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盛博文

作品数：63 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：电子电信文化科学理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 63篇中文专利

领域

  • 19篇电子电信
  • 5篇文化科学
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 29篇氮化
  • 25篇氮化物
  • 25篇化物
  • 11篇半导体
  • 10篇导体
  • 9篇晶格
  • 8篇量子
  • 7篇单晶
  • 7篇铁电
  • 7篇纳米
  • 7篇激光
  • 7篇衬底
  • 6篇声学
  • 6篇全彩
  • 6篇显示芯片
  • 6篇量子点
  • 6篇可重复性
  • 6篇光谱
  • 6篇过渡层
  • 6篇二极管

机构

  • 63篇北京大学

作者

  • 63篇王新强
  • 63篇盛博文
  • 38篇沈波
  • 30篇王平
  • 16篇荣新
  • 14篇郑显通
  • 14篇王涛
  • 11篇王睿
  • 10篇张健
  • 8篇李沫
  • 6篇吴洁君
  • 4篇唐宁
  • 4篇荀坤
  • 4篇马定宇
  • 3篇刘强
  • 2篇苏娟
  • 2篇陶仁春
  • 2篇杨学林
  • 2篇袁竹君

年份

  • 8篇2024
  • 19篇2023
  • 9篇2022
  • 3篇2021
  • 5篇2020
  • 9篇2019
  • 4篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
共 63 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜的制备方法
本发明公开了一种补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜的制备方法。本发明利用离子注入和热退火工艺，得到补偿氮空位并抑制漏电流的氮化物铁电薄膜；本发明既能够通过大剂量、大能量和高深度的近下表面氮离子注入，解决由于应力引起的...
王新强王睿王平叶昊天盛博文刘放
一种可控阵列纳米线及其场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种可控阵列纳米线的制备方法及其场效应晶体管的制备方法。本发明通过选择外延生长中生长材料沿不同晶向的生长速率各向异性的材料作为衬底，从而实现纳米线的生长；通过设计图形化衬底的排布和直径，可精确调控阵列纳米线的...
王新强王平沈波杨学林郑显通荣新盛博文
一种二维通道结构及其制备方法
本发明公开了一种二维通道结构及其制备方法。本发明采用支架支撑隔离层，获得多种二维通道结构，适用材料范围广；各层的间距精确可控，二维通道结构设计约束少，适用众多图案；适合工业化生产，图案精度高且适用于多种工业化生产方法，制...
袁竹君王新强王平盛博文李沫张健沈波
一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法
本发明公开了一种利用二维晶体过渡层制备半导体单晶衬底的方法。本发明通过在半导体单晶厚膜结构与异质衬底之间引入二维晶体过渡层，利用原子层间分子力结合弱、易于破坏分离的特点，采用剥离方法实现半导体单晶厚膜结构与异质衬底的分离...
王新强刘放沈波吴洁君荣新郑显通盛博文
文献传递
一种电写光读氮化物铁电神经形态器件及其制备方法
本发明公开了一种电写光读氮化物铁电神经形态器件及其制备方法。本发明各层结构在同一设备的同一腔体中全外延实现，有利于提升界面质量，并提升器件的可靠性；利用多层复合式铁电层功能层，有利于增强器件的多态特性，通过精确控制超晶格...
王新强王睿王平叶昊天盛博文
一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法
本发明公开了一种金刚石基氮化物半导体异质结构的制备方法。本发明通过将在单晶二维材料/单晶衬底上外延制备的单晶氮化物半导体结构剥离转移至多晶金刚石层/高散热能力支撑层，解决了金刚石复合衬底表面缺少单晶氮化物半导体结构外延所...
刘放王新强王平盛博文
一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片
本发明提供了一种II型超晶格全彩微型发光二极管显示芯片，包括：至少一个芯片单元；所述芯片单元包括：依次排布的第一N型导电层、红光II型超晶格层、第一P型导电层、绿光II型超晶格层、第二N型导电层、蓝光II型超晶格层和第二...
王新强陈兆营刘放盛博文袁泽兴
一种光辅助金属有机化合物化学气相沉积装置及实现方法
本发明公开了一种光辅助金属有机化合物化学气相沉积装置及实现方法。本发明采用光束传输光路，对光束聚焦、分束、扩束准直和位置调节的操作，并对MOCVD系统加设入光窗口、出光窗口和惰性气体传输管道，使得光束通过入光窗口进入至反...
王新强陈兆营刘放盛博文
垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法
本发明公开了一种垂直式光辅助金属有机物化学气相沉积装置及其沉积方法。本发明采用光场垂直作用于层状反应剂气流上，光场与反应剂气流的作用路径短，减小了所需激光功率，降低了光辅助MOCVD装置的设计难度、提高了安全性；同时减少...
王新强陈兆营刘放盛博文李铎
一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法
本发明公开了一种基于二维晶体过渡层的氮化铝复合衬底的制备方法。本发明采用图形化掩模板，图形化掩模板具有多个互相平行且均平行于掩膜基体晶向的带状的通孔，通过图形化掩模板依次沉积BON、BN和AlN，化学刻蚀得到复合平片结构...
王新强刘放陈兆营盛博文郭昱成沈波
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