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张濛

作品数：99 被引量：0H指数：0
供职机构：西安电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 98篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 64篇电子电信
  • 3篇化学工程

主题

  • 41篇电极
  • 28篇势垒
  • 26篇势垒层
  • 21篇栅电极
  • 21篇刻蚀
  • 19篇沟道
  • 17篇栅宽
  • 14篇异质结
  • 14篇晶体管
  • 10篇散热
  • 10篇散热能力
  • 10篇迁移率
  • 10篇高线性
  • 9篇氮化镓
  • 9篇钝化层
  • 9篇金刚石
  • 9篇二极管
  • 9篇刚石
  • 8篇电阻
  • 8篇栅极

机构

  • 99篇西安电子科技...

作者

  • 99篇张濛
  • 95篇马晓华
  • 72篇杨凌
  • 67篇侯斌
  • 66篇郝跃
  • 59篇武玫
  • 29篇朱青
  • 7篇张鹏
  • 7篇王平
  • 6篇何云龙
  • 5篇王冲
  • 4篇吕玲
  • 3篇董洁
  • 3篇陈炽
  • 2篇李培咸
  • 1篇杨博文

年份

  • 17篇2024
  • 17篇2023
  • 34篇2022
  • 19篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
  • 4篇2016
共 99 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN HEMT器件与p型金刚石MOSFET的集成器件及其制备方法，包括：金刚石衬底层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、介质层、p型金刚石层和栅介质层；AlGaN势垒层上设置有第一源电极和第一漏电极以及第...
马晓华武玫李仕明杨凌张濛侯斌郝跃
文献传递
基于超临界流体处理工艺的多沟道HEMTs及制备方法
本发明涉及一种基于超临界流体处理工艺的多沟道HEMTs及制备方法，制备方法包括：在衬底层表面依次生长缓冲层、多沟道异质结结构和帽层，多沟道异质结结构包括层叠的至少两个二维电子气沟道结构；在靠近衬底层的二维电子气沟道上方制...
朱青郭思音陈怡霖张濛宓珉瀚祝杰杰马晓华
基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET及其制备方法
本发明公开了一种基于n型氧化镓和p型金刚石的垂直功率MOSFET，包括n<Sup>+</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>衬底层、n<Sup>‑</Sup>‑Ga<Sub>2</Sub>O<...
侯斌马晓华贾富春陈孝升杨凌张濛武玫郝跃
一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN低寄生钝化器件及其制备方法，该器件包括：衬底层；GaN外延层，形成于衬底层上；源电极，形成于GaN外延层上；漏电极，形成于GaN外延层上；第一钝化层，形成于GaN外延层上；第二钝化层，形成于第一钝化...
马晓华芦浩杨凌侯斌邓龙格陈炽武玫张濛郝跃
文献传递
基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法
本发明涉及一种基于栅下电场调制的高工作电压射频功率器件及制备方法，该器件包括：衬底层；缓冲层，位于衬底层上；沟道层，位于缓冲层上；源极，位于沟道层的一端；漏极，位于沟道层的另一端；插入层，位于沟道层上，且位于源极和漏极之...
张濛郭思音马晓华陈怡霖宓珉瀚朱青
一种基于GaN异质结材料的Fin-HEMT器件及其制备方法
本发明提供了一种基于GaN异质结材料的Fin?HEMT器件及其制备方法，器件包括衬底、异质结材料、Fin结构，以及栅金属，所述异质结材料设置在衬底上表面，Fin结构包括多个平行且间隔设置的Fin，栅金属设置在Fin结构上...
张鹏宓珉翰何云龙张濛马晓华郝跃
文献传递
一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法
本发明提供的一种N面GaN基CMOS器件及其制备方法，通过在Si衬底上外延生长GaN缓冲层以及p‑GaN/AlGaN/GaN异质结，通过光刻选区刻蚀固定区域的p‑GaN层，随即将p‑GaN刻蚀凹槽区用绝缘介质填充。完成上...
武玫牛雪锐侯斌杨凌张濛朱青王冲马晓华郝跃
一种n型氧化镓p型金刚石的MPS二极管及其制备方法
本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法，采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结，阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构，相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处...
武玫杨凌贾富春王雨晨侯斌张濛朱青马晓华郝跃
基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于p型掺杂金刚石散热层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括自下而上设置的衬底、GaN材质的缓冲层、势垒层、介质层以及顶部散热层，还包括：源电极、漏电极以及栅电极；其中，在水平方向上，所述...
马晓华程可武玫朱青张濛侯斌杨凌郝跃
文献传递
基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法
本发明公开了一种基于插指状复合金刚石层的GaN HEMT及制备方法；该GaN HEMT包括衬底、中间层和介质层；中间层包括势垒层和缓冲层；源、漏、栅电极穿过介质层与势垒层接触；中间层沿栅宽方向刻蚀有插指型凹槽，插指型凹槽...
武玫马晓华程可朱青张濛侯斌杨凌郝跃
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