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李俊英

作品数：5 被引量：2H指数：1
供职机构：西安工业大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇会议论文
  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电场
  • 2篇电极
  • 2篇形核
  • 2篇枝晶
  • 2篇气相外延
  • 2篇气相外延生长
  • 2篇维数
  • 2篇晶核
  • 2篇静电
  • 2篇静电场
  • 2篇分形
  • 2篇分形维数
  • 2篇DLA
  • 2篇H2O体系
  • 2篇HG
  • 2篇O-H
  • 1篇单晶
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构
  • 1篇化合物半导体

机构

  • 5篇西安工业大学

作者

  • 5篇李俊英
  • 2篇李高宏
  • 2篇谷智
  • 2篇许岗
  • 2篇陈静
  • 2篇靳长清

传媒

  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 2篇2015
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
HgO-HI-H2O体系中的分型生长结构
在HgO-HI-HO体系中采用等温溶剂挥发法进行HgI晶体生长。通过控制Hg和I的配比,在非饱和情况下,在LEICA-DM2500P偏光显微镜下观察到树枝状和规则颗粒状碘化汞晶体。研究表明,在[Hg]:[I]>1:6时,...
李俊英
关键词：枝晶分形维数DLA
文献传递
一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法
本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（<I>α‑</I>HgI<Sub>2</Su...
许岗杨丛笑李俊英李高宏谷智靳长清魏永星陈静侯雁楠
溶液法生长碘化汞晶体及机理分析
碘化汞(α-HgI2)晶体是直接跃迁宽带隙的Ⅱ-Ⅶ族化合物半导体，其原子序数高(ZHg=80，ZI=53)，禁带宽度大(300K，2.13eV)，体暗电阻率高(ρ＞1013Ω·cm)、电离效率高(52％)，光电吸收系数大...
李俊英
关键词：化合物半导体晶体结构
一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法
本发明属于化学液相沉积领域，具体涉及一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法。本发明主要解决碘化汞薄膜籽晶层定向生长的问题。本发明提供了一种碘化汞薄膜籽晶层的制备方法：利用化合物碘化汞（<I>α‑</I>HgI<Sub>2</Su...
许岗杨丛笑李俊英李高宏谷智靳长清魏永星陈静侯雁楠
文献传递
HgO-HI-H2O体系中的分型生长结构
在HgO-HI-H2O体系中采用等温溶剂挥发法进行HgI2晶体生长。通过控制Hg2+和I-的配比，在非饱和情况下，在LEICA-DM2500P偏光显微镜下观察到树枝状和规则颗粒状碘化汞晶体。
李俊英
关键词：枝晶分形维数DLA
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