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刘玮琪
作品数:
15
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
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合作作者
李泽宏
电子科技大学
张金平
电子科技大学
刘竞秀
电子科技大学
任敏
电子科技大学
张波
电子科技大学
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电子科技大学
作者
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刘玮琪
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李泽宏
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张波
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任敏
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刘竞秀
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张金平
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廖航
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苏志恒
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汪榕
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赵念
年份
4篇
2019
3篇
2018
2篇
2017
6篇
2016
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一种双分裂沟槽栅电荷存储型IGBT及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层,在不影响IGBT器件阈值电压和开通的...
张金平
廖航
刘玮琪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
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高效电机同步整流控制IC的设计
在人工智能领域热潮涌动的大背景下,集成电路作为多元化应用的智能核心,受到大量投资者的追捧。在政府2018年的工作报告中,更是重点提出将大力推动集成电路、新能源汽车、新材料等产业的发展。我国芯片行业起步晚,国产芯片在经济全...
刘玮琪
关键词:
同步整流
高效电机
文献传递
一种恒定功耗的线性恒流电源
本发明属于电子电路技术领域,特别涉及一种恒定功耗的线性恒流电源。本发明的电路包括电压采样模块、补偿电流产生模块和恒流模块;其中电压采样模块采样功率管漏端电压,输出与输入成比例的电压V1并产生开关控制信号S1。V1经过除法...
李泽宏
汪榕
罗仕麟
赵念
黄孟意
李沂蒙
苏志恒
刘玮琪
双分裂沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在RC?IGBT器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层,在IGBT工作模...
张金平
廖航
刘玮琪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
一种恒定功耗的线性恒流电源
本发明属于电子电路技术领域,特别涉及一种恒定功耗的线性恒流电源。本发明的电路包括电压采样模块、补偿电流产生模块和恒流模块;其中电压采样模块采样功率管漏端电压,输出与输入成比例的电压V1并产生开关控制信号S1。V1经过除法...
李泽宏
汪榕
罗仕麟
赵念
黄孟意
李沂蒙
苏志恒
刘玮琪
文献传递
一种双通道RC-LIGBT器件及其制备方法
本发明属于功率半导体集成电路领域,具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT,RC‑LIGBT)及其制备方法,用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback)现象,同...
张金平
田丰境
刘玮琪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
一种导通时间可调的控制电路
一种导通时间可调的控制电路,属于电子电路技术领域。计时模块输出不同电压值给第一迟滞比较器的负输入端和第二迟滞比较器的正输入端,使第一迟滞比较器和第二迟滞比较器的输出端,即RS触发器的R输入端、S输入端按不同组合方式控制R...
李泽宏
刘玮琪
黄孟意
李沂蒙
苏志恒
文献传递
一种RC-LIGBT器件及其制备方法
本发明属于功率半导体集成电路领域,具体提供横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT,RC‑LIGBT)及其制备方法,用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback)现象,同...
张金平
熊景枝
刘玮琪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
文献传递
双分裂沟槽栅电荷存储型RC-IGBT及其制造方法
本发明属于功率半导体器件技术领域,具体涉及逆导型沟槽栅电荷存储型绝缘栅双极型晶体管。本发明通过在RC‑IGBT器件沟槽内栅电极的底部和侧面引入与发射极等电位的双分裂电极以及双分裂电极和栅电极之间的介质层,在IGBT工作模...
张金平
廖航
刘玮琪
刘竞秀
李泽宏
任敏
张波
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一种双通道RC‑LIGBT器件及其制备方法
本发明属于功率半导体集成电路领域,具体涉及横向逆导型绝缘栅双极型晶体管(Reverse Conducting‑LIGBT,RC‑LIGBT)及其制备方法,用于抑制传统RC‑LIGBT器件的负阻(snapback)现象,同...
张金平
田丰境
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