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陈毅华

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：湘潭大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇单粒子
  • 3篇单粒子效应
  • 3篇晶体管
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应晶体管
  • 2篇电路
  • 2篇逻辑功能
  • 2篇沟道
  • 2篇P沟道
  • 1篇漏极
  • 1篇反相器
  • 1篇版图
  • 1篇版图设计

机构

  • 3篇湘潭大学

作者

  • 3篇陈毅华
  • 2篇唐明华
  • 2篇燕少安
  • 2篇张万里

年份

  • 1篇2018
  • 2篇2016
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路
本发明公开了一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管；第一、第二、第五场效应晶体管各自的栅极分别相连，第一...
唐明华陈毅华燕少安张万里
文献传递
场效应晶体管单粒子效应的机制与加固方法研究
随着半导体制造、电路设计技术和计算机体系结构的惊人的技术进步，使得微处理器的性能和集成密度以指数增加。由于尺寸和集成电路工作电压的减小满足了消费者日益增长的低功耗、高速度的需求，但是其对辐射的敏感性也可能会增加。深亚微米...
陈毅华
关键词：单粒子效应场效应晶体管版图设计
一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路
本发明公开了一种P沟道场效应晶体管抗单粒子效应加固电路，包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管、第三场效应晶体管、第四场效应晶体管、第五场效应晶体管、第六场效应晶体管；第一、第二、第五场效应晶体管各自的栅极分别相连，第一...
唐明华陈毅华燕少安张万里
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