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边娜

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电阻率
  • 1篇势垒
  • 1篇势垒电容
  • 1篇外延片
  • 1篇硅外延
  • 1篇硅外延片

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇李杨
  • 1篇李明达
  • 1篇陈涛
  • 1篇边娜

传媒

  • 1篇科技创新与应...

年份

  • 1篇2016
共 2 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
CV法测试电阻率的稳定性研究
2016年
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水浴处理硅外延片表面,形成10~15魡的氧化层,并对比分析了装汞量、吸附汞真空压力以及水平校准方式对电阻率测试结果的影响。
陈涛李明达李杨边娜
关键词：硅外延片势垒电容
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共1页<1>
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