2024年12月25日
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陶明
作品数:
11
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北京大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
王茂俊
北京大学
郝一龙
北京大学
张川
北京大学
桑飞
北京大学
王野
北京大学
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11篇
中文专利
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电子电信
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绝缘栅
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脉冲开关
2篇
开关器件
机构
11篇
北京大学
作者
11篇
王茂俊
11篇
陶明
10篇
郝一龙
3篇
张川
1篇
林书勋
1篇
沈波
1篇
王野
1篇
桑飞
年份
1篇
2020
2篇
2019
1篇
2018
4篇
2017
3篇
2016
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一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法
一种提高增强型GaN MOS沟道迁移率的器件结构及实现方法,本发明属于微电子技术领域,涉及GaN基电力电子器件制作。所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、InGaN层、GaN层、AlGaN层、掩膜介质层,绝缘栅介质层和...
王茂俊
桑飞
陶明
郝一龙
文献传递
一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法
本发明公开了一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及其制作方法,所述结构包括衬底、GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN层插入层、GaN插入层、AlN插入层、AlGaN插入层、掩膜介质层、绝缘栅介...
王茂俊
沈波
陶明
刘少飞
郝一龙
文献传递
一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构
本发明提供了一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构。所述结构包括Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、本征AlGaN层、掩膜介质层、绝缘栅介质层、源、漏、栅金属层以及源极下方的Mg注入层。该结构在衬底上外延生长Al...
王茂俊
刘少飞
陶明
郝一龙
文献传递
基于多二维沟道的增强型GaN FinFET
基于多二维沟道的增强型GaN FinFET,本发明属于微电子技术领域,涉及到GaN基电力电子器件的制作。其结构自下而上包括衬底、GaN或AlN缓冲层、多层GaN/AlGaN层、刻蚀掩膜介质层,绝缘栅介质层和栅金属。在衬底...
王茂俊
张川
陶明
郝一龙
文献传递
一种提高GaN HEMT钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术
本发明公开了一种提高氮化镓基电子器件表面钝化效果、降低电流崩塌的表面处理技术及实现方法,所述方法主要应用于在氮化镓基电子器件制备中,在常规钝化层淀积之前,利用臭氧、氧等离子体等强氧化剂对氮化镓表面进行氧化,然后再用盐酸去...
王茂俊
林书勋
陶明
郝一龙
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一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及实现方法
本发明公开了一种提高硅基GaN HEMT关态击穿电压的器件结构及其制作方法,所述结构包括硅衬底、碳掺杂GaN或AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、绝缘栅介质层、栅电极、介质钝化层、源端肖特基‑欧姆混合电极以及漏...
王茂俊
陶明
郝一龙
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双脉冲软开关测试法区分GaN HEMT表面及缓冲层电流坍塌
本发明涉及软脉冲开关测试区分表面及缓冲层电流坍塌方法。双脉冲发生器产生双脉冲,合理设置脉冲参数,将电压应力施加在被测试器件上,器件在电学特性上有明显不同变化,根据器件不同电学特性有效区分表面及缓冲层电流坍塌。本发明提供了...
王茂俊
陶明
张川
郝一龙
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基于数字化湿法栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法
基于数字化栅刻蚀技术形成GaN增强型MOSFET及制备方法,本发明涉及宽禁带化合物半导体材料的电力电子器件及高效率功率开关领域。本发明白下而上包括衬底、GaN缓冲层、GaN、AlGaN,腐蚀掩膜介质层和绝缘栅介质层,且在...
王茂俊
王野
陶明
郝一龙
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一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构
本发明公开了一种提高GaN增强型MOSFET阈值电压的新型外延层结构及基于该结构的器件制备方法,涉及电力电子器件及功率开关领域。新型结构自下而上包括:衬底、GaN缓冲层、本征GaN层、Mg掺杂P型GaN层、GaN沟道层和...
王茂俊
陶明
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一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构
本发明提供了一种减小GaN功率开关器件电流坍塌的器件结构。所述结构包括Si衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、本征AlGaN层、掩膜介质层、绝缘栅介质层、源、漏、栅金属层以及源极下方的Mg注入层。该结构在衬底上外延生长Al...
王茂俊
刘少飞
陶明
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