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程卫东

作品数:9 被引量:15H指数:2
供职机构:西安微电子技术研究所更多>>
发文基金:教育部“春晖计划”更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 3篇低功耗
  • 3篇电路
  • 3篇动态阈值
  • 3篇阈值
  • 3篇模拟乘法器
  • 3篇基于动态阈值
  • 3篇功耗
  • 3篇乘法器
  • 2篇带隙基准
  • 2篇低压
  • 2篇温度系数
  • 2篇集成电路
  • 2篇NMOS
  • 1篇带隙基准电压
  • 1篇带隙基准电压...
  • 1篇带隙基准源
  • 1篇单位增益
  • 1篇单位增益带宽
  • 1篇低功耗设计
  • 1篇电机

机构

  • 9篇西安微电子技...
  • 4篇西北大学
  • 3篇西安电子科技...
  • 1篇西安科技大学

作者

  • 9篇程卫东
  • 4篇赵武
  • 4篇张志勇
  • 3篇朱樟明
  • 2篇王召
  • 1篇蒋敏
  • 1篇詹科
  • 1篇刘健
  • 1篇刘树林
  • 1篇李建玲
  • 1篇李帅
  • 1篇马云飞
  • 1篇王雷

传媒

  • 2篇电子技术应用
  • 1篇电子科技
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇微电子学
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 1篇2007
  • 1篇2005
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
基于非线性DAC的步进电机细分驱动IC的设计被引量:2
2005年
文章详细论述了步进电机细分驱动的原理,设计了一款基于非线性DAC的细分驱动集成电路。重点讨论了3位非线性DAC的原理、权电阻网络的选择和计算,并给出了实际电路。HSPICE仿真证明了设计方案和理论分析的可行性和正确性。
刘树林李建玲刘健程卫东
关键词:步进电机细分驱动集成电路
应用于开关电源的CMOS电流控制振荡器被引量:3
2009年
提出了一种结构简单的CMOS电流控制模式振荡器。该电路利用系统内部参考电压和外接电阻产生的电流信号对电容进行充放电,通过调节外接电阻大小,振荡器输出频率在660 kHz~4.15 MHz内可调。
詹科张志勇赵武蒋敏程卫东
关键词:振荡器CMOS
一种用于Buck DC-DC转换器的自适应斜坡补偿电路被引量:8
2010年
从斜坡补偿的基本原理出发,设计了一种用于Buck型DC-DC转化器的自适应斜坡补偿电路。该电路可以跟随占空比的变化,相应提供适当的补偿量,从而避免了因过补偿而引起的系统瞬态响应慢和带载能力低等问题。该电路基于标准0.6μm CMOS工艺设计,经Cadence Spectre验证达到设计目标。
李帅张志勇赵武程卫东
关键词:斜坡补偿自适应
一种轨对轨两级CMOS运算放大器的设计
2009年
目的设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器。方法输入级采用两对单一类型的n沟道差分对管作为输入管,用两个相同的n沟道源跟随器来完成输入电平的直流电平转移,实现了轨对轨的输入摆幅;输出级采用前馈甲乙类控制的轨对轨输出级,保证了轨对轨的输出摆幅和较强的驱动能力。结果用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该放大器进行了仿真,开环电压增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到了113.57dB,11.9MHz和53,°输入级跨导的变化在±5%内。结论所设计运算放大器其输入和输出摆幅为轨对轨,满足设计所提要求。
赵武马云飞王召程卫东张志勇
关键词:轨对轨单位增益带宽相位裕度
补偿式带隙基准电压源研究
采用双极工艺,实现了一种高精度基准电压源电路。通过计算和仿真,阐述了镜像电流补偿、分压网络补偿和be结二阶温度系数的补偿方法。将三者结合起来,设计了一种电源电压抑制比和温度稳定性良好的电压基准源芯片。通过实际投片,验证了...
程卫东赵明
关键词:模拟集成电路基准电压源温度系数芯片设计
±1.5V 1.37×10^(-6)/℃电流模式CMOS带隙基准源的分析与设计被引量:1
2007年
设计了电流模式曲率补偿的CMOS带隙基准源,基本原理是利用两个偏置在不同电流特性下的三极管,得到关于温度的非线性电流,补偿VEB的高阶温度项。用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该带隙基准源进行了仿真,结果表明在±1.5 V的电源电压下,输出基准电压为-1.418 55 V,-55~125℃较宽的温度范围内,输出电压的变化只有0.35 mV,有效温度系数达到1.37×10-6/℃。同时,带隙基准源具有较高的电源抑制比,在2 kHz下达到73 dB。
王召张志勇赵武程卫东
关键词:曲率补偿带隙基准源温度系数电源抑制比
一种基于动态阈值NMOS的1.2 VCMOS模拟乘法器
分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标优良的特...
程卫东朱樟明王雷
关键词:低功耗设计模拟乘法器动态阈值NMOS晶体管
一种基于动态阈值NMOS的1.2V CMOS模拟乘法器被引量:1
2011年
分析了以动态阈值NMOS晶体管作为输入信号的输入晶体管,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻设计和实现的一种1.2 V低功耗CMOS模拟乘法器电路。该电路具有节省输入晶体管数目、偏置晶体管和偏置电路,以及性能指标优良的特点。其主要参数指标达到:一、三次谐波差值40 dB,输出信号频带宽度375 MHz,平均电源电流约30μA,动态功耗约36μW。可直接应用于低功耗通信集成电路设计。
程卫东朱樟明王雷
关键词:模拟乘法器低压低功耗金属氧化物半导体
一种基于动态阈值NMOS管的1.2V模拟乘法器被引量:1
2011年
基于CSMC 0.6μm DPDM CMOS工艺进行设计,利用4个动态阈值NMOS和2个有源电阻实现了一种1.2V低功耗模拟乘法器电路,既节省了输入晶体管数目,又节省了偏置晶体管和偏置电路.1.2V模拟乘法器的输入信号VinA的频率为5MHz,信号峰峰值为1.0V,输入信号VinB的频率为100MHz,信号峰峰值为0.5V时,输出信号Vout的峰峰值为0.35V,一次谐波和三次谐波的差值为40dB.1.2V模拟乘法器输出信号的频带宽度为375MHz,平均电源电流约为30μA,即动态功耗约为36μW,适合于便携式电子产品和带宽要求不太高(400MHz以下)的场合.
程卫东朱樟明
关键词:模拟乘法器低压低功耗
共1页<1>
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