王伟华
- 作品数：34 被引量：23H指数：3
- 供职机构：哈尔滨工业大学更多>>
- 发文基金：国家杰出青年科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：化学工程文化科学一般工业技术电气工程更多>>
- 基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法
- 基于复合结构样品台提高金刚石异质外延大尺寸形核均匀性的方法，本发明属于化学气相沉积法异质外延单晶金刚石生长领域，它为了解决现有难以实现异质衬底大尺寸高密度外延形核的难题。提高金刚石异质外延形核均匀性的方法：一、将复合结构...
- 朱嘉琦王伟华房诗舒代兵舒国阳韩杰才
- 文献传递
- 金刚石辐射伏特效应同位素电池器件研究进展被引量：3
- 2022年
- 微机电系统、深空、深海探测任务等对于长效、便携电源提出了更高的要求。同位素电池由于其能量密度高、功率输出稳定,可以在高低温、无太阳光照等极端环境下持续不断地为月球车、海底探测器等提供能量。作为同位素电池中的主要类型,辐射伏特效应同位素电池由于其理论能量转换效率高、易于微型化被广泛研究,并已经成功应用于心脏起搏器。宽禁带的半导体换能结器件制作的同位素电池能够获得更高的能量转换效率。宽禁带半导体中的代表金刚石具有5.5 eV的禁带宽度与耐辐射的特性,使其成为制作辐射伏特效应同位素电池换能结器件的最佳选择。随着化学气相沉积技术的发展,金刚石晶体的外延技术突飞猛进,为金刚石半导体器件的发展打下了材料基础。本文对比了常见的同位素电池换能结用半导体材料和辐射源材料的特性,介绍了辐射伏特效应的基本原理,接着对辐射伏特效应同位素电池的关键参数进行了分析,并汇总了有关金刚石辐射伏特效应同位素电池研究的文献,通过各个参数,如开路电压、转换效率等的对比,指出了目前金刚石同位素电池发展的状态与存在的问题。通过分析金刚石与其他n型半导体材料组成的异质pn结目前的性能与应用情况,给出了基于金刚石异质pn结的高性能同位素电池的结构设计,并进行了总结与展望。
- 刘本建张森郝晓斌文东岳赵继文王伟华刘康曹文鑫代兵杨磊韩杰才朱嘉琦
- 关键词：金刚石肖特基器件开路电压
- 一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法
- 一种金刚石位置灵敏探测器的制备方法，本发明属于探测器领域，它要解决现有二维位置灵敏探测器的电极作用单一，相邻电极间空隙大的问题。制备方法：一、将单晶CVD金刚石置于沸腾的混酸浴内处理，得到清洗后的金刚石；二、将掩膜板固定...
- 代兵朱嘉琦王伟华刘康韩杰才
- 文献传递
- 降低异质外延偏压阈值的方法
- 降低异质外延偏压阈值的方法，它为了解决BEN工艺为获得合适外延形核率时偏压阈值较大的问题。降低偏压阈值的方法：一、在衬底上蒸镀一层铱薄膜，然后进行退火处理，衬底的背面和侧面沉积金膜，得到Ir复合导电衬底；二、对CVD腔体...
- 朱嘉琦王伟华杨世林代兵韩杰才
- 异质外延单晶金刚石的研究进展被引量：5
- 2020年
- 单晶金刚石具有优异的力、声、热、光、电等性质,而异质外延工艺是制备大尺寸单晶金刚石的一种重要手段.本文以CVD工艺所采用的c-BN、Pt、Si、SiC、Ir复合衬底等不同类型异质衬底为主线,以国内外开展该研究的代表性团队所取得主要成果为基础,对该领域多年来的发展历程、最新进展开展评述,主要涉及偏压增强形核技术及晶种处理后高温退火技术等高密度外延金刚石形核工艺及机理,基于台阶流动和向错形成机理的织构生长晶界湮灭过程与工艺调控,横向外延过度生长和离轴衬底生长等用于位错密度降低的工艺等内容,并在最后对该领域的未来发展做出展望.
- 王伟华代兵王杨舒国阳刘本建赵继文李一村刘康房诗舒杨世林杨磊韩杰才朱嘉琦
- 关键词：单晶金刚石大尺寸
- 金刚石肖特基同位素电池及其制备方法
- 金刚石肖特基同位素电池及其制备方法，本发明属于微能源领域，它为了解决现有同位素电池的抗辐射损伤强度以及能量转换效率较低的问题。本发明金刚石肖特基同位素电池从上至下依次由放射源、电池肖特基电极、本征金刚石层和P型金刚石层形...
- 朱嘉琦刘本建代兵刘康薛晶晶王伟华舒国阳高鸽赵继文杨磊韩杰才
- 文献传递
- 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法
- 一种利用聚焦离子束技术消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法，本发明涉及消除单晶金刚石籽晶表面缺陷的方法。本发明要解决现有的MPCVD生长中籽晶表面由于激光加工和抛光不完善导致的表面缺陷富集，进而影响外延生长金刚石质量的问题。...
- 朱嘉琦舒国阳代兵杨磊刘雪冬李一村刘康孙明琪王杨赵继文姚凯丽刘本建王伟华薛晶晶韩杰才
- 文献传递
- 电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法
- 电子束蒸镀工艺制备外延单晶金刚石用Ir(111)复合衬底的方法，本发明为了解决现有技术中难以在α‑Al<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>上获得(111)晶面Ir外延层的技术问题，制备方法：一、对α‑Al<...
- 代兵朱嘉琦王伟华王杨舒国阳韩杰才
- 文献传递
- 单晶金刚石异质外延生长过程中的位错行为及其控制工艺研究进展被引量：2
- 2021年
- 位错是异质外延单晶金刚石合成过程中的重要线缺陷,而降低位错密度是金刚石在电子器件领域上应用的显著挑战。本文以降低Ir衬底上异质外延金刚石膜中位错密度为目标,首先对该过程中的位错产生、类型、表征等进行阐释,然后从理论与工艺相结合的角度总结了加剧位错反应(增加外延层厚度,偏轴衬底生长)、除去已有位错(横向外延过度生长,悬挂-横向外延生长,图形化形核生长)及其他方法(三维生长法、金属辅助终止法、采用金字塔型衬底法)在降低金刚石位错密度方面的最新进展,随后结合经典的大失配异质外延半导体体系降低位错的理论,提出了衬底图形化技术、超晶格缓冲层技术和柔性衬底技术等可通过抑制引入位错来进一步降低位错密度的研究方向,最后对本领域的发展现状和未来展望进行了总结。
- 王伟华王杨舒国阳房诗舒韩杰才代兵朱嘉琦
- 关键词：单晶金刚石
- 交会对接仿真系统视觉测量方法研究与实现
- 两个航天器在空间实现交会对接是一项高难度航天技术,而测量技术更是交会对接过程中的关键技术。本文自行设计并实现了空间交会对接软硬件模拟系统,着重研究了视觉测量中的摄像机标定,图像特征提取,位置和姿态测量等关键技术。
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- 王伟华
- 关键词：交会对接视觉测量特征点提取
- 文献传递
