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超声法制备碳量子点发光性能的影响因素分析被引量：4: 2017年; 超声法制备碳量子点过程简单,成本低廉,不易产生二次污染,应用前景广泛。为优化超声法制备碳量子点的各工艺参数,制备了关键工艺参数不同的碳量子点样品,测试其发射与激发光谱,分析了量子点浓度,溶剂种类,辅助剂种类、浓度,超声功率、时间等参数对碳量子点发光性能影响。结果表明超声法制备的碳量子点具有激发光波长依赖性,发射峰位置随激发波长的变化而发生明显改变;碳量子点浓度增加,发光强度由于非辐射能量传递和团聚作用,先增大后减小;由于溶剂效应,碳量子点在乙醇中比在水中发光强度更强,波长更短,且浓度越大时波峰移动越明显;相比盐酸,以NaOH为辅助剂制备的碳量子点表面钝化程度高,发光强度强;增加辅助剂NaOH浓度可提高量子点表面钝化程度,增大发光强度;同等时间下增加超声功率或同等功率下适量增加超声时间,可制备更多的碳量子点样品,但超声时间过长,碳量子点容易发生团聚猝灭现象。以上影响因素分析为超声法制备碳量子点的工艺参数优化提供了理论基础,有利于碳量子点大规模低成本的生产应用。; 任林娇张培齐汝宾殷婧刘帅张吉涛陈青华姜利英; 关键词：超声发射光谱影响因素

一种电写磁读磁电存储单元及制备方法: 本发明公开了一种电写磁读磁电存储单元及制备方法，涉及功能材料与信息技术领域，用以解决现有技术中的磁电存储单元，存在需要外加偏置磁场激发磁致伸缩材料的压磁效应，导致存储单元体积增加，信噪比降低，以及存储密度降低的问题。该存...; 张吉涛王晓雷杨倩袁帅郑晓婉任林娇赵红梅郭淑婷曹玲芝; 文献传递

一种基于石墨烯薄膜的增益可调控声表面波微陀螺仪: 本发明公开了一种基于石墨烯薄膜的增益可调控声表面波微陀螺仪，包括压电基片、声表面波谐振器和声表面波检测器；声表面波谐振器包括叉指换能器，在叉指换能器之间有金属点阵，在叉指换能器外侧有反射器和吸声胶；声表面波检测器包括对称...; 王晓雷张吉涛张庆芳葛新平郑晓婉曹玲芝; 文献传递

带有磁应变源的自调式GeSn红外探测器及其制备方法: 本发明公开了带有磁应变源的自调式GeSn红外探测器，包括：由下至上依次设置的衬底层、赝衬底层、驰豫层和n<Sup>+</Sup>型层；还包括应变源阵列和光吸收阵列、p<Sup>+</Sup>型金属接触阵列、探测第一电极和...; 张庆芳李康张吉涛王晓雷曹玲芝韩根全; 文献传递

一种具有高Q值的磁电回旋器: 本发明属于高效功率传输器件技术领域，公开了一种具有高Q值的磁电回旋器件，其由磁芯及均匀围绕在磁芯外围的铜质线圈构成，所述磁芯为在一层压电陶瓷矩形片的上下两侧分别通过环氧树脂胶黏结一层磁致伸缩矩形片构成三明治结构，所述磁致...; 张吉涛张庆芳朱威威陈冬雨李康王臻赵鹤伟曹玲芝; 文献传递

一种采用压电复合音叉的电流传感器研究被引量：2: 2018年; 针对当前非接触电流测量方式存在的灵敏度低、结构复杂等问题,本文提出了一种采用压电复合音叉的电流传感器用于非接触低频微弱电流测量,其结构由永磁体、弹性音叉、压电片及底座组成。当该传感器处于电线周围交变磁场中时,永磁体在磁场作用下产生扭矩并驱动弹性音叉臂及压电片产生形变;因压电效应,形变的压电片两端电极之间输出交变电压信号,从而实现电流的测量。由于磁扭矩效应,这种传感器具有较高的谐振灵敏度,大约是压电悬臂梁式电流传感器的4.0倍;在负载电阻为10 MΩ、频率为41.7 Hz时,灵敏度可达1.393 V/A,线性度约为0.57%。这种压电复合音叉式电流传感器模型还可以应用于微弱振动、磁场信号探测等。; 王英杨爱超周煦光刘见朱亮李敏吴宇张吉涛何伟; 关键词：压电效应永磁铁

一种荧光增强型适体传感器及其制备方法和应用: 本发明属于生物传感器技术领域，具体涉及一种荧光增强型适体传感器及其制备方法和应用。在荧光分子检测系统中引入金属纳米结构，修饰一定数量的碱基A的核酸适体通过巯基与金属纳米粒子结合，利用金属纳米粒子发生等离子共振提高荧光基团...; 任林娇姜利英张培王慰张吉涛曹玲芝姜素霞王延峰; 文献传递

基于GA-SVM的电能质量多扰动信号分类识别方法: 本发明公开了一种基于GA‑SVM的电能质量多扰动信号分类识别方法，首先采用基于改进的EEMD的HHT方法对各种电能质量复合扰动进行特征提取，即根据EEMD算法的特性，添加绝对值相等的正负高斯白噪声来降低噪声残余；利用概率...; 曹玲芝郑晓婉刘俊飞张吉涛王晓雷张庆芳赵乾坤; 文献传递

一种利用光子自旋霍尔效应测量纳米级薄膜厚度的方法: 本发明属于光学领域，涉及一种纳米级薄膜厚度的测量方法，特别是指一种利用光子自旋霍尔效应测量纳米级薄膜厚度的方法。步骤如下：建立不同材料、各薄膜厚度下，PSHE分裂位移随入射偏振态变化的理论数据库；选取一组入射偏振，使入射...; 秦自瑞姜利英任林娇张培姜素霞张吉涛王延峰; 文献传递

一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器: 本发明属于磁电传感器技术领域，涉及一种具有自放大能力的磁电薄膜传感器，所述磁电薄膜传感器由磁电复合材料与MOS管复合而成的多层异质结构及密绕在所述多层异质结构上下两侧的铜线圈构成，多层异质结构具体包括衬底层、本征层、n<...; 张吉涛李康张庆芳陶加贵武洁陈冬雨张培姜利英曹玲芝; 文献传递

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张吉涛