谭利文
- 作品数：6 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学化学工程更多>>
- 双异质外延SOI材料
- 谭利文
- 双异质外延SOI材料可为开发CMOS/SOI集成电路提供新的基础材料，为开发多层结构的立体电路创造条件。研究中开发了一台冷壁超低压MOCVD外延设备，采用MOCVD外延技术，利用三甲基铝（TMA）和N2O作为沉积反应源，...
- 关键词：
- 关键词：集成电路SOI材料双异质结构
- SOI结构γ-Al2O3/Si界面处碳、氧沾污处理和俄歇分析
- 本文主要讨论了在γ-Al<,2>O<,3>结构材料界面处出现的碳、氧沾污问题,经过相应工艺改进,做Si衬底清洁处理后,通过俄歇分析证明,取得良好的结果.
- 王俊谭利文邓惠芳王建华王启元
- 关键词：SOI材料俄歇分析
- 文献传递
- 单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用被引量：2
- 2002年
- 对 NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火 ,采用 Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律 .利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及 NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化 ,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨 .实验证实 NTD氢区熔单晶硅在 15 0～ 6 5 0℃范围内等时退火具有显著特点 :在 5 0 0℃下退火 ,出现电阻率极小值 ,即出现浓度很高的过量浅施主 ;P型向 N型转变温度为 4 0 0℃ ,迁移率恢复温度为 5 0 0℃ ,载流子恢复温度为 6 0 0℃ ,均明显低于 NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度 。
- 王启元林兰英王建华邓惠芳谭利文王俊蔡田海郁元桓
- 关键词：中子辐照退火辐照缺陷单晶硅氢
- 热退火γ-Al_2O_3/Si异质结构薄膜质量改进被引量：3
- 2002年
- 采用高真空 MOCVD外延技术 ,利用 TMA( Al( CH3) 3)和 O2 作为反应源 ,在 Si( 10 0 )衬底上外延生长γ-Al2 O3 绝缘膜形成 γ-Al2 O3/ Si异质结构材料 .同时 ,引入外延后退火工艺以便改善 γ-Al2 O3 薄膜的晶体质量及电学性能 .测试结果表明 ,通过在 O2 常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2 O3 外延层的残余热应力及孪晶缺陷 ,改善外延层的晶体质量 ,同时可以提高 MOS电容的抗击穿能力 。
- 谭利文王俊王启元郁元桓刘忠立邓惠芳王建华林兰英
- 关键词：热退火SOIMOCVD
- 新型硅基双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si制备
- 2003年
- 异质外延法是目前制备新型SOI材料的技术途径之一。采用低压化学气相沉积技术(LPCVD)在硅衬底上先外延γ-Al2O3绝缘单晶薄膜,制备出硅衬底上外延氧化物外延结构γ-Al2O3/Si(EOS),然后采用类似SOS薄膜生长的常压CVD(APCVD)方法在EOS上外延硅单晶薄膜,形成新型硅基双异质SOI材料Si/γ-Al2O3/Si。利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱(AES)及MOS电学测量等技术表征分析了Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100)SOI异质结构的晶体结构、组分和电学性能。测试结果表明,已成功实现了高质量的新型双异质外延SOI结构材料Si(100)/γ-Al2O3(100)/Si(100),γ-Al2O3与Si外延薄膜均为单晶,γ-Al2O3薄膜具有良好绝缘性能,SOI结构界面清晰陡峭,该SOI材料可应用于CMOS电路的研制。
- 王启元谭利文王俊郁元桓林兰英
- 关键词：SOI材料LPCVDAPCVD晶体生长EOS
- 双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长被引量：3
- 2003年
- 利用 MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和 APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在 Si(10 0 )衬底上成功地制备了双异质 Si/γ- Al2 O3/Si SOI材料 .利用反射式高能电子衍射 (RHEED)、X射线衍射 (XRD)及俄歇能谱 (AES)对材料进行了表征 .测试结果表明 ,外延生长的 γ- Al2 O3和 Si薄膜都是单晶薄膜 ,其结晶取向为 (10 0 )方向 ,外延层中 Al与 O化学配比为 2∶ 3.同时 ,γ- Al2 O3外延层具有良好的绝缘性能 ,其介电常数为 8.3,击穿场强为 2 .5 MV/cm.AES的结果表明 ,Si/γ- Al2 O3/Si双异质外延 SOI材料两个异质界面陡峭清晰 .
- 谭利文王俊王启元郁元桓邓惠芳王建华林兰英
- 关键词：SOIMOCVD
