房迪
- 作品数：12 被引量：11H指数：3
- 供职机构：贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金贵州省自然科学基金贵州省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 光敏电阻的特性研究被引量：2
- 2016年
- 光敏电阻作为一种重要的光电转换元件,在自动控制、工业测量、家用电器等领域得到了广泛应用。本文介绍了光敏电阻的特性和主要参数,通过对不同实验条件下得到的特性数据进行分析,验证了光敏电阻的光照特性、伏安特性、光谱特性和延时特性。
- 刘栋谢泉房迪
- 关键词：光敏电阻伏安特性光谱特性延时特性
- 一种便携式便后清洗器
- 本实用新型公开了一种便携式便后清洗器，包括储水箱以及盖箱，在盖箱的一侧设置有进水口，在盖箱内设置有蓄电池，所述的蓄电池通过导线分别与盖箱上的加热开关以及出水开关连接，加热开关通过导线与设置在盖箱内的逆变器连接，逆变器通过...
- 谢泉廖杨芳王善兰房迪吴宏仙刘小军梁枫肖清泉张晋敏陈茜马瑞谢晶范梦慧黄晋章竞予
- 文献传递
- 一种智能车位锁
- 本实用新型公开了一种智能车位锁，包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒，所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接，在固定套筒的底部还设置有控制箱，在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单片机，所述的单片机分...
- 谢泉廖杨芳吴宏仙房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉张晋敏陈茜马瑞谢晶范梦慧黄晋章竞予
- 文献传递
- 掺杂对高锰硅化合物热电性质的影响
- 2015年
- 高锰硅化合物是一种环境友好型热电材料．是目前新技术领域的重点材料之一。然而为了提高其热电性能，目前许多研究者采用各种元素掺杂制备高猛硅化合物．并研究对其热电性质的影响，且在此方面已经获得相应的研究成果。文章对掺杂元素影响高锰硅化合物热电性质的物理机制进行了简单分析，总结了各位学者对掺杂元素制备的高锰硅化合物的热电性质探究。研究表明，掺杂会使高锰硅材料的电导率、热导率减小，赛贝克系数增大，进而增大其功率因子，提高热电优值，改善热电性质。
- 吴宏仙张晋敏房迪谢泉
- 关键词：热电材料掺杂热电性质
- Al掺杂半导体Mg_2Si薄膜的制备及电学性质被引量：3
- 2017年
- 采用磁控溅射方法和热处理工艺在Si衬底上制备了不同Al质量分数的Mg_2Si薄膜,研究了不同Al质量分数对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和四探针测试仪对Al掺杂Mg_2Si薄膜的晶体结构、表面形貌和电学性质进行表征和分析。结果表明:采用磁控溅射技术在Si衬底上成功制备了不同Al质量分数的Mg_2Si薄膜,样品表面表现出良好的连续性,在Mg_2Si(220)面具有择优生长性。随着质量分数的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,且在Al质量分数为1.58%时结晶度最好。此外,样品电阻率也随着Al质量分数的增加逐渐降低,表明Al掺杂后的Mg_2Si薄膜具有更好的导电性,这对采用Mg_2Si薄膜研制半导体器件有着重要的意义。
- 王善兰廖杨芳房迪吴宏仙肖清泉袁正兵谢泉
- 关键词：磁控溅射法AL掺杂电阻率晶体结构
- 一种智能车位锁及其控制方法
- 本发明公开了一种智能车位锁及其控制方法，该智能车位锁包括埋入地面的固定套筒以及设置在固定套筒内的升降筒，所述的升降筒与设置在固定套筒内的电机主轴连接，在固定套筒的底部还设置有控制箱，在控制箱内设置有与电机连接的电源以及单...
- 谢泉廖杨芳吴宏仙房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉张晋敏陈茜马瑞谢晶范梦慧黄晋章竞予
- 文献传递
- 一种新型热蒸发镀膜器及其使用方法
- 本发明公开了一种新型热蒸发镀膜器，其特征在于：圆台式垂直筒（304）下端连接支架（309），放置于镀膜器底盘上，圆台式垂直筒（304）下口直径大于挡板（305）直径及钨舟（307）的长度。通过对现有的热蒸发镀膜器进行改进...
- 谢泉吴宏仙张晋敏廖杨芳房迪王善兰刘小军梁枫肖清泉陈茜
- 文献传递
- 基于Mg2Si薄膜的光敏电阻研究
- 硅化镁（Mg2Si）被称为环境友好半导体材料，在光电器件、电子器件、能源器件领域具有重要的应用前景。本文采用磁控溅射方法分别在不同类型的Si基片上制备Mg2Si薄膜，研究Mg膜厚度对Mg2Si薄膜晶体结构、表面形貌及电阻...
- 房迪
- 关键词：晶体结构表面形貌磁控溅射光敏电阻
- 钠钙玻璃上Mg_2Si薄膜的制备及其电学性质被引量：4
- 2017年
- 采用磁控溅射技术和退火工艺在钠钙玻璃衬底上制备了Mg_2Si半导体薄膜,研究了Mg膜厚度对Mg_2Si薄膜结构及其电学性质的影响。在钠钙玻璃上分别溅射两组相同厚度(175nm)的P-Si和N-Si膜,然后在其上溅射不同厚度Mg膜(240nm、256nm、272nm、288nm、304nm),低真空退火4h制备一系列Mg_2Si半导体薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔效应测试仪对Mg_2Si薄膜的晶体结构、表面形貌、电学性质进行表征与分析。结果表明:采用磁控溅射技术在钠钙玻璃衬底上成功制备出以Mg_2Si(220)为主的Mg_2Si薄膜。随着沉积Mg膜厚度的增加,Mg_2Si衍射峰逐渐增强,薄膜表面更连续,电阻率逐渐减小,霍尔迁移率逐渐降低,载流子浓度逐渐增加。此外,Si膜导电类型和Mg膜厚度共同影响Mg_2Si薄膜的导电类型。溅射N-Si膜时,Mg_2Si薄膜的导电类型随着Mg膜厚度的增加由P型转化为N型;溅射P-Si膜时,Mg_2Si薄膜的导电类型为P型。可以控制制备的Mg_2Si半导体薄膜的导电类型,这对Mg_2Si薄膜的器件开发有着重要的指导意义。
- 房迪肖清泉廖杨芳袁正兵王善兰吴宏仙
- 关键词：钠钙玻璃膜厚磁控溅射
- 一种在非硅衬底上制备Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的方法
- 本发明公开了一种在非硅衬底上制备Mg<Sub>2</Sub>Si薄膜的方法，其特征在于：包含以下步骤：第一、在清洁的非硅衬底上沉积一层Si膜，然后在Si膜上沉积一层Mg膜；第二、退火工艺，沉积完成后的样品置于高真空退火炉...
- 谢泉廖杨芳肖清泉梁枫王善兰吴宏仙房迪张晋敏陈茜谢晶范梦慧黄晋章竞予
- 文献传递
