刘强
- 作品数：109 被引量：4H指数：2
- 供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金上海市自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法
- 本发明提供一种具有环栅结构的场效应晶体管的制备方法，包括：1)制备衬底结构，包括半导体衬底，半导体衬底中插入有介质牺牲层；2)定义器件区域，对器件区域进行阱掺杂，并器件区域外围形成隔离区；3)刻蚀介质牺牲层上方的半导体层...
- 俞文杰母志强刘强
- 具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法
- 本发明提供一种具有空腔结构的SOI衬底及其制备方法，制备方法包括：提供第一基底，在第一基底上形成第一牺牲层、第二牺牲层和侧墙结构，基于侧墙结构依次刻蚀出第一凹槽和第二凹槽，第二凹槽作为后续的空腔结构，将第一基底与第二基底...
- 俞文杰刘强
- 一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
- 本发明提供一种基于绝缘体岛上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，该CMOS器件结构包括：绝缘体岛上硅衬底，所述绝缘体岛上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管栅极的位置具有贯穿所述顶层硅及底层硅...
- 俞文杰刘强刘畅文娇王翼泽王曦
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- 基于二维CMOS的三维MRAM存储结构及其制作方法
- 本发明提供一种基于二维CMOS的三维MRAM存储结构及其制作方法，结构包括：第一存储层，包括CMOS电路基底、磁性隧穿结器件、源线金属层、字线金属层以及位线金属层；第一连接电路层，用以提供存储层的读写信号，并提供相邻两存...
- 刘强俞文杰陈治西刘晨鹤任青华赵兰天陈玲丽王曦
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- 一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法
- 本发明提供一种基于图形化绝缘体上硅衬底的CMOS器件结构及制备方法，包括：图形化绝缘体上硅衬底，所述图形化绝缘体上硅衬底包括底层硅、绝缘层以及顶层硅，且所述绝缘层对应于制备晶体管沟道的位置形成有凹槽，所述凹槽与底层硅之间...
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- 基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法
- 本发明提供一种基于绝缘体上硅衬底的射频电感元件及其制备方法，所述制备方法包括：1）制备绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括依次层叠的底层硅、绝缘层及顶层硅，所述绝缘层的下部于对应于制备射频电感元件的位置具有至少直至所述...
- 俞文杰费璐刘强刘畅文娇王翼泽王曦
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- 基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜
- 2021年
- 在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力。两种器件均采用杂质分凝技术制备,在源漏与沟道的界面形成了陡峭的杂质分布,TFET也因此具备陡峭的隧穿结。两种器件的载流子输运机制不同,因此温度对电流的影响也不同,此外,不同于MOSFET的单极导通行为,TFET由于源漏两端均为重掺杂,表现为强烈的双极导通行为。测试发现,由TFET构成的电流镜电路的电流传输比高达97%,高于一般的TFET电流镜和实验中用于对比的MOSFET电流镜,且TFET电流镜的输出阻抗较高,约1 MΩ。这为TFET的研发与简单应用提供了参考。
- 陈玲丽刘畅刘强刘强刘晨鹤朱宇波俞文杰
- 关键词：电流镜电流传输比
- 可降低对准难度的SOI器件及其制备方法
- 本发明提供一种可降低对准难度的SOI器件及其制备方法，制备方法包括：制备SOI复合衬底，其自下而上包括底半导体层、绝缘层以及顶半导体层，绝缘层中形成有多个间隔分布的空腔，顶半导体层覆盖所述空腔，绝缘层上和/或底半导体层中...
- 刘强俞文杰
- SOI衬底结构及其制备方法
- 本发明提供一种SOI衬底结构及其制备方法，包括：自下而上堆叠的衬底层、绝缘层和顶功能层，衬底层与绝缘层之间设置有中间隔离层，中间隔离层包括第一面、相对于第一面远离衬底层的第二面，以及自其第一面向第二面凸出的多个柱状支撑结...
- 刘强俞文杰
- 一种基于双层SOI的绝热定向耦合器及其制备方法
- 本发明涉及一种基于双层SOI的绝热定向耦合器及其制备方法，所述双层SOI衬底依次包括基底、埋氧层、第一波导层、第二埋氧层、第二波导层。基于双层SOI的绝热定向耦合器(ADC)，同时兼具超大带宽，低损耗，小尺寸的性能特点，...
- 刘翔甘甫烷赵瑛璇刘强常永伟
