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吕振亚

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇晶体
  • 2篇泡生法
  • 2篇炉盖
  • 2篇晶体生长
  • 2篇蓝宝
  • 2篇蓝宝石
  • 2篇隔热
  • 2篇隔热屏
  • 2篇隔热系统
  • 1篇氮化镓
  • 1篇氮化镓材料
  • 1篇堆垛
  • 1篇堆垛层错
  • 1篇体缺陷
  • 1篇热导率
  • 1篇位错
  • 1篇晶体缺陷
  • 1篇层错

机构

  • 3篇华中科技大学

作者

  • 3篇吕振亚
  • 2篇马千里
  • 2篇王森
  • 2篇方海生
  • 2篇罗显刚

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2016
  • 1篇2015
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
位错等晶体缺陷对氮化镓热导率的影响研究
作为宽禁带直接带隙半导体材料的典型代表，氮化镓材料被广泛应用于光学和电子器件领域。目前氮化镓材料主要通过异质衬底气相外延的方式制备，外延层和衬底之间的晶格不匹配以及氮化镓岛状生长模式中岛的融合，都会使氮化镓生长过程中伴随...
吕振亚
关键词：氮化镓材料堆垛层错热导率晶体缺陷
一种泡生法蓝宝石晶体生长炉
本发明公开了一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括炉体、坩埚、炉盖和籽晶杆，所述炉体为底端封闭的筒体，所述炉体内设有圆筒状的侧隔热屏，炉体内底部设置有底部保温层和支架，所述底部保温层的顶部放置有底部反射屏，所述支架上放置所述坩...
方海生王森尧青霞吕振亚罗显刚马千里
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一种泡生法蓝宝石晶体生长炉
本实用新型公开了一种泡生法蓝宝石晶体生长炉，包括炉体、坩埚、炉盖和籽晶杆，所述炉体为底端封闭的筒体，所述炉体内设有圆筒状的侧隔热屏，炉体内底部设置有底部保温层和支架，所述底部保温层的顶部放置有底部反射屏，所述支架上放置所...
方海生王森尧青霞吕振亚罗显刚马千里
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