朱敏
- 作品数：1 被引量：5H指数：1
- 供职机构：苏州大学电子信息学院更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- p-i-nInP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP探测器结构优化被引量：5
- 2016年
- 利用半导体仿真工具Silvaco对p-i-n InP/In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP近红外光探测器进行优化仿真.参考实际器件对红外探测器进行建模,并将其暗电流、光谱响应仿真结果与实验结果进行拟合,保证仿真结果的有效性.以减小探测器的暗电流为目的,优化其结构.针对探测器吸收层厚度和吸收层掺杂浓度对暗电流、光响应的影响进行研究,发现当吸收层厚度大于0.3μm后,暗电流不再上升,但光响应随着吸收层厚度的增加而增大;当吸收层掺杂浓度不断上升时,器件暗电流不断降低,当掺杂浓度上升到2×1017/cm3时,暗电流达到最低值.本文还研究了p-i-n型探测器的瞬态响应,探究了响应速度与反偏电压之间的关系,发现提高反偏电压能减小探测器响应时间.
- 朱敏陈俊吕加兵唐恒敬李雪
- 关键词：INGAAS/INP暗电流光响应瞬态响应
