您的位置： 专家智库 > >

葛薇薇

作品数：9 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 9篇导通
  • 9篇导通电阻
  • 9篇电阻
  • 7篇比导通电阻
  • 6篇半导体
  • 4篇槽栅
  • 2篇电场
  • 2篇电极
  • 2篇氧化层
  • 2篇栅结构
  • 2篇栅氧化
  • 2篇栅氧化层
  • 2篇碳化硅
  • 2篇体硅
  • 2篇漂移区
  • 2篇重掺杂
  • 2篇闩锁
  • 2篇闩锁效应
  • 2篇功率MOSF...
  • 2篇功率半导体

机构

  • 9篇电子科技大学

作者

  • 9篇葛薇薇
  • 8篇罗小蓉
  • 4篇孙涛
  • 4篇尹超
  • 4篇吴俊峰
  • 4篇马达
  • 2篇刘庆
  • 2篇周坤
  • 2篇魏杰
  • 2篇张凯
  • 2篇张彦辉
  • 2篇黄琳华
  • 2篇何清源

年份

  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
共 9 条 记 录，以下是 1-9
全选 清除 导出
排序方式：
一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...
罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源
一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有三栅结构的HK SOI LDMOS器件。本发明具有以下几个特点：一、具有三个分离的栅结构，包括一个平面栅和两个沟槽栅，在开态时，三栅结构可以形成包括横向和纵向在内的多个沟道，增大...
罗小蓉吕孟山尹超魏杰谭桥周坤葛薇薇何清源
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件
本发明提出了一种碳化硅VDMOS器件。相比于传统结构，本发明的主要创新在于JFET区采用变化横向掺杂的方法。传统的平面栅碳化硅VDMOS为了降低器件导通状态下的JFET区电阻，常常整体提高JFET区的掺杂剂量，然而过高的...
罗小蓉张凯孙涛葛薇薇
文献传递
一种槽栅功率MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种槽栅功率MOSFET器件。本发明有以下特点：一、采用横向重掺杂半导体漏区和纵向漏延伸区，从而使器件同时具有VDMOS可并联产生大电流和LDMOS易集成的优点；二、采用分段沟槽栅结...
罗小蓉吕孟山尹超张彦辉马达吴俊峰阮新亮葛薇薇
文献传递
新型低功耗横向功率MOSFET研究
功率MOSFET是功率IC的核心电子元器件,降低功率MOSFET的功耗一直以来都是业内人士的研究热点。本文首先介绍了功率MOSFET的行业背景及研究现状与发展态势。之后介绍了降低功率LDMOS功耗的常用方法。针对静态功耗...
葛薇薇
关键词：LDMOS比导通电阻
文献传递
一种碳化硅VDMOS器件
本发明提出了一种碳化硅VDMOS器件。相比于传统结构，本发明的主要创新在于JFET区采用变化横向掺杂的方法。传统的平面栅碳化硅VDMOS为了降低器件导通状态下的JFET区电阻，常常整体提高JFET区的掺杂剂量，然而过高的...
罗小蓉张凯孙涛葛薇薇
一种槽栅功率MOSFET器件
本发明属于功率半导体技术领域，特别涉及一种槽栅功率MOSFET器件。本发明有以下特点：一、采用横向重掺杂半导体漏区和纵向漏延伸区，从而使器件同时具有VDMOS可并联产生大电流和LDMOS易集成的优点；二、采用分段沟槽栅结...
罗小蓉吕孟山尹超张彦辉马达吴俊峰阮新亮葛薇薇
一种三栅功率LDMOS
本发明属于功率半导体器件领域，涉及一种基于体硅技术的横向三栅功率LDMOS。本发明主要特点为：具有三栅结构和可以与源或栅或外加电极电气相连的第二导电材料。本发明主要优势如下：三栅结构增加了沟道密度，降低了沟道电阻，从而使...
罗小蓉葛薇薇吴俊峰马达吕孟山黄琳华刘庆孙涛
文献传递
一种三栅功率LDMOS
本发明属于功率半导体器件领域，涉及一种基于体硅技术的横向三栅功率LDMOS。本发明主要特点为：具有三栅结构和可以与源或栅或外加电极电气相连的第二导电材料。本发明主要优势如下：三栅结构增加了沟道密度，降低了沟道电阻，从而使...
罗小蓉葛薇薇吴俊峰马达吕孟山黄琳华刘庆孙涛
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0