胡廷松
- 作品数：12 被引量：7H指数：2
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校优势学科建设工程资助项目国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：理学电气工程金属学及工艺文化科学更多>>
- 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法
- 本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤：将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应...
- 台国安曾甜尤运城王旭峰胡廷松郭万林
- 文献传递
- 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
- 本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底...
- 台国安胡廷松曾甜尤运城王旭峰
- 文献传递
- 二维硼材料的理论和实验研究进展
- 2019年
- 硼与其近邻元素碳一样形成sp^2杂化,易形成复杂的多面体结构。硼烯是硼元素的二维同素异形体,研究者们对其结构和物化特性一直有着浓厚的研究兴趣。由于其制备技术难以突破,长期以来该领域的研究只停留在理论探索上。最近,在铜、银基底上生长出了单层硼烯薄膜,并对其原子结构和光电特性进行了深入研究,这些实验研究为未来研制基于硼烯的高性能电子器件奠定了良好基础。本文首先介绍硼烯的理论研究进展,然后着重介绍二维硼实验制备及其光电性能表征等研究,并对当前国际上二维硼薄膜实验研究进展进行了总结和展望。
- 台国安伍增辉胡廷松王睿侯闯郝金钱盛利航
- 关键词：化学气相沉积
- 一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法
- 本发明公开了一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，包括以下步骤：将基底置于真空反应炉中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底...
- 台国安胡廷松曾甜尤运城王旭峰
- 用于锂二氧化碳电池的电解液添加剂、电解液及电池
- 本申请实施例提供了一种用于锂二氧化碳电池的电解液添加剂、电解液及电池，所述电解液添加剂包括：硝酮基添加剂，所述硝酮基添加剂包括开链硝酮、开链硝酮衍生物、环状硝酮、环状硝酮衍生物和咪唑衍生物中的至少一种。采用本申请实施例提...
- 申来法胡廷松崔学良
- 二维硫化钼基原子晶体材料的化学气相沉积法制备及其器件被引量：2
- 2016年
- 二维过渡族金属硫属化合物因其带隙具有强烈的层数依赖性而在电子器件方面具有广泛的应用前景。其中单层二硫化钼(MoS_2)是该系列材料中最典型的一种直接带隙半导体,它具有优异的光、电、磁、热和力学性能。二维MoS_2有望在光电探测、光伏器件、场效应晶体管、存储器件、谷电子和自旋器件、温差电器件、微纳机电器件和系统等方面得以广泛应用。化学气相沉积(CVD)法已成为制备二维过渡族金属硫属化合物如MoS_2、MoSe_2、WS_2和WSe_2等原子层薄膜的主要手段,尤其科学界利用CVD法对二维MoS_2材料进行了深入的制备探索,通过该方法制备的MoS_2薄膜在电子和光电器件方面已经有广泛研究。本文将从二维MoS_2的基本物性出发,详细介绍CVD法制备MoS_2的各种工艺过程,如热分解硫代硫酸盐法、硫化Mo(MoO_(3-x))薄膜制备法、MoO_(3-x)粉体与硫属前驱体气相合成法和钼箔表面直接硫化法,并介绍了基于MoS_2的二维异质结构筑方法。在制备材料的基础上,详细阐述了二维MoS_2在场效应晶体管、光电探测器、柔性电子器件以及异质结器件方面的应用,并展望了二维材料在半导体器件中的应用前景。
- 曾甜尤运城王旭峰胡廷松台国安
- 关键词：二硫化钼化学气相沉积光电器件
- 均相异相协同催化剂、低温锂二氧化碳电池及其制备方法
- 本申请实施例提供了一种均相异相协同催化剂、低温锂‑二氧化碳电池及其制备方法，所述均相异相协同催化剂应用于低温锂‑二氧化碳电池，所述均相异相协同催化剂包括均相催化剂和异相催化剂，所述均相催化剂包括碳化钼/碳纳米线自支撑电极...
- 申来法胡永健胡廷松连文漪李秋菊
- 一种二维磷化钼薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种二维磷化钼薄膜的制备方法，属于二维薄膜制备领域，本发明包括：将金属钼箔基底置于真空反应炉中，通过抽真空以除去真空腔内氧气的情况下，将反应源在超过其熔点的温度下进行加热使其挥发，通过载气将其输运到真空腔中，...
- 台国安胡廷松伍增辉王睿
- 文献传递
- 一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法
- 本发明公开了一种在金属基底上可控生长二维硫属化合物原子级薄膜的方法，包括以下步骤：将金属基底和反应源置于真空反应装置中，抽真空，将反应源超过其熔点的温度进行加热使其挥发，通过载气输运到金属基底处，在250～1000℃反应...
- 台国安曾甜尤运城王旭峰胡廷松郭万林
- 文献传递
- 类石墨烯二硫化钨薄膜的化学气相沉积法制备及其应用被引量：5
- 2015年
- 类石墨烯过渡金属硫属化合物如Mo S2、WS2、Mo Se2、WSe2等因为具有层数依赖的带隙结构而受到了广泛关注。尤其是本征态的WS2为双极性半导体,它同时具有n型和p型电输运特性,有望在电子电路、存储器件、光电探测和光伏器件方面得以广泛应用。近年来,化学气相沉积技术已经被广泛用于制备大面积二维硫属化合物(如Mo S2,Mo Se2,WS2和WSe2)原子层薄膜。目前关于其他二维材料体系的综述文献介绍较多,但是针对WS2介绍的综述文献还鲜有报道。因此,本文综述了类石墨烯WS2薄膜的化学气相沉积法制备和相关器件的国内外研究进展,讨论了WS2薄膜的化学气相沉积法制备机理及生长因素如硫粉含量、载气的成分、反应温度、基底材料等对薄膜成膜质量的影响,介绍了WS2薄膜在晶体管、光电器件及与其他二维材料构成的异质结构器件的最新研究成果,并对可能存在的问题进行了分析和述评。
- 尤运城曾甜刘劲松胡廷松台国安
- 关键词：化学气相沉积法晶体管光电器件
