张骐
- 作品数：10 被引量：0H指数：0
- 供职机构：华中科技大学更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学交通运输工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品
- 本发明属于硫化镉晶体材料领域，并公开了一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品。该方法包括下列步骤：(a)选取反应容器，将其划分为上游区域、中心区域和下游区域，选取Cd源和S源，将二者分开独立置于上游区域；(b)...
- 张骐金宝周兴翟天佑
- 低维无机光电功能材料和微纳器件
- 无机光电功能材料是现代光电子学研究的物质基础,我们在低维无机光电材料的可控制备、结构和性能的关系以及高性能光电器件方面取得了具有特色的研究成果:(1)发展了多种构筑低维无机材料的新方法,探索了低维材料构筑的一般规律,实现...
- 翟天佑周兴郑志张骐许军旗
- 关键词：纳米材料光电器件结构性能关系
- 文献传递
- 一种二维纳米Ga<Sub>2</Sub>In<Sub>4</Sub>S<Sub>9</Sub>晶体材料的制备方法及产品
- 本发明公开了一种二维纳米Ga<Sub>2</Sub>In<Sub>4</Sub>S<Sub>9</Sub>晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硫和液态镓铟共晶合金为源物质，在衬底上沉积所需厚度的Ga<Sub>2<...
- 张骐高婷翟天佑
- 文献传递
- 弯折In2S3纳米线的合成及其光电性能的研究
- 近年来,针对一维纳米结构的形貌和性能调控引起了科研工作者的极大兴趣[1,2]。这里我们通过化学气相沉积(CVD)的方法,成功制备出高质量的弯折In2S3纳米线,并对其做了系统的研究。研究发现,弯折In2S3纳米线沿粗糙面...
- 熊兴张骐翟天佑
- 关键词：光电探测
- 一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品
- 本发明属于硫化镉晶体材料领域，并公开了一种制备非层状二维纳米硫化镉晶体材料的方法及产品。该方法包括下列步骤：(a)选取反应容器，将其划分为上游区域、中心区域和下游区域，选取Cd源和S源，将二者分开独立置于上游区域；(b)...
- 张骐金宝周兴翟天佑
- 文献传递
- 一种二维纳米SnSe<sub>2</sub>晶体材料的制备方法
- 本发明公开了一种二维纳米SnSe<Sub>2</Sub>晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe<Sub>2</Sub>晶体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中...
- 张骐周兴甘霖翟天佑
- 文献传递
- 低维光电材料结构与性能间演化关系的原位研究及性能优化(oral)
- 张骐周兴高婷熊兴王发坤金宝苏建伟
- 一种二维纳米Ga<Sub>2</Sub>In<Sub>4</Sub>S<Sub>9</Sub>晶体材料的制备方法及产品
- 本发明公开了一种二维纳米Ga<Sub>2</Sub>In<Sub>4</Sub>S<Sub>9</Sub>晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硫和液态镓铟共晶合金为源物质，在衬底上沉积所需厚度的Ga<Sub>2<...
- 张骐高婷翟天佑
- 弯折In2S3纳米线的合成及其光电性能的研究
- 近年来,针对一维纳米结构的形貌和性能调控引起了科研工作者的极大兴趣。这里我们通过化学气相沉积(CVD)的方法,成功制备出高质量的弯折InS纳米线,并对其做了系统的研究。研究发现,弯折In2S3纳米线沿粗糙面(220)生长...
- 熊兴张骐翟天佑
- 关键词：光电探测
- 文献传递
- 一种二维纳米SnSe<Sub>2</Sub>晶体材料的制备方法
- 本发明公开了一种二维纳米SnSe<Sub>2</Sub>晶体材料的制备方法，采用化学气相沉积法用单质硒和卤化锡在衬底上沉积所需厚度的SnSe<Sub>2</Sub>晶体；其中，沉积设备为水平管式炉，顺序设有上游低温区、中...
- 张骐周兴甘霖翟天佑
