汪蔚
- 作品数：16 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：机械工程电子电信一般工业技术电气工程更多>>
- X波段MEMS环行隔离滤波芯片被引量：3
- 2021年
- 设计并制备了一种X波段微电子机械系统(MEMS)环行隔离滤波芯片,该芯片以高阻硅作为衬底材料,由2个MEMS环行器、1个薄膜匹配电阻以及1个MEMS滤波器四部分优化集成在一起,实现多功能芯片化。相比传统环行隔离器外接滤波器,其具有优良的电磁兼容及带外抑制能力,同时具有尺寸小、内部匹配好、易于调试装配等特点。基于MEMS环行器及MEMS滤波器的设计理论,结合三维电磁仿真软件,实现环行隔离滤波芯片的仿真设计。芯片整体尺寸为10 mm×10 mm×2.5 mm,频率为8.5~11.5 GHz,带内回波损耗>20 dB,收发通道的带外抑制>25 dB@7 GHz&13 GHz。
- 李志东汪蔚杨拥军周嘉翟晓飞
- 关键词：环行器隔离器多功能芯片
- X波段Si基片集成脊波导MEMS环行器
- 2024年
- 基于波导传输理论设计并制备了一款Si基片集成脊波导(RSIW)微电子机械系统(MEMS)环行器,该环形器以高阻硅作为衬底材料,采用高精度三维MEMS加工工艺制备而成。通过在基片集成波导(SIW)结构中添加脊梁结构,形成RSIW传输结构,使传输主模TE10模的截止频率比矩形波导TE10模的低,从而实现相同频率下更小的器件尺寸。同时,通过电磁仿真软件对射频匹配和磁场分布进行了精确的建模仿真,完成了Si基片集成脊波导MEMS环行器的仿真设计。制备了尺寸为6 mm×6 mm的环行器样品并进行了测试,结果验证了仿真设计的准确性,其工作频率为8~12 GHz,回波损耗大于20 dB,隔离度大于18 dB,插入损耗小于0.5 dB。实现优良微波特性的同时,相比于常规的SIW结构环行器尺寸缩小了20%左右。
- 汪蔚李志东田松杰高纬钊刘博达
- 关键词：环行器高阻硅
- 4~6 GHz高谐波抑制MEMS环行耦合器被引量：2
- 2023年
- 目前通信系统向小型化、高性能、集成化的趋势快速发展,对射频(RF)组件的体积和电性能提出苛刻要求。而环行器、耦合器等作为射频最前端的无源元件,直接影响射频组件的体积和电性能。利用微电子机械系统(MEMS)技术设计了一款环形耦合器,一方面将环行器和耦合器进行无源集成,具有内部匹配良好、易于装配、尺寸小等优势;另一方面发射损耗的主要谐波被抑制。环行耦合器的工作频率是4~6 GHz,尺寸为8 mm×10 mm×2.5 mm,带内插入损耗小于0.85 dB,带内隔离度大于17 dB,带内电压驻波比(VSWR)小于1.35,耦合度为(22±0.5)dB,8~8.5 GHz的抑制度大于9 dB,8.5~18 GHz的抑制度大于20 dB。
- 翟晓飞汪蔚周嘉武亚宵高纬钊
- 关键词：环形器耦合器集成无源元件谐波抑制
- 基于硅基磁性材料衬底的环形器
- 本实用新型公开了一种基于硅基磁性材料衬底的环形器，涉及环形器技术领域。包括上下两层堆叠在一起的硅基磁性材料衬底，每层硅基磁性材料衬底的上下表面制作有金属图形，每层硅基磁性材料衬底中设有贯穿性通孔，通孔金属化后，将硅基磁性...
