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In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As雪崩光电二极管的数值模拟研究被引量：1: 2016年; 建立了SACM型In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As雪崩光电二极管(APD)的分析模型,通过数值研究和理论分析设计出高性能的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As APD。器件设计中,一方面添加了In0.52Al0.48As势垒层来阻挡接触层的少数载流子的扩散,进而减小暗电流的产生;另一方面,雪崩倍增区采用双层掺杂结构设计,优化了器件倍增区的电场梯度分布。最后,利用ATLAS软件较系统地研究并分析了雪崩倍增层、电荷层以及吸收层的掺杂水平和厚度对器件电场分布、击穿电压、IV特性和直流增益的影响。优化后APD的单位增益可以达到0.9 A/W,在工作电压(0.9 Vb)下增益为23.4,工作暗电流也仅是纳安级别(@0.9 Vb)。由于In0.52Al0.48As材料的电子与空穴的碰撞离化率比In P材料的差异更大,因此器件的噪声因子也较低。; 李慧梅胡晓斌白霖李晓敏于海龙徐云宋国峰; 关键词：暗电流图像应用

一种高响应度雪崩光电二极管制备方法: 本发明公开了一种垂直型雪崩光电二极管及其制备方法。所述雪崩光电二极管的制备方法包括：刻蚀垂直台面至In<Sub>0.53</Sub>Ga<Sub>0.47</Sub>As牺牲层；钝化台面侧壁及上表面；腐蚀去除In<Sub...; 陈良惠李慧梅李晓敏李健于海龙宋国峰徐云; 文献传递

具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结...; 宋国峰吴浩越李健江宇于海龙付东徐云朱海军; 文献传递

InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品: 一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/In...; 宋国峰于海龙吴浩越徐云朱海军; 文献传递

InAs/InSb/GaSb/InSbⅡ类超晶格材料制造方法及产品: 一种InAs/InSb/GaSb/InSb II类超晶格材料的制造方法及由此得到的产品，该方法包括：准备衬底，作为外延层的载体；对所述衬底进行除气、脱氧处理；在所述衬底上外延生长缓冲层和80‑100个周期的InAs/In...; 宋国峰于海龙吴浩越徐云朱海军; 文献传递

具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法: 一种具有吸收增强结构的II类超晶格光电探测器及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在衬底上分子束外延生长形成一吸收增强层；在吸收增强层的上表面分子束外延生长形成一吸收层，吸收层为N结构II类超晶格结构；完成具有吸收增强结...; 宋国峰吴浩越李健江宇于海龙付东徐云朱海军; 文献传递

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于海龙