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张庆伟
作品数:
12
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供职机构:
电子科技大学
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相关领域:
电子电信
自动化与计算机技术
天文地球
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合作作者
李平
电子科技大学
王刚
电子科技大学
李夏
电子科技大学
曾荣周
电子科技大学
廖永波
电子科技大学
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机构
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电子科技大学
作者
12篇
张庆伟
9篇
李平
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王刚
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廖永波
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曾荣周
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李夏
3篇
陈远富
年份
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2021
1篇
2020
2篇
2019
2篇
2018
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1篇
2010
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自对准石墨烯/黑磷晶体管结构的制备方法
自对准石墨烯/黑磷晶体管结构的制备方法,涉及半导体技术。本发明包括下述步骤:A、在衬底上形成氧化硅隔离层;B、在氧化硅隔离层上制备氧化硅槽;C、在氧化硅槽中填充栅电极材料;D、对基片作表面平坦化处理;E、对栅电极材料进行...
李平
王刚
张庆伟
陈远富
宋林财
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栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法
栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法,涉及微电子技术和半导体技术。本发明的栅极抽取和注入场效应晶体管在绝缘层上设置有源极、漏极、栅极和沟道半导体区,栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层,其特征在于,所述栅介质...
李平
廖永波
曾荣周
张庆伟
李夏
文献传递
栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法
栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法,涉及微电子技术和半导体技术,本发明包括下述步骤:1)施加第一栅电压,完成对沟道半导体中载流子的抽取,2)施加与第一栅电压相反极性的第二栅电压,并通过控制第二栅电压的幅度,控制注入...
廖永波
李平
曾荣周
张庆伟
李夏
栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法
栅极抽取和注入场效应晶体管及其沟道载流子控制方法,涉及微电子技术和半导体技术。本发明的栅极抽取和注入场效应晶体管在绝缘层上设置有源极、漏极、栅极和沟道半导体区,栅极与沟道半导体区之间设置有栅介质层,其特征在于,所述栅介质...
廖永波
李平
曾荣周
张庆伟
李夏
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MIMO-OFDM系统中信道估计算法研究与实现
本文主要是对MIMO-OFDM系统中信道估计技术的研究与实现。全文分为以下三个部分: 第一部分主要是对 MIMO-OFDM系统基本原理及信道特性进行研究。首先,对MIMO-OFDM系统的基本原理进行研究,然后对无线信道...
张庆伟
关键词:
信道估计
衰落特性
频谱利用率
石墨烯场效应晶体管的制备工艺与特性研究
随着硅器件按比例缩小越来越接近极限,人们都在考虑尝试新材料来代替硅的全部或部分功能,从而制备新的半导体器件。而石墨烯自2004年发现以来,由于其表现出了高硬度、高迁移率等优异的性能,很多研究者将其视为可以替代硅的候选材料...
张庆伟
关键词:
石墨烯晶体管
自对准结构
文献传递
栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法
栅极抽取和注入场效应晶体管载流子控制方法,涉及微电子技术和半导体技术,本发明包括下述步骤:1)施加第一栅电压,完成对沟道半导体中载流子的抽取,2)施加与第一栅电压相反极性的第二栅电压,并通过控制第二栅电压的幅度,控制注入...
廖永波
李平
曾荣周
张庆伟
李夏
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硅栅石墨烯/黑磷晶体管及制备方法
硅栅石墨烯/黑磷晶体管及制备方法,涉及半导体器件技术。本发明的晶体管包括衬底、栅电极、栅介质、源电极和漏电极,其特征在于,衬底上设置有隔离氧化硅层,隔离氧化硅层上设置有氧化硅槽,在氧化硅槽内设置有栅电极和栅介质,基底表面...
李平
王刚
张庆伟
陈远富
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自对准二维晶体材料场效应半导体器件及其制备方法
自对准二维晶体材料场效应半导体器件及其制备方法,属于半导体器件技术领域。本发明的半导体器件包括栅电极区、源电极区和漏电极区,其特征在于,还包括二维晶体材料层,所述二维晶体材料层连接源电极和漏电极,且跨过栅电极区的局部,二...
王刚
李平
张庆伟
低温靶干涉图像的数字图像处理研究
低温靶干涉图像,是使用干涉法表征在线低温靶获得的干涉图像。是ICF低温靶研究的重要内容之一。通过不同时刻的低温靶干涉图像,可以提取出低温靶靶盒内的燃料层分布,作为衡量低温靶质量以及改进制靶工艺的重要数据资料。 在在...
张庆伟
关键词:
数字图像处理
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