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任洋

作品数：14 被引量：3H指数：1
供职机构：云南师范大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国际科技合作与交流专项项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇探测率
  • 6篇掺杂
  • 5篇探测器
  • 5篇溅射
  • 5篇红外
  • 5篇红外探测
  • 5篇红外探测器
  • 5篇暗电流
  • 4篇硫化
  • 4篇非掺杂
  • 4篇INASSB
  • 3篇电池
  • 3篇致密
  • 3篇致密性
  • 3篇太阳电池
  • 3篇铜锌
  • 3篇晶格
  • 3篇分子束
  • 3篇分子束外延
  • 3篇薄膜太阳电池

机构

  • 14篇云南师范大学
  • 2篇中国科学院
  • 2篇中国科学技术...

作者

  • 14篇任洋
  • 13篇郝瑞亭
  • 13篇刘思佳
  • 11篇王书荣
  • 7篇郭杰
  • 2篇牛智川
  • 2篇徐应强
  • 2篇杨敏
  • 2篇王国伟
  • 2篇李志山
  • 2篇蒋志

传媒

  • 1篇云南师范大学...
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 5篇2016
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
PIN、NBP及NBN型InAsSb中波红外探测器光电性能研究被引量：1
2016年
系统探索了GaSb(001)衬底上InAsSb体材料的分子束外延生长和PIN型、NBP型及NBN型InAsSb单元单色红外探测器的制备工艺,并对其光学、电学等相关物理特性进行了研究对比.PIN型InAsSb单元探测器的R0A为224Ω·cm2(100K),77K下峰值探测率为3.6×1010cmHz1/2/W.NBN型和NBP型InAsSb单元探测器的R0A都达到了105Ω·cm2(100K)的量级,但NBN型比NBP型的R0A值更大,暗电流密度更低,77K下峰值探测率分别为8.5×101 2cmHz1/2/W和2.4×108cmHz1/2/W.最后制备完成了50%截止波长为3.8μm(PIN型)、3.4μm(NBP型)、2.6μm(NBN型)的InAsSb单元探测器.
任洋郝瑞亭刘思佳王国伟徐应强牛智川
关键词：分子束外延INASSB中波红外探测器
一种短波/中波/长波三波段红外探测器的制备方法
本发明公开了一种短波/中波/长波三波段红外探测器，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Te掺杂的GaSb缓冲层、n型InAs/GaSb超晶格接触层、M型In...
郝瑞亭任洋郭杰刘思佳赵其琛王书荣常发冉刘欣星
文献传递
一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法
本发明公开了一种铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法，该薄膜电池包括钠钙玻璃衬底、金属背电极钼（Mo）层、p型Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>吸收层、n型Cd<Sub>1-x</Sub>Zn<Su...
郝瑞亭刘思佳任洋赵其琛王书荣
文献传递
一种基于铟砷锑（InAsSb）材料的双色红外探测器的制备方法
本发明公开了一种基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器材料，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb...
郝瑞亭任洋郭杰刘思佳赵其琛王书荣常发冉刘欣星
文献传递
一种基于铟砷锑（InAsSb）材料的双色红外探测器的制备方法
本发明公开了一种基于InAsSb材料的短波/中波双色红外探测器材料，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb...
郝瑞亭任洋郭杰刘思佳赵其琛王书荣常发冉刘欣星
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一种三色红外探测器的制备方法
本发明公开了一种三色红外探测器的制作方法，其结构包括GaSb衬底、沉积于GaSb衬底上的外延结构、钝化层、金属电极，所述外延结构从下至上依次为Be掺杂的GaSb缓冲层、p型InAs/InAsSb超晶格接触层、未掺杂的In...
郝瑞亭任洋郭杰刘思佳赵其琛王书荣常发冉刘欣星
文献传递
一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
本发明涉及一种采用二元化合物靶逐层溅射制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜的方法，相比于传统的多靶(单质靶或单质靶与二元靶组合)分步溅射或多靶(单质靶或二元靶)共溅射的优点在于：本方法基于CZTS的形成机理2CuS + SnS=...
郝瑞亭刘思佳任洋赵其琛王书荣蒋志李志山杨敏陆熠磊
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低暗电流锑化物Ⅱ类超晶格红外探测材料的制备及相关基础研究
本文系统地研究了GaSb(001)衬底上InAs/InAsSb超晶格材料的分子束外延生长,在此之前,首先研究了低温GaSb薄膜缓冲层和InAsSb薄膜的生长。初步探索了InAsSb和InAs/InAsSb超晶格单元红外探...
任洋
关键词：分子束外延INASSB
一种铜锌锡硫靶材的制备方法
本发明制备一种铜锌锡硫薄膜太阳电池吸收层靶材，其特征在于，所述靶材中Cu：Zn：Sn：S的摩尔配比为2：1：1：4，其中，所述靶材为Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>相。本发明还提供所述靶材的...
郝瑞亭刘思佳任洋赵其琛王书荣
文献传递
一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
本发明涉及一种采用二元化合物靶逐层溅射制备铜锌锡硫(CZTS)薄膜的方法，相比于传统的多靶(单质靶或单质靶与二元靶组合)分步溅射或多靶(单质靶或二元靶)共溅射的优点在于：本方法基于CZTS的形成机理2CuS+SnS=Cu...
郝瑞亭刘思佳任洋赵其琛王书荣蒋志李志山杨敏陆熠磊
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