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关若飞

作品数：4 被引量：1H指数：1
供职机构：沈阳工业大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇压力敏感
  • 4篇压力敏感芯片
  • 4篇牺牲层
  • 4篇牺牲层技术
  • 4篇芯片
  • 3篇电路
  • 3篇电路工艺
  • 3篇应变电阻
  • 3篇集成电路
  • 3篇集成电路工艺
  • 2篇惠斯通电桥
  • 2篇SOI
  • 1篇有限元
  • 1篇有限元分析
  • 1篇汽车
  • 1篇汽车电子
  • 1篇刻蚀
  • 1篇过载能力

机构

  • 4篇沈阳工业大学

作者

  • 4篇关若飞
  • 3篇李新
  • 3篇关艳霞
  • 3篇揣荣岩
  • 3篇张晓民
  • 3篇刘一婷

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 2篇2016
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法
本发明公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电...
揣荣岩衣畅张晓民关若飞关艳霞李新刘一婷
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基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法
本发明公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片及其制造方法。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电...
揣荣岩衣畅张晓民关若飞关艳霞李新刘一婷
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基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片研究
压力传感器是微机电系统领域的重要器件之一,通过分析对比国内外MEMS压力传感器的发展现状,设计了基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片。并针对汽车电子领域,对器件的结构及参数进行了优化。首先,由于SOI材料是制作高温压力传感...
关若飞
关键词：牺牲层技术汽车电子有限元分析过载能力
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基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片
本实用新型公开了一种基于牺牲层技术的SOI压力敏感芯片。该芯片采用绝缘层上的单晶硅薄膜（SOI）材料制造，包括SOI的单晶硅衬底，SOI二氧化硅绝缘层作为牺牲层形成的腔体，在单晶硅薄膜上刻蚀隔离槽形成的四个应变电阻及其金...
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