刘立娜
- 作品数：9 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>
- Si_3N_4钝化层质量分析研究被引量：1
- 2009年
- 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝化层质量与工艺的关系。通过大量分析实验,确定了器件失效的重要原因是Si3N4钝化层存在缺陷而导致器件因表面漏电而失效。实验结果表明,将Si3N4钝化层中SiOx含量控制在10%以下,器件管壳内水分控制在1%以下,器件经过1 000 h电老化后芯片表面无生成物产生。
- 丁丽严如岳何秀坤李宝珠李雨辰何友琴马农农章安辉刘立娜
- 关键词：氮化硅钝化层生成物
- GaN单晶中Mg含量的SIMS定量分析方法
- 2020年
- GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,在其单晶材料的研制过程中,掺杂剂Mg的含量对生长p型GaN有重要影响,所以对Mg浓度的精确测定至关重要。采用相对灵敏度因子法,以离子注入样品为参考样品,对GaN单晶中Mg元素含量的二次离子质谱(SIMS)定量分析方法进行了研究,并通过改变扫描面积,使GaN单晶中Mg元素浓度的检测限达到5.0×1015 cm-3。该方法具有高稳定性(精密度小于10%)和可靠性,在没有可溯源参考样品的情况下,可自制参考样品实现对GaN晶体中Mg含量的SIMS定量分析。该方法成为GaN单晶中Mg杂质含量的可行的检测方法之一。
- 何友琴马农农陈潇张鑫刘立娜
- 关键词：氮化镓镁
- 钨带冷弯时断裂原因分析被引量：3
- 2011年
- 钨带在90°弯曲时发生断裂,通过分析发现,断裂钨带碳含量偏高,断口处分层并呈蜂窝式片状形貌,断口附近金相组织也显示出明显的带状组织,断口处组织呈纤维状,断口为脆性断口。建议将材料含量控制在0.0050%以下,在90°弯曲时加热,加热温度在650～800℃,以降低钨带的脆性,增加弯曲时的韧性,提高成品率。
- 丁丽刘立娜周智慧蔺娴章安辉李剑
- 无氧铜密封件漏气原因的金相显微分析被引量：2
- 2010年
- 用于电真空器件密封用的无氧铜在使用中漏气,利用金相显微技术对不同氧含量的无氧铜进行对比分析,发现:无氧铜中氧含量偏高,出现"氢病",造成微裂纹,导致无氧铜在使用过程中出现漏气。
- 丁丽章安辉李宝珠周智惠刘立娜
- 关键词：无氧铜微裂纹
- 覆金属箔板样品制备方法研究
- 2024年
- 覆金属箔板是印制电路板最主要的基础材料之一,其性能指标对电子产品的使用有直接影响。其中,体积电阻率与表面电阻率是衡量覆金属箔板绝缘性能优劣的重要参数。为了减小样品制备工艺对试样体、表电阻率准确测试带来的影响,着重探讨了5种常见的工艺方法,热转印图形法制成的样品的电极尺寸精准、价格低廉且成功率高,在一般实验室也容易实现。经过对该方法制成的试样的体、表电阻率进行测试,分析测试结果,验证了该制样方法可靠、可行。
- 史留学刘立娜董彦辉李继爽刘国龙赵志鹏刘巧会于艺杰
- 关键词：印刷电路板体积电阻率表面电阻率
