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向安

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇芯片
  • 4篇封装
  • 4篇封装形式
  • 3篇碳化硅
  • 3篇碳化硅器件
  • 3篇硅器件
  • 2篇电极
  • 2篇电阻
  • 2篇堆叠
  • 2篇堆叠封装
  • 2篇引出电极
  • 2篇耐温
  • 2篇耐温性能
  • 2篇互连
  • 2篇互连结构
  • 2篇封装结构
  • 2篇附加电阻
  • 2篇SIC器件
  • 1篇砷化镓
  • 1篇碳化硅材料

机构

  • 8篇中国工程物理...

作者

  • 8篇肖承全
  • 8篇周阳
  • 8篇徐星亮
  • 8篇张林
  • 8篇代刚
  • 8篇向安
  • 7篇张龙
  • 4篇李志强
  • 2篇张健

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法
本发明提供了一种用于碳化硅高温退火表面保护的碳膜快速制备方法，即在碳化硅器件离子注入激活前旋涂光敏抗蚀剂，对旋涂在碳化硅正反面的光敏抗蚀剂进行快速热退火，热分解后形成均匀碳膜；高温退火激活过程中，碳膜抑制碳化硅器件表层的...
向安李俊焘代刚徐星亮肖承全张林周阳杨英坤张龙
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一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法
本发明公开了一种基于聚焦离子束诱导的有序砷化镓量子点的制备方法，涉及半导体材料制备技术领域，该方法包括下步骤：提供GaAs衬底材料，并对GaAs衬底材料进行表面清洁；利用聚焦离子束（FIB）轰击GaAs衬底，通过改变离子...
徐星亮李俊焘代刚向安肖承全张林周阳
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基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法
本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法，该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板，用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔，烧结形成导电通路，进一步通过纳米银焊膏烧结，实现芯片电极的堆叠互连；陶瓷基板作为绝缘板...
杨英坤张龙李俊焘代刚肖承全古云飞银杉张林徐星亮向安周阳李志强崔潆心
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一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法
本发明公开了一种提升碳化硅功率器件反向阻断电压的方法，主要是将碳化硅功率器件放置在紫外光源下，在室温下经一定时间的紫外光照射，从而有效提升SiC功率器件的反向阻断电压的效果；本发明操作简单、成本低廉。
肖承全李俊焘代刚徐星亮向安周阳张林杨英坤张龙张健
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基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法
本发明提供了一种基于纳米银焊膏的SiC器件三维堆叠互连结构及制备方法，该互连结构包含纳米银焊膏和陶瓷板，用纳米银焊膏填充陶瓷板的通孔，烧结形成导电通路，进一步通过纳米银焊膏烧结，实现芯片电极的堆叠互连；陶瓷基板作为绝缘板...
杨英坤张龙李俊焘代刚肖承全古云飞银杉张林徐星亮向安周阳李志强崔潆心
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基于三层DBC基板的碳化硅器件封装结构及制造方法
本发明公开了一种基于三层DBC基板的碳化硅功率器件封装结构及制造方法，该封装结构包含三层图形化的DBC基板形成上中下结构，两层纳米银焊膏，纵向碳化硅功率芯片及耐高温填料；通过DBC基板的图形化及纳米银焊膏的连接实现芯片电...
杨英坤李俊焘代刚张龙肖承全张林徐星亮向安周阳古云飞崔潆心银杉李志强
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基于三层DBC基板的碳化硅器件封装结构及制造方法
本发明公开了一种基于三层DBC基板的碳化硅功率器件封装结构及制造方法，该封装结构包含三层图形化的DBC基板形成上中下结构，两层纳米银焊膏，纵向碳化硅功率芯片及耐高温填料；通过DBC基板的图形化及纳米银焊膏的连接实现芯片电...
杨英坤李俊焘代刚张龙肖承全张林徐星亮向安周阳古云飞崔潆心银杉李志强
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一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法
本发明公开了一种制备高阻断电压碳化硅功率器件的方法，包括以下步骤：先通过化学清洗、刻蚀及离子注入等工艺在碳化硅外延层上制备正面的台阶及结终端结构；将上述碳化硅晶片在湿氧气氛中进行热氧氧化形成牺牲氧化层，再在稀氢氟酸中进行...
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