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杨大为

作品数：8 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团公司更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇等位
  • 2篇电极
  • 2篇电路
  • 2篇电路参数
  • 2篇电路单元
  • 2篇电阻率
  • 2篇对准标记
  • 2篇虚线
  • 2篇预估方法
  • 2篇阵列
  • 2篇扫描架
  • 2篇扫描式
  • 2篇状态机
  • 2篇现场可编程
  • 2篇现场可编程门...
  • 2篇门阵列
  • 2篇介质层
  • 2篇可编程门阵列
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻版

机构

  • 8篇中国电子科技...

作者

  • 8篇杨大为
  • 4篇孙佳佳
  • 4篇王增智
  • 2篇林洪春
  • 2篇陆虹
  • 2篇景欣
  • 2篇孙轶君
  • 2篇王佳宁

年份

  • 2篇2017
  • 1篇2016
  • 4篇2015
  • 1篇2014
共 8 条 记 录，以下是 1-8
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排序方式：
调节电路及电路调节方法
本发明公开了调节电路及电路调节方法，所述电路包括：EEPROM及状态机；在EEPROM中设置额外存储单元，该存储单元的存储地址中预存待调节电路及状态机处于多种状态值时所对应的调节参数，状态机与EEPROM的读写端口连接，...
陆虹孙轶君王佳宁景欣杨大为
提高MOS器件击穿电压的方法及MOS器件
本申请提供了一种MOS器件，包括硅片基体，设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环，其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。另外，本发明还提供了一种提高MOS器件击穿电压的方法。本...
林洪春杨大为孙佳佳王增智樊吉涛
文献传递
反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法
本发明公开了一种反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法。该方法包括：将用于承载反熔丝现场可编程门阵列的晶元划分为多个区域；在所述多个区域内分别植入多个测试用反熔丝器件；对所述测试用反熔丝器件的上电极和下电极施加测试电压...
杨大为孙佳佳
文献传递
扫描式光刻方法
本发明公开了一种扫描式光刻方法，包括步骤：放置步骤：将光刻版和晶圆分别安装在P-E扫描式光刻机的扫描架两侧的光刻版架和晶圆台上；调整步骤：调整扫描架与P-E扫描式光刻机的光学系统的相对位置，使得光学系统的曝光区域位于待扫...
王增智杨大为
文献传递
调节电路及电路调节方法
本发明公开了调节电路及电路调节方法，所述电路包括：EEPROM及状态机；在EEPROM中设置额外存储单元，该存储单元的存储地址中预存待调节电路及状态机处于多种状态值时所对应的调节参数，状态机与EEPROM的读写端口连接，...
陆虹孙轶君王佳宁景欣杨大为
文献传递
反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法
本发明公开了一种反熔丝现场可编程门阵列编程状况的预估方法。该方法包括：将用于承载反熔丝现场可编程门阵列的晶元划分为多个区域；在所述多个区域内分别植入多个测试用反熔丝器件；对所述测试用反熔丝器件的上电极和下电极施加测试电压...
杨大为孙佳佳
MOS器件
本申请提供了一种MOS器件，包括硅片基体，设置在所述硅片基体上的彼此间隔的源极、第一分压环和第二分压环，其中，所述第一分压环与所述源极通过金属连接以形成电压等位环。本申请只需设置第一分压环和第二分压环，并通过将第一分压环...
林洪春杨大为孙佳佳王增智樊吉涛
文献传递
扫描式光刻方法
本发明公开了一种扫描式光刻方法，包括步骤：放置步骤：将光刻版和晶圆分别安装在P-E扫描式光刻机的扫描架两侧的光刻版架和晶圆台上；调整步骤：调整扫描架与P-E扫描式光刻机的光学系统的相对位置，使得光学系统的曝光区域位于待扫...
王增智杨大为
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