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臧法珩
作品数:
4
被引量:1
H指数:1
供职机构:
上海交通大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
宿智娟
上海交通大学微纳科学技术研究院
丁桂甫
上海交通大学微纳科学技术研究院
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一种单侧非对称超表面结构及其制备方法
本发明涉及一种单侧非对称超表面结构及其制备方法,其中所述超表面结构包括:基底;以及位于所述基底上的一个或多个超表面结构单元,所述超表面结构单元为单侧经过不对称修饰的柱体,所述柱体包括圆柱或上表面为对称多边形的柱体。本发明...
宿智娟
崔东昱
臧法珩
一种侧壁集成纳米光学天线及其制备方法
本发明涉及一种侧壁集成纳米光学天线,包括基底;位于所述基底中的一个或多个微纳米孔;以及布置在所述微纳米孔的内壁的等离激元。本发明还涉及一种侧壁集成纳米光学天线的制备方法,包括:提供基底,并在基底上布置胶材;在胶材上形成微...
宿智娟
臧法珩
X波段RF MEMS开关线型移相器的研究
微波移相器在仪器、测量、功率合成器以及线性放大器等领域中,尤其是在相控阵雷达天线阵列中有广泛的应用。尽管相控阵天线阵列仍主要用于军用雷达和其他追踪平台,在近十年也出现了许多商业领域的应用:如在低地球轨道通讯卫星星座,碰撞...
臧法珩
关键词:
微波移相器
MEMS开关
有限元分析
文献传递
X波段移相器中低弹性系数RF-MEMS开关的研究
被引量:1
2010年
讨论了一种应用于X波段开关线型移相器中的新型低弹性系数RF-MEMS静电式开关的设计。通过对多臂梁式结构RF-MEMS开关的力学性能和电学性能进行有限元仿真和优化,开关的弹性系数为17.63 N/m。在10 GHz的工作频率下,此RF-MEMS开关驱动电压为36.5 V,移相器的插入损耗小于9 dB。
臧法珩
丁桂甫
宿智娟
关键词:
插入损耗
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