吴玉新
- 作品数：17 被引量：21H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 氨化Si基Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米线及其发光特性被引量：1
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si（111）衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,然后在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米线.X射线衍射、选区电子衍射和傅立叶红外吸收光谱的分析结果表明,制备的GaN纳米线为六方纤锌矿结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察发现,纳米线具有十分光滑且干净的表面,其直径为40～160 nm左右,典型的纳米线长达几十微米.室温下以300 nm波长的光激发样品表面,显示出较强的363 nm的紫外光发射和422 nm处的紫光发射.另外,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
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- 关键词：氮化镓纳米线
- 高温氨化合成GaN微晶
- 2006年
- 分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。
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- 关键词：氨化
- 氨化磁控溅射Ga_2O_3／BN薄膜制备GaN纳米棒
- 2006年
- 利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3／BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒。用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析。结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰。
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- 关键词：磁控溅射氨化光致发光
- 合成GaN粗晶体棒的研究被引量：2
- 2005年
- 利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。
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- 关键词：磁控溅射自组装反应
- Si(111)衬底上GaN薄膜的生长及应变调控研究
- 近年来Si基GaN材料的生长受到了广泛的关注，但是GaN和Si衬底之间大的晶格失配和热失配使得GaN外延层产生大量的穿透位错和裂纹。本论文提出并研究了采用不同种类和结构的插入层和缓冲层，特别是采用复合层的生长方法，通过实...
- 吴玉新
- 溶胶-凝胶法制备GaN颗粒
- 2006年
- 以醇酸镓Ga(OC2H5)3作前驱体,利用溶胶．凝胶法和高温氨化法相结合,成功的合成了GaN粉末。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)、光致发光谱(PL)对粉末的结构、形貌和发光特性进行了表征。结果表明:在950℃时,可以得到纯度较高的GaN粉末且采用该工艺合成的GaN粉末粒度较均匀,生成的GaN多晶絮状颗粒为六方纤锌矿结构,室温下光致发光谱的测试结果发现了较强的402 nm处的近带边发光峰和460 nm处的蓝色发光峰。
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- 关键词：溶胶-凝胶法氨化
- 退火温度对硅基GaN薄膜质量的影响被引量：2
- 2007年
- 采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备GaN薄膜,并研究退火温度对GaN薄膜晶体质量、表面形貌和发光特性的影响。傅立叶红外吸收谱(FTIR)、X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)的测试结果表明所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜,随退火温度的升高,晶粒尺寸增大,结晶化程度提高。室温下光致发光谱的测试发现了位于367 nm处的强发光峰和437 nm处的弱发光峰,其发光强度随退火温度的升高而增强,但发光峰的位置并不发生移动。
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- 关键词：氮化镓薄膜电泳沉积退火温度光致发光
- 一维GaN纳米结构和GaN薄膜的制备及其特性研究
- 本文采用氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜的方法在硅衬底上合成了大量的一维GaN纳米结构，通过研究不同生长条件对制备一维GaN纳米结构的影响，初步提出并探讨了采用此方法合成一维GaN纳米结构的生长机制。采用溶胶—凝胶法和电...
- 吴玉新
- 关键词：磁控溅射溶胶-凝胶法氮化镓薄膜
- 文献传递
- 以Ga2O3自组装反应合成单晶体GaN纳米线
- 通过氮化以射频磁控溅射法沉积在SiC中间层上的Ga2O3膜,令其发生自组装反应,来合成单晶体GaN纳米线。SiC中间层一方面能减小硅衬底与外延GaN的晶格失配及热失配,一方面对GaN纳米线沿某确定方向生长.发育成单晶结构...
- 薛成山董志华庄惠照王书运高海勇田德恒吴玉新刘亦安何建廷
- 关键词：氮化射频磁控溅射自组装
- 文献传递
- sol-gel法制备GaN纳米棒的研究被引量：1
- 2005年
- 采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构。用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm^1.8μm,最长的纳米棒达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的355.6 nm处的紫外发光峰和445.9 nm处的蓝色发光峰。
- 吴玉新薛成山庄惠照田德恒刘亦安张晓凯艾玉杰孙莉莉王福学
- 关键词：半导体技术GAN纳米棒SOL-GEL法光致发光
