您的位置： 专家智库 > >

申健

作品数：17 被引量：0H指数：0
供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 15篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 7篇图形化
  • 6篇刻蚀
  • 6篇蓝宝
  • 6篇蓝宝石
  • 5篇花篮
  • 5篇干法刻蚀
  • 5篇衬底
  • 4篇陶瓷
  • 4篇陶瓷材料
  • 4篇硅衬底
  • 3篇水冲洗
  • 2篇单晶
  • 2篇单晶表面
  • 2篇倒金字塔
  • 2篇倒金字塔结构
  • 2篇电池
  • 2篇电池效率
  • 2篇星形
  • 2篇掩膜
  • 2篇银纳米粒子

机构

  • 17篇哈尔滨工业大...

作者

  • 17篇申健
  • 15篇张丹
  • 15篇甘阳
  • 10篇张飞虎
  • 4篇庞春玲
  • 4篇朱玉蓉

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 4篇2016
  • 2篇2015
共 17 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法
六边角锥体图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作六边角锥体的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混合溶液A高温湿法刻蚀，...
申健张丹庞春玲张飞虎甘阳
文献传递
一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法
一种具有超低反射率微纳复合结构的黑硅衬底制备方法，本发明涉及低反射率黑硅衬底制备领域。本发明要解决现有硅衬底表面反射率高，导致太阳能电池效率低的问题。方法：利用Cu金属催化辅助的化学蚀刻法，采用CuNO<Sub>3</S...
张丹甘阳申健陈远东汪郑扬
文献传递
对称六角星形图形化蓝宝石的制备方法
对称六角星形图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作具备多种晶面的图形化蓝宝石衬底的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混...
申健张丹甘阳
α‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶表面SiO<Sub>2</Sub>掩膜的制作方法
α‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶表面SiO<Sub>2</Sub>掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO<Sub>2</Sub>掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO<Sub>2...
申健张丹庞春玲张飞虎甘阳
文献传递
采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法
采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，它涉及一种对SiC单晶进行抛光的方法。本发明是为了解决采用金刚石加工SiC，会造成表面损伤，很难达到亚纳米表面粗糙度的技术问题。本方法如下：一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面...
甘阳朱玉蓉张丹申健张飞虎
文献传递
一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法
一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法，本发明涉及一种倒八棱台形图形化硅衬底的制备方法。本发明的目的是为了解决目前干法蚀刻无法制备棱锥、棱台形图形化硅衬底以及难以蚀刻制备具有高指数晶面图形化硅衬底的问题，方法为：周期性二氧...
张丹陈远东甘阳申健冯志红张飞虎
文献传递
图形化蓝宝石衬底的酸蚀刻行为及其GaN和InGaN外延生长研究
高质量GaN和InGaN晶体的外延生长对于实现高性能射频、电力电子和光电器件具有重要意义。基于平片蓝宝石衬底，由卤化物气相外延（HVPE）生长制备的GaN厚膜或衬底存在表面龟裂、局部碎裂、形貌差和位错密度高等一系列亟待解...
申健
关键词：半导体材料
对称六角星形图形化蓝宝石的制备方法
对称六角星形图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作具备多种晶面的图形化蓝宝石衬底的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混...
申健张丹甘阳
文献传递
采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法
采用青蒿素晶体对陶瓷材料局部抛光的方法，它涉及一种对SiC单晶进行抛光的方法。本发明是为了解决采用金刚石加工SiC，会造成表面损伤，很难达到亚纳米表面粗糙度的技术问题。本方法如下：一、将青蒿素晶体均匀分散在解理的云母表面...
朱玉蓉张丹申健张飞虎甘阳
文献传递
α-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶表面SiO<Sub>2</Sub>掩膜的制作方法
α-Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>单晶表面SiO<Sub>2</Sub>掩膜的制作方法，它涉及一种单晶表面SiO<Sub>2</Sub>掩膜的制作方法。本发明是要解决光刻工艺制备SiO<Sub>2...
申健张丹庞春玲张飞虎甘阳
文献传递
全选 清除 导出
共2页<12>
聚类工具0