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刘厚超

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：比亚迪汽车股份有限公司更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇导体
  • 1篇电极
  • 1篇掩膜
  • 1篇栅极
  • 1篇接触孔
  • 1篇金属
  • 1篇金属电极
  • 1篇沟槽
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体结构

机构

  • 1篇比亚迪汽车股...

作者

  • 1篇刘厚超
  • 1篇陈宇
  • 1篇唐翠

年份

  • 1篇2014
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
半导体结构及其形成方法
本发明提供一种利用沟槽工艺形成的半导体结构及其形成方法，通过设置与栅极沟槽连接的栅极引出沟槽，该栅极引出沟槽通过栅极接触孔与栅极金属电极接触，替代传统的栅极接触沟槽与栅极金属电极直接接触的结构，形成该半导体结构仅需要使用...
娄翠红刘厚超唐翠陈宇
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