郝文嘉
- 作品数：14 被引量：1H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学更多>>
- 一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件
- 本发明提供一种碳化硅紫外雪崩光电探测器及组件，该探测器包括：碳化硅衬底，以及在碳化硅衬底上、自下而上依次外延生长的缓冲层、倍增层、电荷层、渐变层、吸收层和接触层；渐变层的掺杂浓度自下而上依次减小，其中，吸收层的掺杂浓度低...
- 郝文嘉房玉龙芦伟立李帅王健李建涛王波陈宏泰牛晨亮
- 提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法、薄膜的制备方法及其应用
- 本发明涉及P型铟镓砷薄膜生长技术领域，具体公开了提高P型铟镓砷薄膜掺杂浓度的方法，将掺杂碳的铟镓砷薄膜，在氮气环境下进行降温退火，退火温度从550±10℃均匀降到400±10℃，时间为5±1min，压力为50±5mbar...
- 张宇陈宏泰车相辉林琳位永平王晶郝文嘉于浩
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- 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构
- 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP？DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐...
- 张宇陈宏泰车相辉林琳位永平王晶郝文嘉于浩
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- 窄发散角脊波导半导体激光器
- 本发明公开了一种窄发散角脊波导半导体激光器，包括衬底层、缓冲层、N型限制层、下限制层、下波导层、多量子阱区、上波导层、上限制层、腐蚀阻挡层、P型限制层和电极接触层；在缓冲层和N型限制层之间还设有扩展波导层，扩展波导层为N...
- 车相辉赵润曹晨涛陈宏泰宁吉丰张宇位永平郝文嘉王彦照林琳杨红伟
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- 一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片
- 本申请提供一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片。该方法包括：利用MOCVD技术，将碳化硅衬底放入载气为第一载气、Ga源为第一Ga源、氧源为氧气的反应室，并升温至第一预设温度，进行第一预设时长的外延生长，以在碳化...
- 芦伟立房玉龙郝文嘉李帅王健高楠张志荣王波陈宏泰
- 基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法
- 本发明提供了一种基于混合吸收层背入射高速铟镓砷光电探测器及制备方法，属于光探测器领域，半绝缘衬底的正面上自下至上依次生长N型欧姆接触层、吸收层、P型阻挡层和P型欧姆接触层，半绝缘衬底的背面设有透镜；N型欧姆接触层为台面结...
- 李庆伟尹顺政齐利芳赵润郝文嘉
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- MOCVD外延设备的温度校准方法
- 本发明适用于半导体技术领域，公开了一种MOCVD外延设备的温度校准方法，该方法包括：获取温度校准片，并将温度校准片放入MOCVD外延设备的反应室内；调节反应室内的总气体流量至预设流量值，并向反应室内通入保护气体；控制反应...
- 郝文嘉车相辉张宇宁吉丰
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- 一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构
- 本发明涉及双异质结双极晶体管(DHBT)技术领域，尤其是涉及npn型InGaAs/InP DHBT技术领域，具体公开了一种磷化铟基双异质结双极型晶体管外延层结构，自磷化铟衬底向上依次包括轻掺杂的N型磷化铟集电区层、能带渐...
- 张宇陈宏泰车相辉林琳位永平王晶郝文嘉于浩
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- 6英寸碳化硅外延片小坑缺陷研究
- 2024年
- 随着碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽车、光伏产业、高压输电和智能充电桩等下游领域需求的爆发式增长,对高质量、低缺陷密度SiC外延材料提出了迫切需求。有研究表明,小坑缺陷可能引起器件漏电流增大,影响SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅氧可靠性,因此对外延材料小坑缺陷的研究成为热点之一。采用单片水平式SiC外延设备,在6英寸(1英寸=2.54 cm)偏4°SiC衬底上生长4H-SiC外延层,系统研究了外延工艺对小坑缺陷的影响。采用表面缺陷测试仪对外延层小坑缺陷形貌和数量进行表征,利用表面缺陷测试仪的同步定位系统研究了小坑缺陷的起源与形成机理。研究结果表明,通过优化碳硅比和生长温度,有效降低了4H-SiC外延层小坑缺陷密度,小坑缺陷密度可控制在25 cm^(-2)以下,实现了低缺陷密度的高质量外延材料生长。
- 李帅房玉龙芦伟立王健郝文嘉李建涛陈宏泰王波牛晨亮
- 关键词：4H-SIC生长温度
- InP基光电探测器材料的MOCVD锌扩散
- 2017年
- 锌(Zn)扩散是制作InP基光电探测器(PD)的重要工艺过程。分析了锌扩散的机制,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)设备对InP基PD及雪崩光电探测器(APD)材料进行了锌扩散,由于MOCVD设备具有精确的温度控制系统,所以该扩散工艺具有简单、均匀性好、重复性好的优点。对于扩散后的样品,采用电化学C-V方法和扫描电子显微镜(SEM)等测试分析手段,研究了退火、扩散温度、扩散源体积流量和反应室压力等主要工艺参数对InP材料扩散速率和载流子浓度的影响,并将该锌扩散工艺应用于InP基光电探测器和雪崩光电探测器的器件制作中,得到了优异的器件性能结果。
- 张宇于浩郝文嘉车相辉尹顺正齐利芳赵润陈宏泰
- 关键词：INP光电探测器
