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郝亚伟

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：中国工程物理研究院更多>>
相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 3篇金属学及工艺
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇电极
  • 6篇镍钴
  • 6篇离子
  • 6篇复合电极
  • 5篇氢氧化
  • 5篇金属
  • 4篇氧化物
  • 4篇阴离子
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇氢氧化物
  • 4篇无机
  • 4篇无机阴离子
  • 4篇基合金
  • 4篇激子
  • 4篇合金
  • 4篇非晶
  • 3篇射线
  • 3篇灵敏度

机构

  • 18篇中国工程物理...

作者

  • 18篇郝亚伟
  • 11篇赵晓冲
  • 11篇杨盼
  • 11篇杨丽军
  • 6篇马策
  • 6篇程禹
  • 4篇石岩
  • 4篇陈克琳
  • 4篇赵萍
  • 3篇陈军
  • 3篇陈均
  • 1篇梁传辉

年份

  • 1篇2024
  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 1篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 3篇2016
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氢及氢同位素的快速分析检测装置及方法
本发明涉及一种氢及氢同位素的快速分析检测装置及方法，包括：探测系统、进样系统、束源真空系统、激光系统和数据分析系统；探测系统包括探测真空腔室、探测器和加速电极；束源真空系统包括束源真空腔室。样品经束源真空腔室形成脉冲分子...
张建阳赵萍陈克琳郝亚伟陈军石岩
一种超级电容器用金属/非晶镍钴氢氧化物复合电极及其制备方法
本发明公开了一种超级电容器用金属/非晶镍钴氢氧化物复合电极的制备方法，其步骤包括：（1）制备电沉积的负极；（2）制备金属/合金纳米线；（3）除去金属/合金纳米线的支撑基板；（4）在金属/合金纳米线上电沉积镍钴氢氧化物；（...
赵晓冲程禹杨盼杨丽军郝亚伟马策
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一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法
本发明属于氮化硼薄膜制备技术领域，具体涉及一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法。本发明提供的方法：在流动的载气的保护中，将含氮硼前驱体加热进行预处理，将衬底加热，将预处理含氮硼前驱体加热分解，在预热半导体衬底表面生长氮化...
姚运喜陈均冯博民焦健杨金华杨轶飞郝亚伟
一种超级电容器用合金/镍钴硫代尖晶石复合电极及其制备方法
本发明公开了一种超级电容器用合金/镍钴硫代尖晶石复合电极的制备方法，其步骤包括：（1）清洗泡沫金属；（2）电沉积法制备泡沫金属基合金；（3）在泡沫金属基合金上原位水热生长镍钴硫代尖晶石；（4）制得金属/镍钴硫代尖晶石复合...
赵晓冲程禹杨盼杨丽军郝亚伟马策
一种超级电容器用合金/非晶镍钴氢氧化物复合电极及其制备方法
本发明公开了一种超级电容器用合金/非晶镍钴氢氧化物复合电极的制备方法，其步骤包括：（1）清洗泡沫金属；（2）制备泡沫金属基合金；（3）在泡沫合金上电沉积镍钴氢氧化物；（4）制得金属/非晶镍钴氢氧化物复合电极。同时，本发明...
赵晓冲程禹杨丽军杨盼郝亚伟马策
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一种金属材料放气率测定机构及其测定方法
本发明公开了一种金属材料放气率测定机构，属于放气率测试装置技术领域，包括真空腔室、气体测定装置，真空腔室内置有样品台，气体测定装置的进气端加装有隔离套筒，隔离套筒的端头开设有用于贴近样品表面的进气孔；还公开了一种金属材料...
赵萍张建阳陈克琳郝亚伟陈军石岩
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一种无机钙钛矿材料及其制备方法
本发明公开了一种无机钙钛矿材料，该无机钙钛矿材料的化学式为(A1)<Sub>x</Sub>(A2)<Sub>1‑x</Sub>(B1)<Sub>y</Sub>(B2)<Sub>1‑y</Sub>(X1)<Sub>z</S...
赵晓冲杨丽军杨盼郝亚伟
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用作射线探测材料的掺杂改性钙钛矿材料及其制备方法
本发明公开了一种用作射线探测材料的掺杂改性钙钛矿材料，该钙钛矿材料的化学式为(A1)<Sub>x</Sub>(A2)<Sub>1‑x</Sub>(B1)<Sub>y</Sub>(B2)<Sub>1‑y</Sub>(X1)...
赵晓冲杨丽军杨盼郝亚伟
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一种超级电容器用金属/非晶镍钴氢氧化物复合电极的制备方法
本发明公开了一种超级电容器用金属/非晶镍钴氢氧化物复合电极的制备方法，其步骤包括：（1）制备电沉积的负极；（2）制备金属/合金纳米线；（3）除去金属/合金纳米线的支撑基板；（4）在金属/合金纳米线上电沉积镍钴氢氧化物；（...
赵晓冲程禹杨盼杨丽军郝亚伟马策
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一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法
本发明属于氮化硼薄膜制备技术领域，具体涉及一种化学气相沉积制备氮化硼薄膜的方法。本发明提供的方法：在流动的载气的保护中，将含氮硼前驱体加热进行预处理，将衬底加热，将预处理含氮硼前驱体加热分解，在预热半导体衬底表面生长氮化...
姚运喜陈均冯博民焦健杨金华杨轶飞郝亚伟
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