马骥
- 作品数：16 被引量：4H指数：1
- 供职机构：常州大学更多>>
- 发文基金：江苏省自然科学基金国家自然科学基金江苏省高等学校大学生实践创新训练计划项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术机械工程轻工技术与工程更多>>
- 一种表面具有六角密堆排列的三维纳米凸起的多孔阳极氧化铝模板的制备方法
- 本发明涉及一种多孔阳极氧化铝模板的制备方法。解决了传统多孔阳极氧化铝的孔洞排列方式单一和非传统多孔阳极氧化铝制备成本高昂，制备复杂而不适于大面积生产的技术问题。该制备方法包括：清洗铝箔并进行电化学抛光处理；将传统多孔阳极...
- 郎咸忠马骥苏江滨蒋美萍王旭东史雅莉
- 一种易检修的可旋转变压器
- 本发明公开了一种易检修的可旋转变压器，包括：上铁芯，其上绕设有第一线圈，所述第一线圈上端设置有一对第一接线柱；下铁芯，其上绕设有第二线圈，所述第二线圈下端设置有一对第二接线柱；底座，其设置有一对固定支座和一对升降支座，所...
- 王旭东马骥徐守坤
- 文献传递
- 一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法
- 本发明公开了一种非晶纳米线与多孔薄膜的原位可操控键合方法，将纳米线分散到具有多孔薄膜结构的透射电镜（TEM）样品上，之后放入TEM中，选取自由端突出到多孔薄膜孔洞中的纳米线片段，在TEM的观察下按“纳米线削尖—纳米线弯钩...
- 苏江滨吉高峰王智伟马骥何祖明唐斌蒋美萍
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- 一种金属电阻率Cu/Cu<Sub>2</Sub>O半导体弥散复合薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种金属电阻率Cu/Cu<Sub>2</Sub>O半导体弥散复合薄膜及其制备方法，目的是提供一种具有金属级电阻率和太阳窗口半导体带隙的Cu/Cu<Sub>2</Sub>O弥散复合薄膜及其制备方法。本发明采用平...
- 苏江滨王旭东马骥刘阳蒋美萍唐斌
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- 基于写入型光盘反射式相位光栅的衍射特性被引量：1
- 2020年
- 对基于一次性写入型光盘的反射式相位光栅的微观结构和背向衍射特性进行研究。利用简单地剥离普通光盘的方法,获得了光栅常数分别为1524,751,335 nm的自制聚碳酸酯相位光栅。分别对这3种自制光栅的背向衍射特性进行比较分析,发现CD-R和DVD-R光栅的衍射光谱在可见光区域,而BD-R相位光栅的衍射光谱在近紫外区域;CD-R相位光栅存在叠级现象,并且衍射级次越大,角分辨率越大;这3种光栅的衍射光谱的各个衍射峰与偏向角呈现近似线性关系,并且随着光栅常数的减小,同级衍射光谱角分辨率增大,最大角分辨率为0.333(°)/nm。另外,当入射光波长大于光栅常数波长时,DVD-R和BD-R相位光栅相当于亚波长光栅,仅存在0级衍射波。
- 郎咸忠吴钦马骥唐斌苏江滨蒋美萍
- 关键词：相位光栅衍射角分辨率
- 利用光电检测技术分析光栅衍射被引量：1
- 2020年
- 本文利用光电检测技术对光盘光栅的衍射特性进行研究.实现了对分光范围、衍射光强分布、衍射叠级、自由光谱范围、衍射角与衍射光波长的线性度、角分辨率和光栅常数等光栅参数的观测和计算.该实验结果与衍射理论结果一致.该方法在一定程度上弥补传统光栅实验的不足,有利于增进本科生对大学光学中衍射光栅的认识.
- 郎咸忠吴钦马骥唐斌苏江滨蒋美萍
- 关键词：衍射光栅光电检测
- 一种表面增强拉曼散射活性基底的制备方法
- 本发明涉及纳米结构的制造领域，特别涉及一种表面增强拉曼散射活性基底的制备方法。本发明解决了表面增强拉曼散射活性基底制备方法的技术问题。该制备方法包括：I、利用两步氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；II、利用磁控溅射技术将银沉...
- 郎咸忠马骥苏江滨蒋美萍王旭东史雅莉
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- 一种绒面化CuO复合结构薄膜及其制备方法
- 本发明公开了一种绒面化CuO复合结构薄膜及其制备方法，选取表面具有绒面结构的Si片作为衬底放入磁控溅射镀膜设备，并将Si片衬底为绒面结构的一侧对准铜靶放置，同时施加直流衬底偏压，在真空腔室中进行溅射，在Si片表面沉积一层...
- 苏江滨王智伟马骥何祖明郎咸忠唐斌蒋美萍
- 文献传递
- 模板法制备有序金纳米帽SERS活性基底及其在水产品违禁药痕量检测中的应用
- 2018年
- 利用多孔阳极氧化铝(PAA)膜的阻挡层为模板制备出高度有序的金纳米帽阵列,继而用作大面积、低成本的表面增强拉曼散射(SERS)活性基底,对水溶液中痕量结晶紫(CV)和孔雀石绿(MG)进行检测。考察了制备PAA时的阳极氧化电压对金纳米帽阵列微观形貌和SERS信号强度的影响。结果表明,以40 V电压阳极氧化所得PAA为模板制备的基底的SERS增强因子最高可达1.6×10~4,点与点的SERS特征峰强相对标准差为8.9%,且检测极限低至10^(-8) mol/L。这一简便方法有望被应用于水产品中违禁药物的痕量检测。
- 史雅莉郎咸忠马骥蒋美萍
- 关键词：多孔阳极氧化铝金水产品表面增强拉曼散射
- 金属电阻率Cu/Cu_2O半导体弥散复合薄膜的制备及其偏压效应被引量：2
- 2016年
- 采用平衡直流磁控溅射技术,通过改变衬底偏压在玻璃衬底上制备了Cu/Cu2O 弥散复合薄膜,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、四探针测试仪和紫外-可见分光光度计等进行表征与分析.研究发现,Cu/Cu2O 弥散复合薄膜表现出金属和半导体双特性,其电阻率范围为（5.23-9.98）×10^-5 Ω·cm,禁带宽度范围为2.23-2.47eV.同时,研究还发现衬底偏压对Cu/Cu2O 弥散复合薄膜的形貌、结构、电学和光学性能都产生了较大的影响,特别是当衬底偏压为-100V时薄膜样品的表面最为致密,结晶程度最好,电阻率最低,禁带宽度最窄.进一步地,对平衡磁控溅射过程的偏压效应进行了分析,并提出了两种区别于传统轰击和再溅射作用的新机制.
- 刘阳马骥唐斌蒋美萍苏江滨周磊
- 关键词：磁控溅射电阻率禁带宽度
