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王波

作品数：64 被引量：3H指数：1
供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信理学金属学及工艺文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 53篇专利
  • 11篇期刊文章

领域

  • 23篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇理学
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 15篇晶体管
  • 15篇衬底
  • 14篇氮化镓
  • 11篇外延片
  • 10篇电极
  • 9篇氮化
  • 9篇势垒
  • 9篇场效应
  • 8篇半导体
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇氮化物
  • 7篇势垒层
  • 7篇迁移率
  • 7篇化物
  • 7篇掺杂
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇载流子
  • 6篇金属
  • 6篇晶格
  • 6篇高电子迁移率

机构

  • 64篇中国电子科技...
  • 5篇专用集成电路...
  • 2篇山东大学
  • 1篇河北工业大学
  • 1篇中国航天

作者

  • 64篇王波
  • 59篇房玉龙
  • 55篇尹甲运
  • 52篇张志荣
  • 43篇芦伟立
  • 40篇冯志红
  • 38篇李佳
  • 9篇陈宏泰
  • 7篇王静辉
  • 7篇袁凤坡
  • 7篇牛晨亮
  • 6篇宋旭波
  • 6篇刘波
  • 6篇潘鹏
  • 5篇周晓龙
  • 5篇顾国栋
  • 5篇郭艳敏
  • 3篇郝文嘉
  • 3篇王健
  • 3篇李帅

传媒

  • 8篇半导体技术
  • 3篇微纳电子技术

年份

  • 8篇2024
  • 4篇2023
  • 5篇2022
  • 9篇2021
  • 4篇2020
  • 9篇2019
  • 10篇2018
  • 4篇2017
  • 11篇2016
共 64 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
变温量子阱生长技术对蓝光LED发光效率的影响
2016年
采用金属有机物化学气相沉积,在2英寸(1英寸=2.54 cm)蓝宝石图形衬底上通过引入变温量子阱生长技术,生长出了具有三角形量子阱(TQW)结构的发光二极管外延片。对比不同生长温度下的样品,得出了最优化的具有三角形量子阱结构外延片的生长条件。通过比较常规恒温量子阱结构和三角形量子阱结构外延片的光致发光光谱,发现TQW结构具有更窄的半峰宽和更高的发光强度。这主要是由于TQW改变了量子阱中的波函数分布,使电子空穴对的复合效率提高。外量子效率从传统的59.38%提高到60.75%,比传统的恒温量子阱提高了1.38%。
袁凤坡王波潘鹏王静辉唐景庭
关键词：氮化镓发光二极管(LED)
一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法
本发明公开了一种氮化镓材料掺杂铁元素的方法，包括：在衬底上生长GaN材料，并在生长所述GaN材料时通入铁元素；达到第一预设条件时停止通入所述铁元素，开始通入三甲基铟；达到第二预设条件时结束生长所述GaN材料，并停止通入所...
尹甲运房玉龙王波张志荣郭艳敏李佳芦伟立冯志红
一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法和应用
本发明属于新型半导体技术领域，具体公开一种基于GaN材料的HEMT外延结构及其生长方法。本发明提供的外延结构，包括由下到上依次层叠的基底、InN层、缓冲层、第一帽层、插入层、势垒层和第二帽层；其中，所述缓冲层为In<Su...
张志荣于斌高楠王波房玉龙
一种金刚石衬底GaN外延方法
本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种金刚石衬底GaN外延方法。本发明通过在金刚石衬底上溅射生长AlN缓冲层，并形成AlN/金刚石模板，将AlN/金刚石模板进行退火处理，在退火后的AlN缓冲层上生长GaN外延层，其中，对...
王波房玉龙尹甲运张志荣高楠芦伟立李佳陈宏泰牛晨亮
用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料
本发明适用于氮化物材料制备方法技术领域，提供了一种用于氮化物外延材料的衬底预处理方法及外延材料。其中，用于氮化物外延材料的衬底预处理方法，在衬底上生长外延材料之前还包括以下步骤：将衬底设置在反应室内、并将衬底升温至700...
郭艳敏尹甲运李佳王波张志荣芦伟立 高楠房玉龙冯志红
文献传递
射频相变开关
本发明提供了一种射频相变开关，属于微波开关器件技术领域，自下至上依次包括：衬底、衬底隔离层、散热层、加热电阻、加热电阻隔离层、相变材料、钝化层、信号传输电路欧姆接触电极和加热控制电路欧姆接触电极，信号传输电路欧姆接触电极...
郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
文献传递
一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法
本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种高电子迁移率晶体管外延结构及其制备方法。所述外延结构从下到上依次包括衬底、In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>1‑x</Sub>N/GaN多量子阱层、GaN缓冲层和有源区。所述...
张志荣郭艳敏尹甲运王波高楠房玉龙冯志红
文献传递
一种HEMT外延结构及其制备方法
本发明涉及新型半导体技术领域，具体公开一种HEMT外延结构及其制备方法。本发明提供的方法包括在金刚石表面注入硅离子，然后经过退火得到SiC/多晶金刚石复合的退火基底，进一步生长GaN外延。采用本发明的制备方法能使得GaN...
高楠房玉龙王波张志荣尹甲运王浩然崔起源陈宏泰
一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化...
芦伟立房玉龙郝文嘉李帅王健高楠张志荣王波陈宏泰
增强型GaN场效应晶体管及其制造方法
本发明适用于半导体器件技术领域，公开了一种增强型GaN场效应晶体管及其制造方法，增强型GaN场效应晶体管自下而上依次包括衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层、复合盖帽层以及源电极、漏电极和栅电极，源电极与栅电极之间以及漏...
郭艳敏房玉龙尹甲运李佳王波张志荣芦伟立高楠王元刚冯志红
文献传递
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