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基于无源集成器件的电流传感器及其制备方法: 本发明公开了基于无源集成器件的电流传感器及其制备方法，涉及微电子技术领域，该硅基板包括硅基板，硅基板贯穿有穿插待测导线的第一通孔，围绕第一通孔环设的多个第二通孔；各个导线柱之间通过互联线相连形成罗氏线圈的传感结构；硅基板...; 许潘孙翔宇安宁杨振中周泉丰

一种全硅基双面集成结构及其制备方法: 本发明公开了一种全硅基双面集成结构，该结构包括：位于顶层的硅桥、位于中间层的双面器件和TSV芯片、位于底层的硅转接板；其中双面器件和TSV芯片的上表面均与硅桥下表面通过微凸点实现机械及电气互联，下表面均与硅转接板上表面通...; 张翔鸥孙翔宇安宁邓泽佳

一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法: 本发明属于太赫兹高频器件技术领域，公开了一种制作高频GaN基薄膜肖特基器件的外延结构及工艺方法，外延结构为结构一或结构二：结构一包括衬底、缓冲层、电流扩展层、GaN牺牲层和肖特基有源层；电流扩展层与GaN牺牲层间形成低电...; 安宁曾建平李倩谭为; 文献传递

AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作: 2018年; 基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_（1-x）层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。; 李倩李倩安宁曾建平唐海林唐海林李志强; 关键词：ALGAN/GAN 空气桥太赫兹

一种GaN基异质结变容管装置及其外延结构: 本发明提供了GaN基异质结变容管装置及其外延结构，旨在解决现有的倍频器件以金属和半导体形成的肖特基接触为基础，导致功率特性较差的问题。GaN基异质结变容管装置，包括由GaN基材料制作的衬底、高阻缓冲层、第一层重掺杂导电层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种GaN基SBD变频电路及其制作方法: 本发明属于太赫兹高频器件和集成电路制备领域，公开了一种GaN基SBD变频电路，包括基于金刚石衬底的电路和基于垂直电极的GaN基SBD器件，所述基于金刚石衬底的电路从下至上依次包括衬底、第一层金属、第二层金属、第一层介质层...; 曾建平安宁李倩谭为; 文献传递

一种制备部分覆盖侧面电极的方法: 本发明公开了一种制备部分覆盖侧面电极的方法，属于光电子技术领域。步骤包括：A．第一次清洗干燥，B．第一次光刻，C.第一次刻蚀，D．第二次清洗干燥，E．沉积钝化层，F．第二次光刻，G．第二次刻蚀，H．沉积电极，I．腐蚀，J...; 王文杰谢武泽李舒啸安宁李倩曾建平; 文献传递

一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法: 本发明公开了一种基于电极自对准的半导体器件及其制作方法，首先在第二掺杂层背离衬底一侧形成一对应收集极区的自对准电极，以自对准电极为掩膜对衬底上的外延结构进行刻蚀，得到收集极区相应的台面，由于自对准电极与第二掺杂层结合强度...; 苏娟石向阳李倩王丁安宁曾建平谭为; 文献传递

一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法: 本发明公开了一种利用斜蒸发加工薄膜结构的方法，本发明属于薄膜结构处理技术领域，包括清洗步骤、覆胶步骤、曝光步骤、显影步骤、镀膜步骤和剥离步骤，是一种利用斜蒸发处理薄膜结构的方法，以实现微纳尺寸特定、参数可控的侧面薄膜的蒸...; 王文杰李舒啸谢武泽安宁李倩曾建平; 文献传递

TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法: 本发明公开了一种TSV转接板兼容的薄膜电阻式温度和应变传感集成方法，该方法包括：在制备TSV转接板过程中根据预设位置预留出传感器布置位置以及与传感器引出端互联的端口位置；在制备完成的TSV转接板上预留的传感器布置位置制备...; 安宁曹林炜王月兴孙翔宇周泉丰

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安宁