李永洪
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：有色金属研究总院更多>>
- 相关领域：金属学及工艺电子电信一般工业技术更多>>
- 掺杂钨丝形变和断裂的高压电镜原位观察
- ＜正＞ 晶体的范性形变是由大量位错集体运动造成的。弥散沉淀粒子或弥散气泡引起金属力学强度显著变化又反映了这些弥散粒子或弥散气泡与位错交互作用的事实。解释掺Si、Al、K的钨丝具有良好的抗下垂性能的“钾泡弥散强化说”就是弥...
- 李永洪徐炜刘安生邵贝羚
- 文献传递
- 掺杂钨丝形变和断裂的高压电子显微镜原位观察
- 1984年
- 用高压电子显微镜对掺Si,Al,K的钨丝形变和断裂过程的原位观察表明:钾泡对位错运动有明显的阻碍作用;同时大尺寸的钾泡本身就可能是一个裂纹核,与掺杂钨丝的蠕变断裂和劈裂有密切关系,所以钾泡的大小和分布状态直接影响到掺杂钨丝的性能,要得到高温蠕变性能和抗劈裂均好的掺杂钨丝,使钾泡尺寸小而钾泡列分布又均匀是有益的。
- 李永洪徐炜刘安生邵贝羚
- 关键词：掺杂钨丝蠕变断裂劈裂原位观察高温蠕变形变
- TiSi_2薄膜的形成特性及TiSi_2/多晶硅复合栅结构的研究被引量：1
- 1989年
- 本文用反应生成和合金靶溅射两种方法生成了TiSi_2薄膜,并对其形成特性进行了研究,同时将所形成的TiSi_(?)薄膜应用于MOSFET和MOS电容的制作中.结合电学性反的测量和TEM(横截面)在位观察,研究了TiSi_2/多晶硅复合栅结构的特性,发现当多晶硅厚度小于某一临界值时,经高温炉退火后,SiO_2/Si界面将会产生许多新的界面在,SiO_(?)层中会产生缺陷.对离于注入和热扩散掺杂的两种样品,多晶硅层厚度的这个临界值几乎是相同的.根据我们的实验和分析结果,证实了在TiSi_2薄膜的形成过程中所引入的应力是产生上述现象的基本原因.
- 陶江赵铁民张国炳王阳元汪锁发李永洪
- 关键词：TISI2多晶硅MOSFET
