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刘梦玲

作品数:13 被引量:11H指数:2
供职机构:武汉大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划测绘遥感信息工程国家重点实验室开放研究基金更多>>
相关领域:文化科学天文地球电子电信医药卫生更多>>

文献类型

  • 6篇期刊文章
  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇文化科学
  • 2篇天文地球
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇掺杂
  • 3篇重掺杂
  • 2篇入侵
  • 2篇深紫外
  • 2篇手机
  • 2篇图像
  • 2篇热扩散
  • 2篇武汉高校
  • 2篇课堂
  • 2篇激光
  • 2篇激光直写
  • 2篇光提取效率
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇高校
  • 2篇SAR图像
  • 2篇LED芯片
  • 2篇出光
  • 1篇倒装

机构

  • 10篇武汉大学
  • 2篇湖北中医药大...

作者

  • 12篇刘梦玲
  • 6篇周圣军
  • 3篇孙洪
  • 2篇何楚
  • 1篇陈嘉宇
  • 1篇曹华伟
  • 1篇徐新
  • 1篇吕家将
  • 1篇苏鑫
  • 1篇胡红坡

传媒

  • 2篇武汉大学学报...
  • 1篇发光学报
  • 1篇计算机教育
  • 1篇学园
  • 1篇科教导刊

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2017
  • 2篇2015
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2010
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
基于pLSA和Topo-MRF模型的SAR图像分类算法研究被引量:6
2011年
针对大多数分类方法未能同时考虑图像与特征、类别与特征、类别与类别之间关系的问题,提出了一种基于潜在语义分析(pLSA)和拓扑马尔可夫随机场(Topo-MRF)模型的合成孔径雷达(synthetic aperture radar,SAR)图像的分类算法。实验结果证明了该算法的有效性。
刘梦玲何楚苏鑫孙洪
关键词:图像分类拓扑图BINARY
紫外发光二极管外延结构及其制备方法
本发明提供了一种能够有效提高光输出功率和发光效率的紫外发光二极管外延结构及其制备方法。本发明所涉及的紫外发光二极管外延结构,其特征在于,从下往上依次包括:衬底、AlN成核层、u型GaN缓冲层、第一n型AlGaN层、重掺杂...
周圣军高艺霖胡红坡刘星童刘梦玲
文献传递
武汉高校手机“入侵”课堂的现状、成因调查报告被引量:2
2015年
为提升教学质量,推动教育改革的进程,改善学生学习方式,培养学生搜集和处理信息、分析和解决问题的能力,本文探讨了教学方式、学生自控能力、班风学风对上课手机入侵带来的影响。本文从改革教学方式、提升教学质量,引导学生加强自身控制能力的培养以及促进良好的班风学风的建设角度,旨在为相关学校改善教学管理秩序和营造良好的校风提供必要的参考和指导。
刘梦玲汪若文
关键词:武汉高校
信号处理系列课程实验体系建设被引量:2
2010年
从加深对信号处理系列课程的理解并巩固掌握的目的出发,在分析信号处理系列课程配套实验课程的基础上,结合武汉大学国家电工电子实验教学示范中心教改项目,提出基于网络虚拟实验室的基础实验和基于FPGA(Field Programmable Gate Array)的项目导向实验,这是两个层次分明又相互打通的信号处理系列课程实验体系,该实验体系在信号处理实验课程方面取得显著的效果。
何楚徐新刘梦玲曹华伟孙洪
关键词:网上虚拟实验室FPGA
Joint Boost特征选择的SAR信息可视化技术研究
2012年
提出了一种基于Joint Boost特征选择的合成孔径雷达(synthetic aperture radar,SAR)信息可视化方法。实验选用了ESAR的德国某机场的极化干涉SAR数据,提取几乎所有极化干涉信息分量构成较为完备的特征信息集合,实验结果证明了该方法的有效性。
刘梦玲陈嘉宇孙洪
关键词:图像处理SAR图像可视化JOINTBOOST
一种深紫外LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法,深紫外LED芯片的隧穿N型外延结构包括N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、AlN/GaN超晶格欧姆接触层和P型GaN层;其中AlN/GaN超晶格由厚度为原子层级的...
周圣军刘梦玲徐浩浩
文献传递
一种LED芯片透明电极及其制造方法
本发明公开了一种LED芯片透明电极及其制造方法,该透明芯片电极由高透射率的超薄金属掺杂银膜构成,超薄金属掺杂银膜由金属Ag掺杂一定比例的具有高功函数的金属采用共溅射的方式形成,通过控制溅射流量的方法控制金属的掺杂比例,控...
周圣军刘梦玲郑晨居刘星童高艺霖
文献传递
插指型SiO_2电流阻挡层对大功率LED外量子效率的影响
2017年
为了改善蓝光大功率LED芯片p电极处的电流拥挤现象,提高大功率LED芯片的外量子效率,在ITO透明导电层与p-GaN间沉积插指型SiO_2电流阻挡层。采用等离子体增强化学气相沉积的方法沉积SiO_2薄膜,再经过光刻和BOE湿法刻蚀技术制备插指型SiO_2电流阻挡层。采用SimuLED仿真软件分析插指型SiO_2电流阻挡层对大功率LED芯片电流扩展性能的影响,研究插指型SiO_2电流阻挡层对大功率LED芯片外量子效率的影响。结果发现,插指型SiO_2电流阻挡层结构可以有效改善p电极附近的电流拥挤现象。与没有沉积插指型SiO_2电流阻挡层的大功率LED芯片相比,光输出功率得到显著的提高。在350 mA的输入电流下,沉积插指型SiO_2电流阻挡层后的大功率LED芯片的外量子效率提高了18.7%。
刘梦玲高艺霖胡红坡刘星童吕家将郑晨居丁星火周圣军
关键词:大功率LED外量子效率
一种深紫外LED芯片及其制备方法
本发明公开了一种深紫外LED芯片及其制备方法,深紫外LED芯片的N电极包括N型AlGaN层、多量子阱层、P型AlGaN层、AlN/GaN超晶格欧姆接触层和P型GaN层;其中AlN/GaN超晶格由厚度为原子层级的掺杂或者不...
周圣军刘梦玲徐浩浩
文献传递
高电流扩展性GaN基LED芯片设计与制造技术
GaN基发光二极管(light emitting diodes, LED)已经被广泛应用于固态照明、汽车照明、全彩显示、可见光通信和生物医学仪器等领域。由于蓝宝石衬底材料的绝缘性,通常水平结构LED芯片的n电极和p电极分...
刘梦玲
关键词:GAN基发光二极管电流扩展光电性能
共2页<12>
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