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张辉
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1
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供职机构:
天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室
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发文基金:
国家教育部博士点基金
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相关领域:
理学
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合作作者
杨洋
天津大学理学院天津市低维功能材...
李志青
天津大学理学院天津市低维功能材...
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三维a-IGZO薄膜中的电子—电子散射
2016年
本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)薄膜,并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究.研究发现,所有a-IGZO薄膜中,载流子浓度均不随温度变化,高温区的电阻-温度系数为正,说明样品具有类金属导电特性.通过对薄膜低温磁电阻的测量,获得了电子退相干散射率与温度的关系.分析表明,薄膜中电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率,小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系.
张辉
杨洋
李志青
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电子散射
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