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李正

作品数:106 被引量:0H指数:0
供职机构:湘潭大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:文化科学电子电信电气工程自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 101篇专利
  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 14篇文化科学
  • 10篇电子电信
  • 7篇电气工程
  • 3篇金属学及工艺
  • 3篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 66篇电极
  • 36篇探测器
  • 29篇沟槽
  • 23篇硅探测器
  • 19篇半导体
  • 18篇死区
  • 18篇壳型
  • 17篇刻蚀
  • 17篇半导体探测器
  • 16篇电场
  • 11篇电容
  • 11篇能量分辨率
  • 10篇电场分布
  • 10篇电荷
  • 10篇阴极
  • 9篇分压
  • 8篇电荷收集
  • 8篇电阻
  • 8篇分压电阻
  • 7篇电路

机构

  • 106篇湘潭大学

作者

  • 106篇李正
  • 35篇刘曼文
  • 23篇张亚
  • 17篇唐明华
  • 16篇肖永光
  • 15篇李刚
  • 8篇燕少安
  • 8篇冯明富
  • 4篇李玉云
  • 3篇赵俊
  • 3篇龙涛
  • 3篇刘晓洁
  • 3篇熊波
  • 3篇廖川
  • 2篇刘睿
  • 2篇龚跃球
  • 2篇刘美萍
  • 1篇龙志林
  • 1篇王秀锋
  • 1篇王薇

传媒

  • 1篇湘潭大学学报...
  • 1篇2014中国...

年份

  • 16篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 12篇2021
  • 21篇2020
  • 16篇2019
  • 16篇2018
  • 10篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2014
106 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种可控间距间隙的等间隙螺旋环大面积硅漂移探测器
本发明公开了一种可控间距间隙的等间隙螺旋环大面积硅漂移探测器,探测器包括正面阳极(1)、正面螺旋环电极(2)、背面螺旋环电极(3)和硅基体(4)。本发明在设计中,螺旋环间距(5)为P(r),螺旋环宽度(6)为W(r),螺...
赵俊李正龙涛王明洋
一种低压轨到轨输入输出运算放大器
本发明公开了一种低压轨到轨输入输出运算放大器,包括依次串接的轨到轨低阻抗输入级电路、低阻抗二极管共源极电路、两级放大级电路和跨阻放大器。本发明利用了两个半Cascode作为轨到轨输入级、低阻抗Diode共源级以及跨阻放大...
唐明华兰燕周焱谭彩虹李刚肖永光李正
击通电阻链式硅漂移探测器
本发明公开了一种击通电阻链式硅漂移探测器,包括基体,基体上表面中心通过掺杂形成圆形阳极、漂浮阴极同心环和击通电阻链;击通电阻链环绕圆形阳极,漂浮阴极同心环环绕击通电阻链分布;基体下表面整面为底面阴极,底面阴极下方覆盖底面...
李鑫卿李正王秀锋龙涛赵俊
六边形互扣式电极三维硅探测器
本发明公开了一种六边形互扣式电极三维硅探测器,包括六棱柱状的隔离硅体,隔离硅体的中心轴向设有中心电极,隔离硅体的六个侧面设有上下拼接的第一沟槽电极和第二沟槽电极,第一沟槽电极由两块C形沟槽电极卡扣而成,第一沟槽电极和中心...
李正 聂谦刘曼文
一种闭合式壳型电极硅探测器
一种闭合式壳型电极硅探测器,由一空心四棱环,空心八棱环,及一中央电极空心柱构成,所述空心八棱环嵌套于空心四棱环内,中央电极空心柱与所述空心四棱环及空心八棱环的中心轴线相同,所述空心八棱环、空心四棱环为重掺杂n+(或p+)...
李正冯明富
拉斜式柱状三维探测器
本实用新型公开了拉斜式柱状三维探测器,该探测器的探测单元呈斜四棱柱状,上下面为矩形,四个侧面中两对面形状相同,为两个矩形和两个平行四边形,探测单元包括探测器基体、氧化层a、倾斜的壳型电极、与壳型电极倾斜方向相同的中央收集...
李正张亚
二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列
本发明公开了一种二维排列双面错嵌式三维探测器及其制备方法、阵列,包括上沟槽电极和下沟槽电极,上沟槽电极和下沟槽电极分别刻蚀在中间半导体基体表面;上沟槽电极内嵌有上中央电极,上中央电极和上沟槽电极间填充有上半导体基体;下沟...
李正张亚
大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器及其设计方法
本发明属于深空探测技术领域,公开了一种大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器及其设计方法,大面积螺旋状圆柱形双面硅漂移探测器设计方法包括以下步骤:确定硅漂移探测器前后表面的电势;拟采用数学变分法计算载流子在硅漂移探测器中漂移...
李正刘曼文
可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器
本发明公开了一种可变中心收集电极的三维沟槽电极硅探测器,外围电极由第一直线部、第二直线部和弯曲部构成,第一直线部和第二直线部平行,第一直线部的端部和第二直线部的端部通过弯曲部封闭连接,长中心电极位于外围电极的中间,长中心...
李正廖川唐立鹏张亚
解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法
本发明公开了一种解决光刻工艺镀膜过程中存在毛刺及去胶残留的方法,具体步骤为下层光刻胶的匀胶‑下层光刻胶的烘烤‑上层光刻胶的匀胶‑上层光刻胶的烘烤‑光刻胶曝光‑光刻胶显影‑等离子体清洗‑镀电极/薄膜‑光刻胶的剥离,采用较薄...
唐明华王薇 刘玉林李刚李正
共11页<12345678910>
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