您的位置： 专家智库 > >

赵昕

作品数：10 被引量：5H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：水利工程天文地球电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇学位论文

领域

  • 1篇天文地球
  • 1篇电子电信
  • 1篇水利工程

主题

  • 7篇突触
  • 6篇抛光硅片
  • 6篇溅射
  • 6篇硅片
  • 6篇磁控
  • 6篇磁控共溅射
  • 4篇电极
  • 3篇氮氧化硅
  • 3篇氧化硅
  • 3篇光电
  • 3篇TSC
  • 2篇导体
  • 2篇陶瓷
  • 2篇陶瓷薄膜
  • 2篇气相沉积
  • 2篇物理气相沉积
  • 2篇光电材料
  • 2篇红外
  • 2篇红外波段
  • 2篇半导体

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇赵昕
  • 8篇李伟
  • 6篇李东阳
  • 2篇蒋亚东
  • 2篇祁康成
  • 2篇顾德恩
  • 2篇陈鹏宇
  • 2篇蒋向东
  • 2篇田伟

年份

  • 2篇2020
  • 6篇2019
  • 1篇2018
  • 1篇2012
共 10 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用
一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用，属于光电材料技术领域。本发明提出采用了传统的物理气相沉积(PVD)镀膜方式，利用Ti<Sub>3</Sub>SiC<Sub>2</Sub>粉体材料作为靶材制备微纳米厚度的半导体...
次会聚宋宇浩陈奕丞赵昕祁康成李伟
基于MODIS与ASAR数据的洪水淹没信息提取方法研究
科学、准确、快速地获取水体信息，适时掌握水资源环境的变化，对于资源环境的监测，洪灾的预防等有极为重要的意义。在洪水灾害监测、灾情评估中，洪水淹没范围是最重要的信息之一。MODIS（Moderate-Resolution ...
赵昕
关键词：洪水灾害信息提取中分辨率成像光谱仪合成孔径雷达
文献传递
一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用
一种TSC陶瓷薄膜的制备方法及其产品和应用，属于光电材料技术领域。本发明提出采用了传统的物理气相沉积(PVD)镀膜方式，利用Ti<Sub>3</Sub>SiC<Sub>2</Sub>粉体材料作为靶材制备微纳米厚度的半导体...
次会聚宋宇浩陈奕丞赵昕祁康成李伟
文献传递
基于含氧TSC薄膜的忆阻器研究
阻变式随机存储器(RRAM)是一种非易失性存储器(NVM)，它通过电阻的变化来记录存储的数据信息。与传统的存储器相比，忆阻器有着简单的结构、高速度(ns)、低功耗(＜1pJ)、集成密度高(crossbar)、寿命长等优异...
赵昕
关键词：光电性能
文献传递
基于SiO<Sub>x</Sub>:Ag/AlO<Sub>x</Sub>双阻变层的忆阻突触器件及方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>:Ag/AlO<Sub>x</Sub>双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子...
李伟田伟赵昕刘诚袁余涵李东阳蒋亚东
文献传递
基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法
本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化铝的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅...
李伟伊海袁余涵赵昕刘诚李东阳顾德恩
文献传递
基于SiO<Sub>x</Sub>:Ag/TaO<Sub>x</Sub>双阻变层的忆阻突触器件及方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>:Ag/TaO<Sub>x</Sub>双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子...
李伟刘诚赵昕袁余涵陈鹏宇李东阳蒋向东
文献传递
基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法
本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钽的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅...
李伟陈鹏宇刘诚赵昕袁余涵李东阳顾德恩
文献传递
基于SiOx:Ag/TiOx双阻变层的忆阻突触器件及方法
本发明提供一种基于SiO<Sub>x</Sub>:Ag/TiO<Sub>x</Sub>双阻变层的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子...
李伟袁余涵赵昕刘诚田伟李东阳蒋亚东
文献传递
基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法
本发明提供一种基于掺银氮氧化硅和氧化钛的忆阻突触器件及制备方法，包括从上至下依次设置的上电极、第一阻变层、第二阻变层、下电极；所述忆阻突触器件第二阻变层作为金属离子阻挡层插入在第一阻变层与下电极之间；所述基于掺银氮氧化硅...
李伟赵昕刘诚袁余涵伊海李东阳蒋向东
文献传递
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0