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陈弘

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：文化科学理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇国内会议论文

领域

  • 2篇文化科学
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇库仑
  • 2篇库仑场
  • 2篇ALGAN/...
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结场效应...
  • 1篇应力松弛
  • 1篇散射
  • 1篇欧姆接触
  • 1篇迁移率
  • 1篇晶体管
  • 1篇极化
  • 1篇QUASI
  • 1篇ALGAN/...
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管
  • 1篇2DEG
  • 1篇HFETS

机构

  • 3篇中国科学院
  • 2篇山东大学
  • 2篇专用集成电路...

作者

  • 3篇陈弘
  • 2篇王占国
  • 2篇林兆军
  • 2篇栾崇彪
  • 2篇冯志红
  • 1篇江洋
  • 1篇赵景涛
  • 1篇蔡树军
  • 1篇敦少博
  • 1篇尹甲运
  • 1篇房玉龙
  • 1篇李静强
  • 1篇于英霞
  • 1篇刘波
  • 1篇吕元杰

传媒

  • 2篇第十七届全国...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2012
  • 1篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
边欧姆接触工艺对ALGAN/ALN/GAN异质结场效应晶体管中极化库仑场散射的影响
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形ALGAN/ALN/GAN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，我们发现由ALGAN/ALN/GAN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧...
栾崇彪林兆军冯志红吕元杰赵景涛陈弘王占国
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线性区内ALGAN/ALN/GAN HFETS迁移率的理论研究
本文考虑到电场对ALGAN/ALN/GAN HFETS中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于QUASI-2-D模型,对ALGAN/ALN/GAN HFETS的L-V特性进行了模拟计算,结果...
于英霞林兆军栾崇彪陈弘王占国
文献传递网络资源链接
电应力致ALGAN/GAN HEMT的应力松弛研究
GAN HEMT器件的常温反偏老化实验中发现器件的栅漏电流明显增大。微区拉曼研究发现,栅漏电的增加伴随着HEMT器件沟道GAN材料张应力的增加。研究表明此结果和逆压电效应有关。外加反向电场致使ALGAN势垒层形变增加,当...
敦少博李静强房玉龙尹甲运刘波冯志红蔡树军江洋陈弘
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