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郑彧

作品数:27 被引量:69H指数:5
供职机构:北京中材人工晶体研究院有限公司更多>>
发文基金:北京市科技计划项目国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 15篇专利
  • 11篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 14篇化学工程
  • 5篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电子电信
  • 1篇冶金工程
  • 1篇理学

主题

  • 11篇陶瓷
  • 9篇氮化
  • 7篇氮化硅
  • 5篇单晶
  • 4篇凝胶注模
  • 4篇注模
  • 4篇流延
  • 4篇晶体
  • 4篇晶体生长
  • 3篇单晶生长
  • 3篇多孔
  • 3篇多孔陶瓷
  • 3篇氧化锆
  • 3篇陶瓷粉
  • 3篇陶瓷基
  • 3篇陶瓷基片
  • 3篇金属
  • 3篇基片
  • 3篇二氧化锆
  • 3篇粉体

机构

  • 27篇北京中材人工...
  • 8篇中材人工晶体...
  • 4篇北京航空航天...
  • 4篇中材高新氮化...

作者

  • 27篇郑彧
  • 8篇张伟儒
  • 5篇张哲
  • 5篇王腾飞
  • 5篇韦中华
  • 4篇邹景良
  • 4篇李镔
  • 2篇彭珍珍
  • 2篇张跃
  • 2篇高崇
  • 1篇玄真武
  • 1篇王震
  • 1篇徐鹏
  • 1篇李辉
  • 1篇张微

传媒

  • 5篇硅酸盐通报
  • 3篇真空电子技术
  • 2篇人工晶体学报
  • 1篇新材料产业

年份

  • 3篇2024
  • 2篇2023
  • 6篇2022
  • 1篇2021
  • 6篇2020
  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
半导体用陶瓷绝缘基板成型方法研究被引量:2
2020年
陶瓷材料是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基板的重要材料体系。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。成型是陶瓷基板的制备过程的关键环节,也是陶瓷基板制备的难点。本文介绍了流延成型、凝胶注模成型和新型3D打印成型等几种基板成型方法,分析了不同成型方法的特点、优势及技术难点。介绍了了近年来国内外陶瓷基板成型的研究现状,并对其未来发展及应用进行了展望。
童亚琦郑彧袁帅张伟儒张哲
关键词:半导体流延凝胶注模3D打印
PMN-PT单晶与Ag电极共烧界面结构及扩散行为研究
2023年
采用丝网印刷工艺在PMN-PT弛豫铁电单晶晶片表面涂覆了中温及高温两种银浆,通过快速烧结工艺分别在650和850℃条件下制备了银电极。采用扫描电子显微镜观察银电极表面及金属-晶体界面的微观结构,采用能谱分析了界面的元素分布情况。银电极厚度为几十微米,呈多孔结构,与晶体结合良好。经过烧结后,晶体中的Pb、Nb、Ti等原子向银电极发生了迁移,而高温银浆烧结后在界面形成几微米厚的过渡层,晶体中原子向电极中的迁移大幅度减少。不同晶向的PMN-PT晶片在高温下向银电极扩散过程中具有很强的晶面效应,[110]方向晶体中Pb、Nb、Ti原子向电极中的扩散程度小于[100]方向晶体。
郑彧童亚琦李辉李辉张璇张微
关键词:PMN-PT原子扩散
一种弛豫铁电单晶材料晶体生长装置及制备方法
本申请实施例提供了一种弛豫铁电单晶材料晶体生长装置及制备方法,包括坩埚和炉体,炉体包括保温侧壁和设置在保温侧壁上的加热组件,保温侧壁限定出炉体内腔,加热组件包括第一加热构件、第二加热构件和第三加热构件,第一加热构件位于第...
李辉郑彧童亚琦王震代思江
一种制备高气孔率多孔陶瓷材料的方法
本发明涉及一种高气孔率多孔陶瓷材料,其特征在于,按重量份数计,由以下重量份数的原料烧结制得,水基溶液为44.4~76.5份,陶瓷粉体10~30份,分散剂为0.1~1份,造孔剂1~8份,陶瓷纤维1~6份,引发剂1~5份。本...
郑彧韦中华童亚琦张伟儒陈波李镔王子诚
氮化硅:未来陶瓷基片材料的发展趋势被引量:7
2016年
近年来,半导体器件正沿着大功率化、高频化、集成化的方向发展。大功率半导体器件在风力发电、太阳能光伏发电、电动汽车、LED照明等领域都有广泛的应用。可以说大功率半导体器件,是绿色经济的核“芯”。
张伟儒高崇郑彧
关键词:陶瓷基片BEAIN氮化硅四氮化三硅氮化物
一种氮化物陶瓷流延浆料及其制备的氮化物陶瓷基片
本发明涉及一种氮化物陶瓷流延浆料及其制备方法和应用。所述氮化物陶瓷流延浆料包括复合陶瓷粉体、混合溶剂、分散剂、增塑剂和粘结剂;其中所述粘结剂包括聚乙烯醇缩丁醛(PVB)和聚氯乙烯(PVC),聚乙烯醇缩丁醛和聚氯乙烯的质量...
郑彧童亚琦张伟儒韦中华张哲
一种弛豫铁电单晶材料晶体生长装置
本申请实施例提供了一种弛豫铁电单晶材料晶体生长装置,包括坩埚和炉体,炉体包括保温侧壁和设置在保温侧壁上的加热组件,保温侧壁限定出炉体内腔,加热组件包括第一加热构件、第二加热构件和第三加热构件,第一加热构件位于第二加热构件...
李辉郑彧童亚琦王震代思江
半导体器件用陶瓷基片材料发展现状被引量:15
2017年
陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景。阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望。
张伟儒郑彧李正高崇童亚琦
关键词:半导体氮化硅陶瓷热导率
多孔二氧化锆基隔热材料的制备及性能被引量:3
2020年
为制备高气孔率的隔热材料,采用水基凝胶注模法制备了多孔二氧化锆基陶瓷材料。研究了干燥方式、添加氧化铝粉体、固相含量、烧结温度等因素对多孔陶瓷气孔率、密度、微观形貌等的影响,对比了低温干燥、溶液置换干燥和真空冷冻干燥三种干燥方式对低固相含量凝胶注模湿坯干燥的影响。通过实时监测坯体在高温下的烧结影像及尺寸变化,研究了二氧化锆基陶瓷的烧结收缩行为,揭示了添加氧化铝粉体对二氧化锆基陶瓷烧结收缩的抑制作用机理。结果表明真空冷冻干燥是最佳干燥工艺。添加体积分数为32%氧化铝粉体的样品的烧结收缩相比未添加氧化铝粉体的样品减少近60%。通过对固相含量、烧结温度的调配,并结合适宜的干燥工艺及添加氧化铝等手段对坯体收缩进行控制,最终获得了气孔率达到74.44%,压缩强度为3.19 MPa的多孔二氧化锆基陶瓷材料。
郑彧韦中华张阳张跃童亚琦张伟儒
关键词:隔热材料多孔陶瓷二氧化锆凝胶注模
一种金属陶瓷复合材料的制备方法
本发明公开了一种金属陶瓷复合材料的制备方法。该方法包括:(1)将泡沫SiC陶瓷按照初级破碎、二级破碎和三级破碎的程序依次进行破碎,超声清洗,烘干,得尺寸为2mm‑15mm的椭球形SiC陶瓷块;(2)将步骤(1)得到的椭球...
郑彧童亚琦张跃宋国强张伟儒张哲
共3页<123>
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