- 汪蔚祁飞杨志杨拥军王伟强
- 文献传递
- X波段MEMS硅腔折叠基片集成波导环行器芯片
- 2024年
- 通信系统向小型化、高性能、集成化的快速发展对射频组件的体积和电性能提出了苛刻的要求。设计了一种X波段硅腔折叠基片集成波导(FSIW)环行器芯片。当基片集成波导(SIW)工作于主模时,将中央的对称面等效为虚拟磁壁,沿着窄边对电磁场进行多次折叠,形成FSIW。以该技术作为设计思路,提高空间利用率,实现了FSIW整体结构的小型化。将FSIW的优势融入环行器中心结设计,使设计的环行器芯片具有高功率容量、低插入损耗、体积小、质量轻的优点。基于微电子机械系统(MEMS)工艺,以高阻硅为衬底材料,制备了该硅腔FSIW环行器芯片,芯片整体尺寸为6.5 mm×6 mm×2.5 mm,工作频率为8.5~11.5 GHz,回波损耗>18.5 dB,带内插入损耗<0.4 dB,隔离度>20 dB。
- 高纬钊杨拥军汪蔚翟晓飞周嘉
- 关键词：环行器射频组件
- 硅基磁性材料衬底制备方法
- 本发明公开了一种硅基磁性材料衬底制备方法，涉及采用微电子机械加工技术制作硅基磁性材料衬底的方法技术领域。所述方法包括如下步骤：1）对底层单晶硅片进行双面抛光处理；2）使用光刻及反应离子刻蚀工艺在底层单晶硅片的上表面进行刻...
- 杨志汪蔚胡小东杨拥军徐永青胥超
- 文献传递
- Ku频段Si基异质集成MEMS表面贴装型环行器被引量：3
- 2019年
- 随着现代电子技术的发展,通信收发系统趋向小型化,对射频前端的环行器提出了小型化的迫切需求,微电子机械系统(MEMS)环行器与传统环行器相比具有尺寸小、精度高、功率高的优势。创新性地提出了一款基于MEMS工艺的可表面贴装使用的环行器,最终尺寸为6 mm×6 mm×2.6 mm,工作频率为14~18 GHz,器件损耗小于0.65 dB,隔离度大于18 dB,电压驻波比小于1.4,满足用户需求;与传统微带环行器相比,其具有精度高、一致性好、可批量化生产等特点,同时通过金属化通孔实现微波信号垂直传输,避免出现金丝/金带键合使用时的匹配复杂等难题,在通信和雷达收发组件领域有着广泛应用。
- 汪蔚翟晓飞李倩杨拥军
- 关键词：表面贴装环行器
- 硅腔体MEMS环行器的设计与制作被引量：5
- 2017年
- 设计制作了一种基于MEMS工艺的硅腔体环行器。该环行器以高阻硅为衬底材料,基于基片集成波导(SIW)技术的传输理论,采用体硅MEMS工艺和低损耗金属化技术实现了硅通孔及通孔金属化的制备。设计并仿真优化了硅腔体MEMS环行器结构,给出了一套硅腔体MEMS环行器制备的工艺流程,针对该工艺流程方案进行了关键参数的工艺误差仿真。实现了中心频率为13 GHz MEMS环行器的工艺制作和性能测试,频带内插损小于0.5 dB,电压驻波比(VSWR)小于1.25,隔离度大于20 dB,环行器尺寸仅为11.0 mm×11.0 mm×2.5 mm,远小于对应的波导腔体环行器。
- 李倩汪蔚杨拥军杨志
- 关键词：环行器
- MEMS陀螺仪测试方法
- 本标准规定了MEMS陀螺仪参数的测试环境、测试设备和仪器的一般要求，以及参数测试目的、测试框图、测试原理、规定条件、测试步骤和计算方法。本标准适用于MEMS陀螺仪的标度因数、标度因数非线性、标度因数重复性、零偏、零偏稳定...
- 王帆杨拥军李博李倩李丽霞董晓亮许鹏汪蔚
- 全屏蔽硅基腔体MEMS双工器
- 2023年
- 基于三维高精度微电子机械系统(MEMS)加工工艺,研究了一种全屏蔽硅基腔体MEMS双工器的设计及制备方案。简要分析了关于平行耦合线滤波器的相关设计原理,采用λ/4平行耦合线设计两通道滤波器,结合T型匹配网络实现双工器的设计。该双工器以双层高阻硅片作为衬底材料,采用MEMS工艺制备接地通孔,以提高双工器的隔离度及电磁兼容特性。设计的双工器发射通道工作频率为9~10 GHz,接收通道工作频率为11~12 GHz,最终制备出尺寸为7 mm×7 mm的双层硅基双工器,发射及接收通道的回波损耗≤-18 dB,两个通道之间的隔离度约为-30 dB。测试结果与仿真结果吻合较好,为硅基MEMS微系统的集成设计提供技术支撑。
- 祁飞李志东汪蔚
- 关键词：双工器平行耦合线隔离度
