刘志宇
- 作品数：39 被引量：18H指数：2
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- 相关领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
- 一种自适应多模式混合控制降压转换器的研究
- 2013年
- 设计一种降压型多模式DC-DC转换器控制电路。在重载、轻载和极轻载三种负载情况下,针对各阶段主要损耗成因,自动切换成相应最优化的控制模式,适用于电池供能或供能有限的应用场合。仿真实验实现了所设计的电路功能,验证了该技术可以有效提高轻载条件下转换器的效率。
- 金然傅刚陈环刘志宇
- 关键词：DC-DC转换器混合控制
- 一种显著增强上转换发射强度的纳米材料及其制备方法
- 本发明涉及发光材料技术领域，且公开了一种显著增强上转换发射强度的纳米材料及其制备方法，以NaErF<Sub>4</Sub>:20％Yb为核层，并依次包覆NaYF<Sub>4</Sub>:x％Yb壳层、NaYF<Sub>4...
- 林浩郑雪刚陈滢刘美娟潘书生李涵刘志宇
- 双层厚膜结构改善气敏元件灵敏度和选择性研究
- 2017年
- 研究了厚膜印刷技术制备的双层膜结构气敏元件的灵敏度和选择性。测量结果表明:在二氧化锡(SnO_2)单层膜下再添加一层纳米三氧化钨(WO_3)材料厚膜,可以提高气敏元件对酒精、丙酮、甲醛、甲苯还原气体的灵敏度和选择性。当浓度为900×10^(-6)时,将SnO_2覆盖在WO_3之上形成双层膜时,较两种材料对应的单层膜灵敏度均有所提升。因此,双层厚膜结构为改善元件的灵敏度和选择性提供了一种可行的方法。初步认为,双层膜的作用与膜的上、下排列顺序有很大的关系,也与双层界面间由于扩散效应所形成的过渡层有关。
- 张庞梁鸿东刘志宇傅刚彭智伟
- 关键词：气敏元件二氧化锡选择性
- 微弹簧式悬臂梁自带均热板微加热器及其制备工艺
- 本发明公开了一种微弹簧式悬臂梁自带均热板微加热器，包括硅基座、绝缘膜、加热单元以及均热板；硅基座中部设有通孔，绝缘膜覆盖在基座及其通孔上，其中绝缘膜覆盖形成有悬臂梁；加热单元包括加热丝和电极，加热丝设于悬臂梁上，电极设于...
- 傅刚高升谦刘志宇
- 文献传递
- 磁控溅射氮化钽工艺的等离子体发射光谱分析
- 2017年
- 本文讨论采用等离子发射光谱(Plasma OES)作为一种独立于具体溅射装置的仪器参数的工艺参量,并在微波薄膜电阻器的氮化钽溅射制备工艺中考察了这种方法的有效性。首先分析了OES中对应于活性氮成分N2+和Ta的谱线强度与传统溅射参数的关系,结果显示单调增加溅射功率会降低等离子体成分中活性氮成分的比例,从而将成膜参数向低氮和低TCR的窗口方向移动。从OES谱线中计算的两波长玻尔兹曼图定性地显示了等离子体激发温度与溅射功率的单调关系。其次,通过将OES谱线分析结果与晶体结构(XRD)、晶粒大小(AFM)和电阻温度系数TCR等物性测量相比较,证明Plasma OES是一种可靠的溅射工艺在线监测手段。
- 刘志宇傅刚
- 关键词：磁控溅射
- Nb_2O_5掺杂量对ZnO压敏电阻器性能的影响被引量：3
- 2012年
- 通过掺杂微量Nb2O5制备了ZnO压敏电阻器,运用扫描电子显微镜(SEM)和电性能测试手段分析了Nb2O5掺杂对ZnO压敏电阻器微观结构和电性能的影响,测量了晶界势垒高度φH,并探讨了其对ZnO压敏电阻器性能的影响。结果表明:掺杂适量的Nb2O5可以明显改善ZnO压敏电阻器的微观结构和电性能;当Nb2O5的掺杂量为摩尔分数0.10%时,所制ZnO压敏电阻器的晶粒尺寸最大,且压敏电压V1mA、非线性系数α和φH值分别为174V,30和0.463 eV。
- 杨小妮傅刚陈环翟旺建刘志宇
- 关键词：ZNONB2O5压敏电阻
- 低浓度铒离子掺杂的强红光上转换荧光粉及其制备方法
- 本发明涉及发光材料制备以及应用技术领域，公开了一种低浓度铒离子掺杂的强红光上转换荧光粉及其制备方法，该荧光粉是由氢氧化钠溶液、柠檬酸溶液、氯化钇溶液、氯化铒溶液、氯化铥溶液以及氟化钠溶液制成。该低浓度铒离子掺杂的强红光上...
- 林浩陈滢郑雪刚潘书生李涵刘志宇
- 纳米颗粒线阵列电阻的制备方法
- 本发明提供了一种纳米颗粒线阵列电阻的制备方法，包括：获得制备样品；将制备样品放置在三维微位移平台上；飞秒脉冲激光经过光路系统后透过石英玻片聚焦在金膜表面，PC机控制三维微位移平台在Y和Z轴方向上移动，金膜被聚焦的激光烧蚀...
- 张成云刘志宇刘佐濂
- 文献传递
- 一种网络状纳米电阻及其制备方法
- 本发明公开了一种网络状纳米电阻及其制备方法。本发明利用真空热蒸发镀膜法，采用多孔无机滤膜作为衬底材料，在衬底材料表面镀上大面积规则分布的金属钯纳米网络状结构，通过精确控制金属钯材料的用量、镀膜时间，方便快捷地在衬底材料表...
- 张成云程朗李炜键刘志宇
- 文献传递
- 一种超薄忆阻器及其制备方法
- 本发明涉及神经形态计算芯片技术领域，尤其是涉及一种超薄忆阻器及其制备方法。所述忆阻器自下而上包括底电极、阻变层和顶电极，其中，所述底电极的材料为硼重掺杂p型Si，所述阻变层采用SiO<Sub>x</Sub>，所述顶电极选...
- 葛军陈莞君马泽霖曹栩诚刁山青刘志宇潘书生
