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王沙龙

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：南京理工大学更多>>
相关领域：一般工业技术化学工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇溶剂
  • 6篇溶剂热
  • 6篇纳米
  • 6篇高纯
  • 6篇SUB
  • 4篇氧化钨
  • 4篇溶剂热法
  • 4篇热法
  • 3篇紫外探测
  • 3篇锡酸锌
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇电泳沉积
  • 2篇电致变色
  • 2篇电致变色薄膜
  • 2篇亚微米
  • 2篇氧化物
  • 2篇溶剂热法合成
  • 2篇溶剂热反应
  • 2篇弱光探测
  • 2篇三氧化钨

机构

  • 14篇南京理工大学

作者

  • 14篇王沙龙
  • 13篇邹友生
  • 10篇曾海波
  • 8篇董宇航
  • 6篇刘佳欣
  • 4篇宋秀峰
  • 1篇张亦弛

年份

  • 1篇2020
  • 3篇2019
  • 3篇2018
  • 5篇2017
  • 2篇2016
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种高纯高结晶性镓酸锌纳米球的制备方法
本发明公开了一种高纯高结晶性ZnGa<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>纳米球的制备方法。本发明以硝酸镓、醋酸锌和乙醇胺为前驱体，首先，将硝酸镓和醋酸锌溶解到去离子水中，使用磁力搅拌器均匀搅拌形成溶液；接着...
李小丹邹友生王沙龙黎乐轩李婉思
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一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法
本发明公开了一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法，将液相激光烧蚀方法与电泳沉积方法相结合，首先采用液相激光烧蚀技术在液相环境中通过激光烧蚀钨源靶材，获得高活性氧化钨纳米颗粒的胶体；然后在获得的胶体溶液中通过电泳沉积在透明...
邹友生窦康曾海波王沙龙董宇航
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一种亚微米羟基锡酸盐ZnSn(OH)&lt;sub&gt;6&lt;/sub&gt;立方块的制备方法
本发明公开了一种亚微米羟基锡酸盐ZnSn(OH)<Sub>6</Sub>立方块的制备方法。本发明采用液相激光烧蚀与溶剂热法相结合的方式，通过液相激光烧蚀浸没在溶液中的高纯金属靶材（锌靶和锡靶），获得高活性溶剂热前驱体，经...
邹友生董宇航曾海波王沙龙刘佳欣宋秀峰
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一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>的制备方法
本发明公开了一种可用于深紫外极弱光探测的高纯纳米结构ZnGa<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>的制备方法。ZnGa<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>带隙宽度为4.4‑4.7eV，具有优异的...
邹友生刘佳欣曾海波王沙龙刘舒婷
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一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法
本发明公开了一种纳米氧化钨电致变色薄膜的制备方法，将液相激光烧蚀方法与电泳沉积方法相结合，首先采用液相激光烧蚀技术在液相环境中通过激光烧蚀钨源靶材，获得高活性氧化钨纳米颗粒的胶体；然后在获得的胶体溶液中通过电泳沉积在透明...
邹友生窦康曾海波王沙龙董宇航
一种基于锡酸锌/石墨烯复合材料的紫外探测器及其制备方法
本发明公开了一种基于锡酸锌/石墨烯复合材料的紫外探测器及其制备方法。通过液相激光烧蚀联合水热法制备锡酸锌/石墨烯复合材料，并将其作为活性层材料构筑了锡酸锌/石墨烯紫外光电探测器。该复合材料的制备方法具有反应条件温和、产物...
邹友生张亦弛王沙龙
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一种高纯三元金属氧化物Zn<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>纳米晶的制备方法
本发明公开了一种高纯三元金属氧化物Zn<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>纳米晶的制备方法。三元金属氧化物Zn<Sub>2</Sub>SnO<Sub>4</Sub>具有高迁移率、电子传输速率，高理论容量...
邹友生董宇航曾海波刘佳欣王沙龙宋秀峰
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一种三氧化钨纳米片自组装成微纳米花球的制备方法
本发明公开了一种可控的由三氧化钨纳米片自组装成微纳米花球的制备方法。三氧化钨是一种n型宽禁带半导体氧化物，具有独特的物理和化学性能而被广泛应用于电致变色、智能显示、化学传感以及超级电容器等领域。本发明采用水热方法，以钨源...
邹友生董宇航曾海波王沙龙窦康
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一种亚微米羟基锡酸盐ZnSn(OH)<Sub>6</Sub>立方块的制备方法
本发明公开了一种亚微米羟基锡酸盐ZnSn(OH)<Sub>6</Sub>立方块的制备方法。本发明采用液相激光烧蚀与溶剂热法相结合的方式，通过液相激光烧蚀浸没在溶液中的高纯金属靶材（锌靶和锡靶），获得高活性溶剂热前驱体，经...
邹友生董宇航曾海波王沙龙刘佳欣宋秀峰
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一种可用于深紫外极弱光探测高纯纳米结构ZnGa<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>的制备方法
本发明公开了一种可用于深紫外极弱光探测的高纯纳米结构ZnGa<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>的制备方法。ZnGa<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub>带隙宽度为4.4‑4.7eV，具有优异的...
邹友生刘佳欣曾海波王沙龙刘舒婷
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