吴志强
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国科学技术大学物理学院物理系更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- Au、Al/a-Si:H热退火行为研究被引量：1
- 1989年
- 本文借助改进的干涉增强喇曼散射技术、AES分析和高温金相显微镜在位观察研究了Au、Al/a-Si∶H系统的真空热退火行为.发现受金属复盖的a-Si∶H的晶化温度和其激活能均比未复盖的a-Si∶H要低得多;a-Si∶H上的Al-Si互溶温度也比C-Si上的低,并且该互溶作用在350℃退火后加剧;Al诱导的a-Si∶H晶化后,在表面上有一连续的低阻Si(Al)析出层,它可Al/a-Si∶H的肖特基结转为欧姆结.
- 金澍刘洪图赵特秀吴志强沈波许振嘉
- 关键词：非晶硅金属诱导晶化热退火
- Pd/a-Si:H界面反应研究
- 1990年
- 本文使用IERS(干涉增强喇曼散射),TEM和SIMS等方法研究了Pd/a-Si:H界面反应的热退火行为,发现Pd/a-Si:H界面在室温下形成非晶互混层;经160℃退火,形成晶态Pd_2Si相,比Pd/c-Si界面反应温度低;经500℃退火,未与Pd反应的非晶硅出现晶化现象。本文还观察了界面反应过程中氢的行为,发现由于界面反应,导致a-Si:H中的氢在较低温度下就开始释放。
- 沈波赵特秀刘洪图吴志强金澍许振嘉
- 关键词：硅化物喇曼散射TEM法
- 用喇曼光谱方法研究注钕硅单晶中损伤层的温度特性
- 1989年
- 本文报道了用喇曼光谱方法研究了注钕硅单晶中损伤层的温度特性。用硅520cm^(-1)特征峰的相对强度,来唯象地描述注入损伤层的无序度、折射率,消光系数等数参随退火温度的变化关系。发现550—600℃是消除损伤的最佳退火温区,并与方块电阻法所得结果进行了比较。
- 黄春晖刘洪图金怀诚吴志强许存义
- 关键词：硅单晶喇曼光谱法损伤层钕
- 非晶硅PIN太阳能电池在强光照射下的光电转换现象
- 1991年
- 用两种不同波长、不同功率的单色光作为激发光源,研究非晶硅PIN太阳能电池的光电特性,测试并计算了有关数据,发现在高功率强光照射下,PIN太阳电池光电转换呈现一种异常的现象,对此作了理论解释。
- 马玉蓉周强吴志强
- 关键词：非晶硅太阳能电池光电转换PIN
