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缪向水

作品数：24 被引量：0H指数：0
供职机构：华为技术有限公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信文化科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 24篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇电气工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 13篇存储器
  • 8篇相变存储
  • 8篇相变存储器
  • 7篇电压
  • 5篇异或
  • 5篇晶态
  • 4篇低阻
  • 4篇异或运算
  • 4篇相变材料
  • 4篇逻辑运算
  • 3篇电极
  • 3篇电路
  • 3篇堆叠
  • 3篇异或门
  • 3篇相变
  • 2篇电平
  • 2篇电平信号
  • 2篇电压控制
  • 2篇电压转换
  • 2篇电压转换器

机构

  • 24篇华为技术有限...

作者

  • 24篇缪向水
  • 12篇赵俊峰
  • 12篇徐荣刚
  • 7篇张树杰
  • 6篇谭海波
  • 6篇石晓钟
  • 6篇周亚雄
  • 5篇韦竹林
  • 4篇黄克骥
  • 3篇程龙
  • 3篇董伟伟
  • 2篇李震
  • 2篇何强
  • 2篇马平
  • 2篇廖宇
  • 1篇朱晓明
  • 1篇张恒

年份

  • 3篇2023
  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 1篇2020
  • 4篇2018
  • 1篇2017
  • 5篇2016
  • 2篇2015
共 24 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
锁存器和D触发器
本发明实施例提供一种锁存器和D触发器，所述锁存器包括：开关、阻变式存储器、分压电路和电压转换器，当所述开关处于导通状态时，所述电压转换器用于根据所述锁存器的输入信号输出所述锁存器的输出信号，其中，所述输出信号与所述输入信...
缪向水李祎周亚雄徐荣刚赵俊峰张树杰
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相变存储器
一种相变存储器，包括存储节点，存储节点包括：下电极(1)，用于连接衬底；第一相变层(2)，位于下电极之上；第二相变层(3)，层叠于第一相变层上；上电极(4)，位于第二相变层上；存储节点根据第一相变层和第二相变层不同的阻值...
缪向水余念念童浩徐荣刚赵俊峰张树杰
文献传递
异或门器件及控制异或门器件的方法
本发明实施例提供一种异或门器件及控制异或门器件的方法。所述异或门器件包括控制电路及两个忆阻器。两个忆阻器的正极与分别与控制电路的两个输出端连接，两个忆阻器的负极连接到一起，形成反向串联结构。进行异或运算时，所述控制电路并...
李祎程龙杨岭缪向水董伟伟蒲贵友黄克骥
文献传递
写操作的方法与存储器
本申请提供了一种写操作的方法与存储器，通过向存储模块施加能够开启存储模块，且能够控制相变存储单元的温度小于相变存储单元的熔化温度的第一脉冲电压信号，并在施加第一脉冲电压信号之后，向存储模块施加用于对相变存储单元执行写操作...
童浩蔡旺汪宾浩缪向水严雪过董伟伟
一种金属掺杂的Ge-Sb-Te基多值存储相变材料及相变存储器
本发明提供了一种金属掺杂的Ge‑Sb‑Te基多值存储相变材料，通式为：M<Sub>x</Sub>(Ge<Sub>a</Sub>Sb<Sub>b</Sub>Te<Sub>c</Sub>)<Sub>1‑x</Sub>,其中M...
缪向水余念念童浩徐荣刚赵俊峰张树杰
文献传递
一种铁电晶体管及其制备方法
本申请提出了一种铁电晶体管，其特征在于，该铁电晶体管包括：衬底，以及设置在该衬底第一面上的源电极、漏电极以及至少两个栅电极区域，该至少两个栅电极区域设置于源电极和漏电极之间；其中，至少两个栅电极区域中每个该栅电极区域中包...
王兴晟张子冲余豪王成旭缪向水吴全潭廖宇石晓钟
实现异或运算的电路、实现同或运算的电路以及阵列电路
本发明提供一种实现异或运算的电路、实现同或运算的电路以及阵列电路，通过四个开关和一个阻变存储器构建的实现异或运算的电路或实现同或运算的电路，实现异或运算或同或运算只经过一个步骤，即，通过改变阻变存储器呈现的阻态表示异或运...
缪向水李祎周亚雄徐荣刚赵俊峰韦竹林
文献传递
逻辑门器件及其运算方法、检索任务执行芯片和方法
本申请实施例提供一种逻辑门器件及其运算方法、检索任务执行芯和方法，电路包括两个忆阻器、定值电阻和控制器，两个忆阻器的正极与控制器连接，所述定值电阻的两端分别与所述控制器和两个忆阻器负极连接；进行异或运算的第一逻辑值由所述...
李祎杨岭缪向水谭海波石晓钟张恒
文献传递
阻变存储器逻辑运算阵列的操作方法、装置及设备
一种阻变存储器逻辑运算阵列的操作方法、装置及设备。阻变存储器逻辑运算阵列的操作方法，包括：将逻辑运算阵列中至少一组逻辑运算单元的第一场效应晶体管开关打开，将逻辑运算单元的第二场效应晶体管开关关闭，并将逻辑运算单元的第三阻...
缪向水李祎周亚雄徐荣刚赵俊峰韦竹林
文献传递
一种相变薄膜及其制备方法和相变存储器
本申请实施例提供了一种相变薄膜，包括堆叠设置的多层相变材料层，其中，每一所述相变材料层的材质包括Sb<Sub>2</Sub>Te<Sub>3</Sub>，所述相变薄膜中还含有掺杂元素，且所述掺杂元素的质量百分含量按照所述...
程晓敏刘香君曾运韬缪向水马平谭海波李响
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