗东铭梁彬祁林林
文献传递
基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法
本发明公开了一种基于非晶化与尺度效应的晶圆级单轴应变SOI的制作方法。其实现步骤是：1)在清洗后的SOI晶圆顶层Si层上淀积SiO<Sub>2</Sub>层；2)对顶层Si层进行离子注入形成非晶化层，并去除非晶化层上的S...
戴显英郝跃梁彬蒲凯文苗东铭祁林林焦帅
文献传递
全选 清除 导出
共4页<1234>
聚类工具0