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张辉

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电子散射
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运性质
  • 1篇输运
  • 1篇输运性质
  • 1篇局域
  • 1篇局域效应
  • 1篇A-I

机构

  • 1篇天津大学

作者

  • 1篇李志青
  • 1篇张辉
  • 1篇杨洋

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
三维a-IGZO薄膜中的电子—电子散射
2016年
本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究.研究发现,所有a-IGZO薄膜中,载流子浓度均不随温度变化,高温区的电阻-温度系数为正,说明样品具有类金属导电特性.通过对薄膜低温磁电阻的测量,获得了电子退相干散射率与温度的关系.分析表明,薄膜中电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率,小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系.
张辉杨洋李志青
关键词:电子散射电子输运性质
共1页<1>
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