张振普
- 作品数：14 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划上海市浦江人才计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器
- 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带...
- 朱忠赟珅宋禹忻李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
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- 一种二维锡烯材料的制备方法
- 本发明提供一种二维锡烯材料的制备方法，包括以下步骤：1)在单晶衬底上外延生长单层或多原子层的α‑Sn晶体薄膜，其中，所述单晶衬底与α‑Sn晶体薄膜通过sp<Sup>3</Sup>化学键相连；2)采用原子和/或离子和/或电...
- 宋禹忻王庶民张振普李耀耀张立瑶
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- 一种新颖的硅基GeSn悬空微结构
- 新型IV族半导体材料GeSn合金由于其带隙可连续变化,并可制作为与互补金属氧化物半导体CMOS工艺相匹配的硅基激光器,对其的研究在近几年来日趋火热.GeSn合金能带结构在Sn组分大于～6.5％-11％能够转变为直接带隙....
- 韩奕李耀耀宋禹忻张振普刘娟娟朱忠赟珅王庶民
- 关键词：晶格常数
- 一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法
- 本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预...
- 宋禹忻朱忠赟珅李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
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- GeSn薄膜的MBE生长和快速退火研究
- 锗锡(GeSn)合金由于带隙属性和大小可调以及高迁移率的特性,已经成为拓展当前硅基光电器件应用领域的潜力材料.锗本身是一种不利于发光的间接带隙半导体材料,但是,当向锗中加入锡后,能带结构将发生改变,并于锡组分达到7％时转...
- 张振普宋禹忻李耀耀朱忠赟珅吴晓燕韩奕陈其苗张立瑶王庶民
- 关键词：半导体薄膜分子束外延生长退火工艺
- 通过晶格失配调节有盖层张应变Ge量子点的光电特性
- 2018年
- 利用Ge与不同衬底形成的不同晶格失配度来调节有盖层的张应变Ge量子点的光电特性。通过有限元方法模拟并获得张应变Ge量子点内的应变分布,而后通过形变势理论和有效质量近似计算得到量子点的电子结构。与无盖层张应变Ge量子点相比,有盖层Ge量子点能保持更大的应变量。另外,随着量子点尺寸和晶格失配度的增大,导带Γ谷与导带L谷的能量差缩减,最终使Ge转变为直接带隙材料。直接带隙能量随着量子点尺寸的增大而减小。该研究结果表明张应变Ge量子点是制备包含激光器在内的Si基光源的理想材料,在未来光电子应用中有巨大潜力。
- 陈其苗宋禹忻张振普刘娟娟芦鹏飞李耀耀王庶民龚谦
- 关键词：量子点有限元
- 一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法
- 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚...
- 韩奕李耀耀宋禹忻朱忠赟珅张振普曹春芳王庶民
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- 探究GSMBE制备GaAsBi薄膜中生长条件对Bi浓度的影响
- 2017年
- 为了探究GaAsBi薄膜生长中生长条件与Bi浓度的关系,我们利用气态源分子束外延(GSMBE)技术,通过改变每个GaAsBi单层的生长温度、AsH_3压和Bi源温度,在半绝缘GaAs(100)衬底上生长GaAsBi的多层结构。通过二次离子质谱(SIMS)及透射电镜X光谱(EDX)测试得出:GaAsBi中Bi的浓度随着生长温度的升高而降低,且生长速率越慢表面偏析和再蒸发严重,可导致Bi浓度下降趋势更明显;Bi浓度随着AsH_3压的升高而减小,在As_2和Ga束流比在0.5~0.8之间几乎成线性变化,远不如固态源MBE敏感;此外,Bi源温度升高,Bi掺入的浓度也会增大,但是当生长温度大于420℃时,Bi就很难凝入。
- 崔健潘文武吴晓燕陈其苗刘娟娟张振普王庶民
- 关键词：气态源分子束外延生长温度
- 一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器
- 本发明提供了一种基于张应变Ge纳米线的有源区结构及激光器，该有源区结构包括第一势垒层、Ge纳米线和第二势垒层，所述Ge纳米线位于所述第一势垒层和所述第二势垒层之间。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带...
- 朱忠赟珅宋禹忻李耀耀韩奕张振普张立瑶王庶民
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- 一种三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法
- 本发明提供一种形变可控的三维GeSn微纳尺度悬臂结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：根据所需悬臂结构通过理论计算，设计GeSn薄膜的应力分布和厚度，进而设计所需生长的GeSn薄膜中Sn的组分及GeSn薄膜的厚...
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