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文献类型

  • 15篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇电路
  • 3篇组件
  • 2篇电气
  • 2篇电气设计
  • 2篇射频
  • 2篇射频电路
  • 2篇图生成
  • 2篇装配过程
  • 2篇装配图
  • 2篇自动设计
  • 2篇自动生成
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  • 2篇净化器
  • 2篇空气净化
  • 2篇空气净化器
  • 2篇仿真
  • 2篇BOM
  • 2篇CATIA

机构

  • 16篇中国电子科技...
  • 1篇成都海威华芯...

作者

  • 16篇刘文
  • 2篇吴仲礼
  • 2篇李华
  • 2篇吴媺民
  • 2篇陈勇波
  • 1篇杜锐锋
  • 1篇赵伟刚
  • 1篇孔欣
  • 1篇高阳
  • 1篇蔡雪芳
  • 1篇李阳阳
  • 1篇李佳

传媒

  • 1篇太赫兹科学与...

年份

  • 7篇2024
  • 6篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2016
  • 1篇2015
16 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种集中式作战仿真系统及其服务的组件化构建方法
本发明提供一种集中式作战仿真系统及其服务的组件化构建方法,所述构建方法,包括:配置仿真系统的服务,包括服务管理器、模型管理器、根据仿真系统的功能构建实现的服务以及根据需要进行扩展的服务;所述服务管理器配置为整个仿真系统的...
朱兵刘文王萌李华邹小虎彭正超李佳宋悦刚李紫鹏孙榕
基于电气连接标准数据模型的原理图快速生成方法和系统
本发明公开了基于电气连接标准数据模型的原理图快速生成方法和系统,涉及电气设计技术领域,本发明的方法为:配置系统运行所需的底层数据、文件、路径;读取外部标准数据文件,并进行文件内容检查与数据解析,为原理图生成提供输入数据;...
李紫鹏王萌孙榕韩小亮刘珏先朱兵彭正超刘文刘虎
一种电气设计接线图的快速设计方法及系统
本申请公开了一种电气设计接线图的快速设计方法及系统,该方法应用于AutoCAD平台,该方法将带有图块信息的装配图导入AutoCAD平台并对装配图的相关属性进行设置,根据装配图、装配图的相关属性以及电气特性连接表对图块信息...
刘珏先李紫鹏杨帅孙榕漆小华刘文王萌邹小虎
一种基于PBOM的维修实例BOM构建方法
本发明提供一种基于PBOM的维修实例BOM(即单台套产品的维修BOM)构建方法,包括:获取产品的PBOM结构;所述PBOM结构包括BOM结构和物料基本信息;重构BOM结构的物料层级关系;裁剪或增加BOM结构;定义BOM结...
江兰兰邓洪波刘文邹小虎李紫鹏
一种产品装配过程螺纹连接质量预测方法
本发明提供一种产品装配过程螺纹连接质量预测方法,包括:对产品工艺流程进行分析,对影响产品装配质量的关键工序进行识别,分析螺纹连接的工作参数对产品装配质量的重要影响;确定螺钉安装过程中最优工艺参数范围,并在保证螺钉安装过程...
孙新月金涛漆中华杜小东刘文秦希佳彭杰俞利马广喜
一种基于MBOM驱动的变更实施过程控制方法
本发明公开了一种基于MBOM驱动的变更实施过程控制方法,包括如下步骤:获取变更对象和在制品项目批次信息;构建并发布变更MBOM;分析并发布MBOM差异;订单级变更影响评估;处置在制品;变更实施闭环。本发明的有益效果:本发...
江兰兰刘文邓洪波邹小虎
电路板设计与结构设计协同智能设计系统、介质及装置
本发明提供一种电路板设计与结构设计协同智能设计系统、介质及装置,所述系统采用软件实现,包括三维建模模块、电路板设计模块、热特征数据生成与读取模块、设计更新与比对模块、力/热仿真模块和标准格式设计文件输出模块。本发明提供的...
彭正超朱兵李紫鹏李华王萌刘文邹小虎
便携式空气净化器
1.本外观设计产品的名称:便携式空气净化器。;2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品主要用途为净化空气等。;3.本外观设计产品的设计要点:产品外部形状等。;4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图。;后视图无...
刘文陈勇波吴媺民
文献传递
一种基于MBOM的替代物料BOM构建方法
本发明提供一种基于MBOM的替代物料BOM构建方法,包括:步骤1,建立替代关系数据库信息;步骤2,获取项目MBOM结构,与替代关系数据库关联查询、获取替代物料信息;步骤3,替代MBOM结构上物料,构建包含替代物料的BOM...
江兰兰邓洪波刘文邹小虎王萌陈威
一种HEMT器件可缩放的非线性紧凑模型
2019年
提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型。该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一元函数拟合、二元曲面拟合方法,对其尺寸缩放和温度缩放规律进行修正。修正后的非线性模型可以准确地模拟HEMT器件的直流I-U、S参数和大信号特性。并将该模型应用于一款0.25μm栅长的GaAs pHEMT工艺,对比不同尺寸的器件在高低温条件下模型仿真结果和实测结果,两者吻合良好,验证了该模型的准确性。
陈勇波刘文汪昌思孔欣赵佐
关键词:高电子迁移率晶体管非线性模型
共2页<12>
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