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陈洪维

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：香港科技大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇金属
  • 2篇晶体管
  • 2篇二维电子
  • 2篇二维电子气
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 2篇场效应器件
  • 1篇氮化
  • 1篇氮化物
  • 1篇通关
  • 1篇肖特基
  • 1篇化物
  • 1篇击穿电压

机构

  • 2篇香港科技大学

作者

  • 2篇周春华
  • 2篇陈敬
  • 2篇袁理
  • 2篇陈洪维

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2013
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
常关断型三族氮化物金属-二维电子气隧穿结场效应晶体管
本发明提供了制造异质结AlGaN/GaN金属二维电子气（2DEG）隧穿结场效应晶体管（TJ-FET）的结构，器件和方法。一方面，金属-2DEG肖特基隧穿结可以被用在三族氮化物场效应器件上以实现常关断工作模式，大击穿电压，...
陈敬袁理陈洪维周春华
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常关断型三族氮化物金属-二维电子气隧穿结场效应晶体管
提供了制造异质结AlGaN/GaN金属二维电子气（2DEG）隧穿结场效应晶体管（TJ-FET）的结构，器件和方法。一方面，金属-2DEG肖特基隧穿结可以被用在三族氮化物场效应器件上以实现常关断工作模式，大击穿电压，低漏电...
陈敬袁理陈洪维周春华
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